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请帮忙分析一下为何IR2110驱动电机电路,一接大功率电源时MOS管容易烧掉?

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出0入0汤圆

发表于 2007-5-27 19:25:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
如图该电路是一个IR2110驱动电机的电路,输入信号为两个反向的PWM波,PWM为一反向器产生.

不知道为什么接到小功率的24V电源上的时候电机可以转,但是接到大功率电源上去的时候H桥里面的MOS管就烧了,而且IR2110芯片旁边的二极管也击穿了,





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出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2007-5-28 09:51:21 | 显示全部楼层
大家来帮帮我啊,昨天把12V换成15V还是烧了,郁闷中,IR2110又烧了两片,上面图不完全的,点那个图就可以看到完整的图了
-----此内容被mike2415于2007-05-28,09:52:12编辑过
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出0入0汤圆

发表于 2007-5-28 10:05:36 | 显示全部楼层
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出0入0汤圆

发表于 2007-5-28 11:08:23 | 显示全部楼层
自举二极管,4148可能搞不定。MOS的G极,和E之间加一个10K的电阻。G极的30R电阻可以并一个1N5819,其阳极对着G,关断的时候可以快速释放掉G极电荷。试试看

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2007-5-28 17:28:52 | 显示全部楼层
谢谢斑竹的提醒.

我把4148换成了并连3个FR157电路,二极管已经不烧了,但是MOS管的DS之间有好大的尖峰,导致MOS管发好大的热量,不知道该怎么办

出0入0汤圆

发表于 2007-5-28 21:59:25 | 显示全部楼层
我没玩过2110,但是我烧过很多2104。我的MOS DS也有尖峰,有保护二极管应该没事。给点建议:



1。把电路板洗干净

2。马达并个电容串个电感

3。检查前端逻辑电路是否工作正常

4。更换其他批号的2110

出0入0汤圆

发表于 2007-5-29 07:56:20 | 显示全部楼层
在MOS端加上RCD吸收电路试试看。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2007-5-29 12:43:55 | 显示全部楼层
你太强了,今天早上去问了一个超牛比的老师和你讲的竟然一模一样,等我做完实验就知道了

出0入0汤圆

发表于 2007-5-29 15:58:47 | 显示全部楼层
另外建议楼主在MOT+ MOT-接电阻到地,形成C3和C5另外的充电回路

出0入0汤圆

发表于 2009-2-24 10:54:28 | 显示全部楼层
记号

出0入0汤圆

发表于 2009-2-24 12:12:03 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2009-2-24 14:17:40 | 显示全部楼层
To 【楼主位】 mike2415

我想,H桥里面的MOS管或是三极管被烧毁,追其原因,主要应该是:
该导通的,没有可靠导通,管压降大,功耗大,发热量剧增,不仅容易烧毁开关管,还影响电源效率,电机速度上不去;
该截止的,没有可靠截止,与同侧的已经处于导通状态的开关管一起,形成对供电电源的短路;
还有,在驱动电路未采取必要措施的情况下,一个导通过的开关管尚未可靠截止,同侧的另一个截止的开关管已经开始导通,会形成对供电电源的瞬间短路,每个周期发生两次。我不知道 IR2110 中是否集成了避免瞬间短路的措施。

“接到小功率的24V电源上的时候电机可以转,但是接到大功率电源上去的时候H桥里面的MOS管就烧了”,那是因为:
小功率的24V电源的内阻较大,同侧开关管形成的短路,产生的短路电流相对较小,没有达到烧掉开关管的程度;
大功率的24V电源的内阻很小,同侧开关管形成的短路,产生的短路电流必然很大,已经达到烧掉开关管的程度。

眼前的首要问题,不是保护措施的问题,而是解决驱动电路的逻辑和电平转换的问题。
先在你的那个小功率的24V电源上,确认逻辑正确,重点把驱动电平搭配好,确保开关管的可靠导通和可靠截止。

我从未接触过直流电机的驱动,仅从电路原理分析出发,提出上述看法。仅供参考。

出0入0汤圆

发表于 2009-6-13 11:35:00 | 显示全部楼层
就同样的这个电路,当我接上电机后,电机不能转动,测2110的HO输出脚为0V,Vs脚也为0V,输入逻辑电平正常,当断掉电机后,HO和VS脚电压都回升到11.3V左右了.
   这是什么原因引起的呢?请大家帮帮忙看看!谢谢!

出0入0汤圆

发表于 2009-6-16 17:53:38 | 显示全部楼层
死区问题。

出0入0汤圆

发表于 2009-7-13 08:39:28 | 显示全部楼层
mark!

出0入0汤圆

发表于 2010-5-23 11:02:01 | 显示全部楼层
来晚了,不知最后问题是怎么解决的

出0入0汤圆

发表于 2010-9-26 23:20:02 | 显示全部楼层
我在研究一个大功率MOSFET的H桥驱动电路,希望与楼主共同研究MOSFET驱动电路,我的Q252508900

出0入127汤圆

发表于 2010-9-28 22:40:02 | 显示全部楼层
dt要设置合理   MOSFET的GS要加10K电阻   那个自举二极管要快速的 电流至少1A的吧   自举电容在加大点(具体看MOSFET的参数)  尖峰大,DS之间加100pF高压瓷片电容

出0入0汤圆

发表于 2010-10-1 21:06:45 | 显示全部楼层
关注下

出0入0汤圆

发表于 2010-12-25 14:18:48 | 显示全部楼层
回复【3楼】winter
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G、S间加10K电阻有什么作用?是为G极提供较低放电电位吗

出0入0汤圆

发表于 2011-2-24 15:20:12 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-3-4 21:58:02 | 显示全部楼层
回复【17楼】bbssr
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出0入0汤圆

发表于 2011-3-4 23:04:05 | 显示全部楼层
量一下PWM的波形,看看MOS管的导通情况,有没有出现上下桥同时导通。

出0入0汤圆

发表于 2011-3-25 07:47:37 | 显示全部楼层
支持

出0入0汤圆

发表于 2011-10-10 17:56:15 | 显示全部楼层
学习了!

出0入0汤圆

发表于 2011-11-25 11:55:17 | 显示全部楼层
把你的R1,R2,R3,R4的阻值变大,同时反向并联一个二极管,加快mos管的开关速度。

出0入0汤圆

发表于 2012-4-11 17:17:52 | 显示全部楼层
mark,个人感觉也是死区的问题,直接用反相器驱动,没任何死区处理。。。

出0入0汤圆

发表于 2012-4-11 20:23:39 | 显示全部楼层
holmesruan 发表于 2012-4-11 17:17
mark,个人感觉也是死区的问题,直接用反相器驱动,没任何死区处理。。。

我想也是死区问题。

出0入0汤圆

发表于 2012-7-6 22:16:50 | 显示全部楼层
MARK .....

出0入0汤圆

发表于 2012-7-11 09:21:18 | 显示全部楼层
12楼分析的很清楚,我在时间当中显示发现经常MOS管被烧坏,也在考虑是不是没有完全可靠导通。

出0入0汤圆

发表于 2012-7-14 11:11:06 | 显示全部楼层
学习

出0入0汤圆

发表于 2013-5-22 22:00:41 | 显示全部楼层
到底什么问题呢,解决了没有呢

出0入0汤圆

发表于 2013-8-13 00:04:25 | 显示全部楼层
                              

出0入0汤圆

发表于 2021-8-20 15:54:27 | 显示全部楼层
标记一下,我的现在也在烧,准备把二极管换了
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