Vref 是否可以大于 Vdd
pic18f67k22单片机 Vdd电压为3.3V为提高AD采集精度，计划使用外部4.096V的基准。但这样Vref会大于Vdd，不知是否可行？ 翻阅手册未发现 明确说明Vref必须要小于Vdd。 有逛论坛的吗？ 芯片内部的保护二极管会钳位. VREFH < VDD+0.3 V,Page 523 of DS39960D 何苦为难自己，5v给单片机好了 除非特别注明，否则所有的io引脚到电源和地之间都有反接的保护二级管,高于电源0.3或低于地0.3就会导通。 redroof 发表于 2016-8-12 21:11除非特别注明，否则所有的io引脚到电源和地之间都有反接的保护二级管,高于电源0.3或低于地0.3就会导通。 ...
非常感谢！ 砂山老妖 发表于 2016-8-12 20:52
何苦为难自己，5v给单片机好了
电池供电3.3-3.6V给个别芯片临时升压到5V，单片机直接用电池的电，微功耗，平时休眠。如果给单片机5v 怕升压效率不高，达不到微功耗。 spcm 发表于 2016-8-12 14:25
VREFH < VDD+0.3 V,Page 523 of DS39960D
非常感谢！ 单片机工作时切换到5v不就可以了。 基准搞成2.5v或者2v不就可以了 你说说，4.096的基准比起更常用的2.5基准有什么好处？ redroof 发表于 2016-8-13 13:14
你说说，4.096的基准比起更常用的2.5基准有什么好处？
{:titter:} {:titter:} 更好换算. i7gly 发表于 2016-8-13 22:12
更好换算.
没区别。虽然设计这个数的本意确实是好换算，但问题是只要有点精度要求的，岀厂前都得校准，结果也不会恰好每个AD单位对应1mv了。 4096.。。。。。
应该不可以，很数据手册，在maxim absolute电源那一节，一般不能超过vdd+0.3v redroof 发表于 2016-8-13 13:14
你说说，4.096的基准比起更常用的2.5基准有什么好处？
前端传感器0mv-50mv如果基准4.096 那经运放放大到0V-4V这样采集的精度不就会更高吗？是不是比2.048的会好些呢？ higeo 发表于 2016-8-13 10:02
基准搞成2.5v或者2v不就可以了
4.096的基准与2.048的基准相比：前端运放可以扩大一倍啊 d314361768 发表于 2016-8-15 13:22
前端传感器0mv-50mv如果基准4.096 那经运放放大到0V-4V这样采集的精度不就会更高吗？是不是比2.048 ...
放大到4V为什么比放大到2V精度高？？
我说这两种情况下的精度是一样的，请给列出计算过程来反驳我{:titter:}
wumaoxu 发表于 2016-8-13 08:53
单片机工作时切换到5v不就可以了。
这个也是可以的 redroof 发表于 2016-8-15 13:43
放大到4V为什么比放大到2V精度高？？
我说这两种情况下的精度是一样的，请给列出计算过程来反驳我{:titte ...
0-50mv 放大到 0-2V与放大的0-4V的精度一样吗 ？计算公式是一样的 都是0-50mv对应 0-4096 只是一个0-50 转换成0-2V 读出0-4096 ； 只是一个0-50 转换成0-4V 读出0-4096 。 d314361768 发表于 2016-8-15 14:00
0-50mv 放大到 0-2V与放大的0-4V的精度一样吗 ？计算公式是一样的 都是0-50mv对应 0-4096 只 ...
我就告诉你是一样的啊。
为什么不一样？请你给出理由{:titter:}
假如你的AD允许，那么你用个50mV的参考源给AD，直接测0-50mV的信号，也没问题{:titter:}
问题仅仅是AD不允许参考源太小而已（AD内部的噪声有很大一部分是固定的，如果参考源太小，内部噪声相对就大了，所以会要求一个最小的参考源电压）。
但2.5V已经够几乎所有AD的参考源要求了。 d314361768 发表于 2016-8-15 13:24
4.096的基准与2.048的基准相比：前端运放可以扩大一倍啊
按照我粗浅的理解，基准减小之后AD精度更高 redroof 发表于 2016-8-15 14:16
假如你的AD允许，那么你用个50mV的参考源给AD，直接测0-50mV的信号，也没问题
问题仅仅是AD不允 ...
感谢指点！ higeo 发表于 2016-8-15 16:05
按照我粗浅的理解，基准减小之后AD精度更高
感谢指点！ higeo 发表于 2016-8-15 16:05
按照我粗浅的理解，基准减小之后AD精度更高
为什么？不明白
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