高性能分立元件H桥驱动（非自举电容升压，没有IR21XX的缺点PWM可维持在100%）

vivalite · 发表于 2009-9-18 06:45:00

Vgs最好调到10V，损耗比和8.5V小10%左右。不过如果你的电机功率不大控制器发热量也不大就没太大必要去调。

如果你的电机小于500W很多可以减小C3 C2或加大R2 R5，这样同样可降低上桥驱动功耗。
在不改任何器件参数的情况下，上桥只输出开通关断信号而由下桥输出调制信号，可以大大降低上桥驱动功耗并大幅提高上桥驱动电压、降低上桥发热。

shao1jun · 发表于 2009-9-19 17:08:15

1. 问下LZ 你图中C11，C12的电容用什么材料（电解？），电容值怎么计算的，C12要1mF？
2. 还有为什么我在上电后（四个NMOS全关断的），量出来D6的负极高于主回路进线电压13V多，不是说最大多12V吗？之后工作时（正转或反转时），是Vgs=8.9V，就是之前为何是13V啊？不解。
3. 正转或反转时，稳压管上为8.9V，但R16上是9.1V，这样D1不就不能导通了吗？？

等你回复，谢谢。

vivalite · 发表于 2009-9-19 18:22:31

C11 C12是高频低阻电容，用于克服直流母线的电感效应，平滑母线电压。算法涉及到电机换向频率、载波占空比、电感量等，由于较复杂不详细写了。

13V是空载电压。电机运转时上桥驱动电路会消耗一部分能量所以电压就降低了。

二极管是有压降的，1N4148是0.2V，在你的电路上正好9.1-8.9=0.2V

shao1jun · 发表于 2009-9-21 21:32:04

谢谢您的回复，LZ再问下你：
现在我们的产品出口到日本的，所以我们现在产品加的电压是AC100V，电机是按客户的DC100做的，现在发现如果AC100V进去，整流后电压140V，电机空载就130~140V，负载也要120V多，这样电机就一直在超压下工作，所以现在想在D1H、D1L、D2H、D2L，加PWM以实现简单降压工作，让电机通过有效的占空比来降压到100V左右负载工作。所以现在想问下，如何实现我说的做法。有别的办法吗？
如果加PWM波的话那频率和占空比又是多少呢？是4个输入全部PWM加，还是上桥加PWM，下桥臂电平控制。。。。求助！谢谢！

vivalite · 发表于 2009-9-22 05:42:14

别的办法就是做140V的电机，我想对电机厂来说不是难事。PWM频率一般15～20kHz，这个电路对上下桥做PWM还是电平控制没有任何限制

shao1jun · 发表于 2009-9-23 14:15:52

急求助：
由于现在我们单片机是20脚的，因为是4个口控制了4个对应的管子（D1H,D2H,D1L,D2L）。
现在想用18脚的单片机，请问，可以将D1H和D2L 相连接吗，再接到1个I/O上？
可以将D2H和D1L 相连接吗？
这样用两个I/O口控制4条线路允许吗？会发生烧管子等情况吗？
谢谢！急！

shao1jun · 发表于 2009-9-24 00:54:02

急求助：
由于现在我们单片机是20脚的，因为是4个口控制了4个对应的管子（D1H,D2H,D1L,D2L）。
现在想用18脚的单片机，请问，可以将D1H和D2L 相连接吗，再接到1个I/O上？
可以将D2H和D1L 相连接吗？
这样用两个I/O口控制4条线路允许吗？会发生烧管子等情况吗？
谢谢！急！
LZ请回复!

vivalite · 发表于 2009-9-24 03:05:17

可以，但这样功率管可能发热会比较大。

fengye2009 · 发表于 2009-10-18 19:00:21

mark

iwin · 发表于 2009-11-9 09:59:57

mark mars

wenchaoge852 · 发表于 2009-11-13 12:31:58

jihao

xrhpcb · 发表于 2009-11-18 21:51:14

mark ,3Q

wuyacjj · 发表于 2009-11-26 10:30:08

mark
3qu

Stitch · 发表于 2009-11-28 11:29:19

看，灰机……………快Mark。

482271 · 发表于 2009-12-9 15:28:01

24V驱动电压，电机电流是多少

vivalite · 发表于 2009-12-9 23:29:31

看你电机功率多大了

flyunlimit · 发表于 2009-12-10 00:18:13

标记，慢慢学习

482271 · 发表于 2009-12-10 12:47:47

【116楼】 vivalite

看你电机功率多大了

电机功率是61W
PWM占空比从0到100，电流变化很小，79MA到82MA之间，不知是哪的原因，电机峰值电压是27V，电流时2.26A

vivalite · 发表于 2009-12-11 03:18:05

【119楼】 482271

不知道你想问的是什么。电机空转电流变化是不大的

482271 · 发表于 2009-12-11 08:48:42

怎么才能让电机达到额定电流

vivalite · 发表于 2009-12-12 11:33:36

增加电流方法：
1.加负载
2.降低电压

ggddll · 发表于 2009-12-12 12:37:48

3Q AND MARK

482271 · 发表于 2009-12-14 11:33:30

加恒流源可行不

vivalite · 发表于 2009-12-14 11:42:55

你的目的是什么？测试？

chendy6868 · 发表于 2009-12-14 11:59:02

谢谢LZ，我照着做了个电路，确实好用

xky183 · 发表于 2009-12-14 13:39:39

电阻好烫啊

zxl2431 · 发表于 2009-12-14 13:42:43

好好学习，天天向上

xiaoniu · 发表于 2009-12-14 22:53:43

mark

sky1234567 · 发表于 2009-12-16 19:16:55

mark

yaya001 · 发表于 2009-12-16 22:18:36

mark

482271 · 发表于 2009-12-18 11:29:05

【125楼】 vivalite

你的目的是什么？测试？
__________________________

电机低转速空载时想加大电流来控制转矩，不知这可行不？

还有个问题，主动升压频率大于30K时，C7波形失真严重，20K时正常是哪的问题？我用的三极管是5551，5401

vivalite · 发表于 2009-12-18 11:56:53

上高频C7要用独石电容或高频低阻的电解电容。

PWM控制的是加在电机上的积分电压，要控制电流要从供电上想办法，比如用更大电流的电源。
你可以写一个转速电流闭环控制程序，空转转速降低了说明阻力加大，这时提高电压扭矩就加大，一旦空转转速恢复立即减小电压，这样可以动态适应负载时的大扭矩。

12fen · 发表于 2009-12-18 12:07:30

不错

482271 · 发表于 2009-12-18 16:42:35

C11,C12占用体积太大可不可以取消，或用其它方法代替

vivalite · 发表于 2009-12-19 02:21:41

C11 C12是用来给电机退耦的，可以适当减小（原电路是为400W电机设计的）但去掉的话直流总线上的峰值会增大，有可能击穿功率管。

482271 · 发表于 2009-12-21 09:07:21

明白，谢谢 vivalite 老大

dingwei · 发表于 2009-12-30 16:24:34

高性能分立元件H桥驱动（非自举电容升压，没有IR21XX的缺点PWM可维持在100%）
记号

leoyang · 发表于 2009-12-30 16:58:14

马克记号，慢慢学习，谢谢LZ分享

dingwei · 发表于 2009-12-30 19:56:34

回复【136楼】vivalite
-----------------------------------------------------------------------

vivalite：
你好，请教一下
我有个650W的直流有刷电机，电压36V，想对他进行调速，以前没搞过电机，电路是参考网上有刷电动车的电机调速，调试的时候发现那个12V电压肯定是好的，输入PWM的峰峰值有4.8V左右，但是经过三极管后，电压没怎么升高，频率是我故意先搞低一点的，只有1K。
图如下

原理图 (原文件名:question01.jpg)

这是输入的PWM波形 (原文件名:输入.jpg)

这是输出的 (原文件名:输出.jpg)

dingwei · 发表于 2009-12-30 20:24:13

搞了一个驱动芯片，波形好了
此时驱动端的VP_P 大约11.2V
但是上面那个为什么会这样啊

这是用芯片驱动的输出波形 (原文件名:输出2.jpg)

ts10606 · 发表于 2009-12-30 20:46:59

mark

vivalite · 发表于 2009-12-30 23:40:44

回复【140+141楼】dingwei
-----------------------------------------------------------------------

你的电路工作前提是PWM_IN的电平也是12V。你的输入5V就需要做电平转换（具体请参考我顶楼电路的下桥实现方式）。

lengmo · 发表于 2009-12-30 23:53:24

模电不懂啊！

dingwei · 发表于 2009-12-31 08:31:09

回复【143楼】vivalite
-----------------------------------------------------------------------

哦，原来这样。重新看了一下参考的原理图，确实是12V供电的。谢谢，回复这么快

vivalite 再请教你一个问题，象这种大功率有刷电机控制的PWM频率应该怎么确定才合适，最大负载时连续工作电流大概有22A左右，

现在频率是1KHZ

vivalite · 发表于 2009-12-31 10:29:52

回复【145楼】dingwei
-----------------------------------------------------------------------

驱动频率应该大于正常人的听觉范围，避免听见尖叫声。所以比较合适的频率是20KHZ左右。

bill1314 · 发表于 2010-1-6 16:42:44

mark

dingwei · 发表于 2010-1-7 10:34:04

vivalite：
我现在PWM频率改为10K，在用100us时基看波形时比较正常，但是放大到1us或者500ns时波形在上升延有振荡是怎么回事啊？
G极的电阻我加大到100Ω也试过没什么改善，那个G极的电容我1nf,10nf,100nf都试过，只有100nf的时候稍微好点

原理图和波形图如下

就是这个电路 (原文件名:sch.GIF)

这是100us的驱动波形，此时PWM正脉宽大概为3%左右 (原文件名:100us.gif)

这是100us放大后的，发现上升延过程是这样的 (原文件名:1us.gif)

继续拉开到500ns的波形 (原文件名:500ns.gif)

vivalite · 发表于 2010-1-7 11:22:33

回复【148楼】dingwei
-----------------------------------------------------------------------

1.直流母线没有滤波电容吗？
2.栅极震荡，检查电源稳定度及布线。

rocket2003 · 发表于 2010-1-10 18:34:18

回复【楼主位】vivalite
-----------------------------------------------------------------------
楼主这几天好好看了一下你共享的这几电路，包括前一个非主动升压的帖子和转贴的谢渊斌的那个帖子，看后感觉电路非常巧妙特别是用三极管和电阻搭建的开关电路，我用Pspice进行了仿真，并且亲自动手计算分析了一下，在匹配上确实很好。在看了你给其他人的回复和谢渊斌的详细介绍后基本上已经能够理解了，但是现在仍然有几个问题想请教一下。
1、控制信号的输入都是从三极管的射极进入，包括你共享的那个mcu代替555升压电路，而一般情况下都是将控制信号从基极输入，这个地方不是很明白。我也按照信号从射极输入进行了计算，从射极输入信号，并且射极串入电阻引入负反馈，可以很好的控制集电极电流，如果我用信号从基极输入也能达到同样的效果。
2、106楼的兄弟提出的：将D1H和D2L 相连接，再接到一个I/O上，你的回复是功率管发热可能会比较大，这里有一个疑问，现在只是用一个控制信号同时送到一组桥中，而且高低功率管都有自己的驱动电路，他们之间没有互相影响，为什么功率管会发热比较大。
3、在前一贴《经典分立元件H桥驱动》中，我的理解是先开下桥，让自具电容充电，然后再开上桥，这一点与你相同，但是在PWM只能加在下桥而上桥只加开关信号这一点上与你有分歧，我的理解是pwm只能加在上桥而下桥只加开关信号。这是因为上桥不能一直开通，否则自举电容电压会下降，导致上桥mos功耗增加而烧毁，自具电容的充电是通过电机和下桥构成的回路来完成的，必须保证下桥的导通，同时上桥保证关闭。同时考虑到同步续流，只有同侧的上桥关闭后才能续流。不知我的理解是否正确。
4、在谢渊斌的帖子里，在上桥的源极s上下拉一个10k的电阻，我的理解是在控制器上电后，在下桥打开之前帮助自举电容充电，但是这个电阻的选取感觉很麻烦，太大时自举电容的充电太慢，太小时其功耗会非常大，那么就要选取功率比较大的，个头也就上来了。在实际使用时这个电阻的作用能起到多大楼主是否进行过试验。
这是我看完帖子后的几个疑问，希望楼主能够帮助解答。
我主要是做船用主机设备的，现在都是用的专用高端驱动芯片，虽然对于我们来说成本上不用考虑太多，但是还是想在技术上有更好的提高，不能总依赖集成电路，

shanyan · 发表于 2010-1-10 18:39:20

mark

vivalite · 发表于 2010-1-12 14:10:20

回复【150楼】rocket2003
-----------------------------------------------------------------------

1.我这样做只是想用最少的原件实现低电位导通，如果你需要高电位导通可以从基极输入控制信号。
2.106楼说的方法无法做同步整流，电机续流电流会通过上桥功率管体二极管释放，因为功率管体二极管压降较大所以会产生比较大的热量。
3.前一帖不管使用上桥还是下桥输出PWM都会存在自举电容电位的问题，所以不管使用上桥还是下桥输出PWM都不能达到100%；我使用下桥PWM只是因为在我的单片机上这样实现同步整流方便些，除此之外没区别。
4.实际上这个电阻去掉也行的，但这样就需要写一个启动逻辑了，启动时要开上桥前先开下桥充电，充完后再开上桥。

rocket2003 · 发表于 2010-1-12 22:22:22

回复【楼主位】vivalite
-----------------------------------------------------------------------
V版，感谢回复
对于第2点，我没有考虑到同步续流的问题，这可能跟控制对象的不同而不同吧
但是对于第3点，我认为只能在满足控制要求情况下，增大自举电容，否则只能使用电荷泵
第4点提到的那个电阻，我认为除了在自举电路情况下，帮助自举电容充电外，还有消除震荡的考虑，下面两个图是我仿真的结果：

无电阻结果 (原文件名:3.JPG)

有电阻结果 (原文件名:2.JPG)

电路图 (原文件名:1.JPG)
从图里可以看出，当没有电阻R4时，会在高端mos的s级产生振荡（中间的曲线），并且源极s的点位是高电压的一半，而加了电阻后可以让振荡快速衰减，具体原因我分析是由于感性器件（电机、电磁阀等）的自感电势引起，尽管已经作了续流，但是由于器件的特性仍然会造成这种现象，不知我分析的是否正确，请V版帮助分析一下。不过我在以前的试验中测试电磁阀两端电压时没有测到过这个振荡，现在有些困惑。
高端mos开启时Vgs的电压（图中上方曲线）保持还是很好的，刚开始时由于要给g极充电，所以会有短时跌落，随后很快上升。
图中下方曲线是线圈中电流值。
电路用的V版推荐的电荷泵，效果很好，再次感谢。

vivalite · 发表于 2010-1-13 00:02:01

回复【153楼】rocket2003
-----------------------------------------------------------------------
如果你驱动的是感性负载我还是建议同步续流，电流大的时候降低的上管发热量就明显了。
一般工业上的应用还是以上桥主动升压为主，这样避免了PWM不能为100%的弊病，降低了开关损耗(100%PWM)。

做模拟的时候如果没有加你的R4，我也观察到Vgs的震荡，但远没有你模拟出来的厉害，我比较怀疑是你的模拟软件初始参数有些问题。实际试验中观察到的GS震荡在1V以下时间短基本等于上管的体二级管反向导通恢复时间。我觉得这个现象出现是正常的，上管改变电流导通方向需要一段时间，在上管未恢复之前由电感产生的反电动势无处释放便会通过MOS寄生电容和GS电容部分耦合到G级，不过G级有放电用的三极管，可以保证上管不会误开启。加了R4以后反电动势的峰值从R4分流入地，G级上耦合到的电压就更小了。实际功率MOS管的VGH(th)都在2V左右，只要干扰低于这个值就不会有误开启的问题。R4会浪费电还会增加布线难度，所以除非使用传统自举电容否则最好去掉。

nano · 发表于 2010-1-23 15:59:01

其实就是个电荷泵。
做电机驱动不知道如何，做开关电源的H桥驱动却不可以。

vivalite · 发表于 2010-1-26 00:19:38

回复【155楼】nano 纳诺
其实就是个电荷泵。
做电机驱动不知道如何，做开关电源的H桥驱动却不可以。
-----------------------------------------------------------------------

这个电路做20KHz左右驱动频率的电机驱动是没问题的。

xinzhi1986 · 发表于 2010-1-26 00:34:35

学习。。。。。

nano · 发表于 2010-1-28 11:02:05

回复【156楼】vivalite
回复【155楼】nano 纳诺
其实就是个电荷泵。
做电机驱动不知道如何，做开关电源的H桥驱动却不可以。
-----------------------------------------------------------------------
这个电路做20KHz左右驱动频率的电机驱动是没问题的。
-----------------------------------------------------------------------

按VS=450V设计，你就知道了。
还有，开通时，对于米勒电容的充电，以及ZDP15的功率损耗都是限制高速的原因。还有有效占空比丢失（三极管的开关延迟）、C3上的损耗等等

vivalite · 发表于 2010-2-3 08:09:59

回复【158楼】nano 纳诺
回复【156楼】vivalite
回复【155楼】nano 纳诺
其实就是个电荷泵。
做电机驱动不知道如何，做开关电源的H桥驱动却不可以。
-----------------------------------------------------------------------
这个电路做20KHz左右驱动频率的电机驱动是没问题的。
-----------------------------------------------------------------------
按VS=450V设计，你就知道了。
还有，开通时，对于米勒电容的充电，以及ZDP15的功率损耗都是限制高速的原因。还有有效占空比丢失（三极管的开关延迟）、C3上的损耗等等
-----------------------------------------------------------------------

我只是说做低成本电机驱动是没问题的，做开关电源需要专业芯片。

sunzhaod · 发表于 2010-2-3 10:20:46

mark

haso2007 · 发表于 2010-2-3 10:55:56

mark

jinghui01 · 发表于 2010-2-8 15:25:46

这个方法的升压驱动以前也曾经运用过，记录一下！

chenfuen · 发表于 2010-2-9 10:31:49

留印。。。

asease416 · 发表于 2010-2-10 16:16:53

PWM可维持在100%？？

sdram · 发表于 2010-2-10 17:44:21

楼主能否给出一些典型指标？例如48V 3A时，上下MOS管的导通和关闭时间，以及其延时？

vivalite · 发表于 2010-2-10 22:56:53

回复【164楼】asease416
-----------------------------------------------------------------------

可以

回复【165楼】sdram
-----------------------------------------------------------------------

48V 3A开通和关断时间3微秒左右（STP75N75），延迟未测量但应该比集成H桥大，所以不推荐做开关电源应用。

crose0106 · 发表于 2010-2-22 18:50:20

mark

liuzhiy88 · 发表于 2010-2-23 11:35:05

回复【楼主位】vivalite
-----------------------------------------------------------------------
楼主的确高明啊，我现在有一个5A的直流电机要驱动，想用AVR单片机加放大来驱动，请问楼主有没有更简单的H桥驱动电路，最好有电路图，小弟谢谢了！

songxiang · 发表于 2010-2-23 15:49:53

记号

bd4sad · 发表于 2010-2-24 17:58:44

好贴，收藏

vivalite · 发表于 2010-2-25 00:21:27

回复【168楼】liuzhiy88
回复【楼主位】vivalite
-----------------------------------------------------------------------
楼主的确高明啊，我现在有一个5A的直流电机要驱动，想用AVR单片机加放大来驱动，请问楼主有没有更简单的H桥驱动电路，最好有电路图，小弟谢谢了！

-----------------------------------------------------------------------

找了一个：

(原文件名:onefet.gif)

R1 10K 1/4W
R2 10K 1/4W
R3 470 1/2W
R4 10K 1/4W
D1 1N4742A 12V 1W 稳压管
D2 ? 16A ?V 快恢复
Q1 MTH40N10 40A 100V MOSFET
Q2 2N3906
Q3 2N3904

12288144 · 发表于 2010-2-25 10:34:05

mark

cshx1986 · 发表于 2010-2-26 00:19:39

好好学习，天天向上

marty_f · 发表于 2010-3-1 21:37:34

好东西打个标记

Ben12345 · 发表于 2010-3-12 22:09:08

请问楼主，当信号端悬空的时候，G有可能误开启，是否需要加下拉电阻？另外关于死区保护，能否认为R2与C3构成积分电路使G极延时打开？

vivalite · 发表于 2010-3-18 12:12:23

回复【175楼】Ben12345
请问楼主，当信号端悬空的时候，G有可能误开启，是否需要加下拉电阻？另外关于死区保护，能否认为R2与C3构成积分电路使G极延时打开？
-----------------------------------------------------------------------

信号端不要悬空，否则确实可能误开启。如果想关闭相应的MOS管可以接到VCC+5V上。
R2和C3的用途主要是控制开启速度和增强抗干扰能力，如果一定需要死区保护功能用单片机来实现比较简便。

elsonx · 发表于 2010-4-2 08:31:10

mark

fakeige · 发表于 2010-4-2 08:44:11

mark

cx4359481 · 发表于 2010-4-4 15:15:24

mark

algebra · 发表于 2010-4-13 09:19:26

电荷泵电路

jielove2003 · 发表于 2010-4-14 10:20:56

好资料，学习了

richmat · 发表于 2010-4-16 11:37:30

好东东，以后经常来学习。

DIDADI · 发表于 2010-4-16 22:47:37

mark

dusir · 发表于 2010-4-17 11:29:20

好资料，谢谢楼主！
我的输入电压是DC140V，原来用2103驱动，偶尔爆MOSFET，很郁闷。请问楼主用这个电路的话，要做哪些改动呢？
由衷感谢！静候指教！

awfi · 发表于 2010-4-20 16:48:07

楼主,改成7.2V-9.V要怎么改啊.只要是想用来驱动遥控车的380电机.

awfi · 发表于 2010-4-22 12:03:05

楼主,如果电机是12V并在下桥加PWM,上桥可以用下桥的驱动电路吗?

yeutay · 发表于 2010-4-23 00:49:05

不是個好的設計:
1: Q15之BE難承受逆向;
改成D1直接反並BE,而 R2串聯AB腳。
2: C7 直通LM555-OUT也是承受不起48V逆向電压
或者電流。(新作也是同樣,12樓)
3:其它控端也是相同于2  ;雖無逆向過压,但都串接于射極(E)
  可能電流大,不知MCU有過電流否!
#以上缺失,由于是脈波PWM工作,零件不會立即壞掉,
  而是受損其壽命不長。
(对不起家里文書沒簡体字庫,去大陸玩那地陪也一直誇繁体字美觀,
但我比較認同非公文用簡体可以省时省手力)

vivalite · 发表于 2010-4-27 08:29:31

回复【184楼】dusir
好资料，谢谢楼主！
我的输入电压是DC140V，原来用2103驱动，偶尔爆MOSFET，很郁闷。请问楼主用这个电路的话，要做哪些改动呢？
由衷感谢！静候指教！
-----------------------------------------------------------------------

指教不敢当

我觉得连2103都爆的话还是先检查一下你的电路/布线为佳，可能和布线有关。。。。

vivalite · 发表于 2010-4-27 08:49:52

回复【185楼】awfi
楼主,改成7.2V-9.V要怎么改啊.只要是想用来驱动遥控车的380电机.

-----------------------------------------------------------------------

N-MOS的开启条件是栅极电位大于源级2V左右，但电位差不达到10V MOS管还是达不到最小导通电阻的。下桥的VM点要给升压后12V左右电压才能正常开通，但你的电源是7~9V，把下桥VM接到电源上可能下桥会有点热。改P-MOS可以适应低压设计，不过太麻烦了，不如你把电池改成12V的，这个电路基本就可以直接用了

vivalite · 发表于 2010-4-27 08:51:32

回复【186楼】awfi
楼主,如果电机是12V并在下桥加PWM,上桥可以用下桥的驱动电路吗?
-----------------------------------------------------------------------

不行，这是NMOS的驱动原理决定的，不可以代换

vivalite · 发表于 2010-4-27 09:59:40

回复【187楼】yeutay
不是個好的設計:
1: Q15之BE難承受逆向;
改成D1直接反並BE,而 R2串聯AB腳。
2: C7 直通LM555-OUT也是承受不起48V逆向電压
或者電流。(新作也是同樣,12樓)
3:其它控端也是相同于2  ;雖無逆向過压,但都串接于射極(E)
  可能電流大,不知MCU有過電流否!
#以上缺失,由于是脈波PWM工作,零件不會立即壞掉,
  而是受損其壽命不長。
(对不起家里文書沒簡体字庫,去大陸玩那地陪也一直誇繁体字美觀,
但我比較認同非公文用簡体可以省时省手力)
-----------------------------------------------------------------------
1.实验和大批量生产证明这个现象基本没发生过。虽说手册上Vbe不能大过-5V，但如果电流掌握得当不导致热击穿别说-5V了就连-50V都是没问题的。
2.电压不是问题，问题是电流。这种电路应用电流不会太大所以C7周边发热不会太厉害。（我承认会比较热，本文只是提供一个思路，由读者举一反三。我有个类似电路完全解决了发热问题但因为是职业作品所以就不能分享了）
3.过电流保护其实也不必担心。Q3发射级有限流电阻，开通电流只有2.3mA左右，4个MOS全开也只有9.2mA左右，低于一般MCU端口20mA的限制。
3.

paublo · 发表于 2010-5-1 14:25:15

好贴，mark

eleman · 发表于 2010-5-1 16:20:36

做个记号。。

smartzou · 发表于 2010-5-8 10:06:38

标记

aohuahua · 发表于 2010-5-16 01:02:30

mark

yangyi · 发表于 2010-5-16 07:26:23

学习了

xunpianzhen · 发表于 2010-6-5 13:00:19

这个有用，过会再看。

zhihaoa · 发表于 2010-6-6 00:09:42

mark

kouxiangtang · 发表于 2010-6-6 01:36:34

不错学习了！

zzjjhh250 · 发表于 2010-6-6 10:15:41

牛！实验室出的36kVA的功率放大器 IGBT驱动用的是自举驱动
记号一下再研究！

crazy_b-boy · 发表于 2010-6-6 21:33:10

好东西