功率mosfet驱动问题
这里都是对电源方面有兴趣的,做项目有一个问题请大家看看打算用处理器pwm输出驱动功率mosfet进行电流控制
pwm周期500khz,mcu io是3.3v的
如何驱动mosfet?
单个三极管反相器恐怕关断时间太长,推挽应该够快,但是3.3v如何驱动推挽电路?mosfet的栅极开启电压一般都需要高于3.3v的
想用尽可能简单的分立元件来做,专用的驱动器就不考虑了 你可以推挽前面加一级三极管接口,这样就可以推挽用十几V供电,然后也能很好的驱动MOS管了 http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_30/ourdev_568288TL9BYE.jpg
典型的电平转换+图腾柱MOSFET驱动电路 (原文件名:totem-pole.jpg) 回复【楼主位】leacom
这里都是对电源方面有兴趣的,做项目有一个问题请大家看看
打算用处理器pwm输出驱动功率mosfet进行电流控制
pwm周期500khz,mcu io是3.3v的
如何驱动mosfet?
单个三极管反相器恐怕关断时间太长,推挽应该够快,但是3.3v如何驱动推挽电路?mosfet的栅极开启电压一般都需要高于3.3v的
想用尽可能简单的分立元件来做,专用的驱动器就不考虑了
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不知楼主分辨率多少?如果8位的话则时钟起码要500K*256 = 128Mhz
另外500Khz的PWM驱动电路应该不是普通推挽能做到吧,可以参考MICROCHIP的TC4427之类的驱动电路(速度也不一定能胜任)
如果是频率是几十K数量级的话,2楼的电路是可以参考使用的。 回复【3楼】Elex 阿甘
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如果不考虑体积因素,2楼的电路Q1用2N2222,Q2/Q3用D882/B772,驱动电流可以>2A,跑500kHz很轻松。
频率低的话Q1用2N3904,Q2/Q3用8050/8550就可以了。 谢谢ls各位的回复
2楼的电路我也考虑过,不过有一点不是很确定
图中用Q1+R1去推动后面的推挽电路,可是Q1+R1本身开关速度不会有问题吗,不就是Q1从导通到关断的时间太慢才考虑用推挽的吗
现在用这个不满足要求的电路去驱动推挽怎么又可以了呢
另外请问gzhuli,R3是为了减小Q1的饱和深度吗 要高速有专用驱动。拿个废旧主板。能拆很多的。 2楼的图应该可以的,三极管搭的电路,只要选型合适,带宽可以很高的。 同问,R3在这里的作用是什么?是为了防目Q1进入深度饱和吗? lz,用什么芯片能产生 500k 的pwm呢,我想知道,谢谢啦。 回复【8楼】xjmlfm1
同问,r3在这里的作用是什么?是为了防目q1进入深度饱和吗?
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R3应该是防止驱动前端悬空时易引入干扰而使Q1误导通,还可以加快Q1的关断速度。 先留个名 回复【9楼】lindianfeng
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想用lm3s的pwm驱动,分辨率不高,只要100就可以了 stm32能产生 500k 的pwm吗?谁知道呢,如果能,我就搞stm32啦,谢谢! 2楼的图我觉得达不到500K,就算达到了前后沿应该不怎么陡峭,会产生额外发热的。
第一级电平变换我觉得只能胜任低速环境。 该电路在30K一下应该还是没有什么问题的。 回复【4楼】gzhuli 咕唧霖
回复【3楼】elex 阿甘
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如果不考虑体积因素,2楼的电路q1用2n2222,q2/q3用d882/b772,驱动电流可以>2a,跑500khz很轻松。
频率低的话q1用2n3904,q2/q3用8050/8550就可以了。
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不知lz 什么单片机可以跑500k的 pwm?
谢谢啊!正需要这样的测试,有空搭个电路试试!
需要用什么型号的mosfet,怎么接呢? 学习了 学习,楼主做得怎么样了? 不知楼主分辨率多少?如果8位的话则时钟起码要500k*256 = 128mhz
另外500khz的pwm驱动电路应该不是普通推挽能做到吧,可以参考microchip的tc4427之类的驱动电路(速度也不一定能胜任)
如果是频率......
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正解。
三极管如果不加以适当的偏置直接工作在开关状态,即使几十KHz的频率在占空比0%和100%附近是粘滞的。即使进行了适当的偏置,也很难达到500KHz,我是指在500K的情况下调整PWM比例范围太窄。另外MOSFet栅电容在高频下驱动也是很麻烦的,为什么专门的驱动IC都要有几安的输出能力大概就是因为这个吧,栅极波形不好带来的后果很严重。所以除了在硬件上下功夫以外,PWM信号避开两端的“死区”也是有必要的。 mark mark ---2楼的电路Q1用2N2222,Q2/Q3用D882/B772,驱动电流可以>2A,跑500kHz很轻松---
请问能承受负载电流是多大? 有高手,赶紧学习! 学习了! MOS管要图腾柱驱动的,主要考虑是驱动电流以及关闭时候的泄放 学习了~~~ 楼主,一般的开关电源MOSFET的开关频率为30~60KHz,那是硬开关开关电源。
硬开关电源的开关频率做到100KHz以上,就很难解决MOSFET发热严重的问题,效率低下。
软开关电源的开关频率一般为200KHz到1MHz。
楼主用MCU产生PWM,好像不是要做软开关吧,为什么要取500KHz的PWM呢? 为什么要取500KHz的PWM呢?
回复【27楼】jing43
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同问,没目标很难对症。 500KHz???这不到了D类音频功放的调制频率了……压力很大 顶.做记号 对于2楼的电路我个疑问, 这个电路out应该就是接mosfet的栅极了,这样的话如果想关断mosfet的话输入端就必须要保持高电平, 那么这样的话R1跟Q1就形成一个回路,一直有20多毫安的电流,这样会不会太费电?
另外一个是通常来说PWM信号的占空比应该跟输出成正比还是成反比的?这个电路PWM信号的占空比跟输出是成正比的,请问这样符合一般的使用习惯吗? 回复【2楼】gzhuli 咕唧霖
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请问您是OUT接栅极,源级接地吗??? mark 回复【10楼】kdtcf 春风
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也就是让Q1中结电容的电能释放掉吗? 可以试下ADI的带隔离方式GATE DRIVER芯片ADUM1230,隔离承受电压可以达到2.5KV,驱动电流0.1A详细的资料如下
点击此处下载 ourdev_673825RKD7IL.pdf(文件大小:474K) (原文件名:ADUM1230.pdf)
如有需要样品,可以和我联系:
jack.cai@arrowasia.com IR21xx Series 也不错 IR21XX隔离不大好,要是发生烧管的话,很容易被烧的。 MOSFET DRIVE 学习了。 回复【10楼】kdtcf 春风
回复【8楼】xjmlfm1
同问,r3在这里的作用是什么?是为了防目q1进入深度饱和吗?
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r3应该是防止驱动前端悬空时易引入干扰而使q1误导通,还可以加快q1的关断速度。
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正解 mark 明白了R3的作用.. 学习了!!!!!!!! 路过旧帖,看一看学习学习 mark! 学习了
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