功率mosfet驱动问题

leacom · 发表于 2010-7-16 22:35:54

这里都是对电源方面有兴趣的，做项目有一个问题请大家看看

打算用处理器pwm输出驱动功率mosfet进行电流控制
pwm周期500khz，mcu io是3.3v的
如何驱动mosfet？
单个三极管反相器恐怕关断时间太长，推挽应该够快，但是3.3v如何驱动推挽电路？mosfet的栅极开启电压一般都需要高于3.3v的
想用尽可能简单的分立元件来做，专用的驱动器就不考虑了

kdtcf · 发表于 2010-7-16 23:05:04

你可以推挽前面加一级三极管接口，这样就可以推挽用十几V供电，然后也能很好的驱动MOS管了

gzhuli · 发表于 2010-7-16 23:58:18

典型的电平转换+图腾柱MOSFET驱动电路 (原文件名:totem-pole.jpg)

Elex · 发表于 2010-7-17 00:29:28

回复【楼主位】leacom
这里都是对电源方面有兴趣的，做项目有一个问题请大家看看
打算用处理器pwm输出驱动功率mosfet进行电流控制
pwm周期500khz，mcu io是3.3v的
如何驱动mosfet？
单个三极管反相器恐怕关断时间太长，推挽应该够快，但是3.3v如何驱动推挽电路？mosfet的栅极开启电压一般都需要高于3.3v的
想用尽可能简单的分立元件来做，专用的驱动器就不考虑了
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不知楼主分辨率多少？如果8位的话则时钟起码要500K*256 = 128Mhz
另外500Khz的PWM驱动电路应该不是普通推挽能做到吧，可以参考MICROCHIP的TC4427之类的驱动电路（速度也不一定能胜任）
如果是频率是几十K数量级的话，2楼的电路是可以参考使用的。

gzhuli · 发表于 2010-7-17 01:15:53

回复【3楼】Elex 阿甘
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如果不考虑体积因素，2楼的电路Q1用2N2222，Q2/Q3用D882/B772，驱动电流可以>2A，跑500kHz很轻松。
频率低的话Q1用2N3904，Q2/Q3用8050/8550就可以了。

leacom · 发表于 2010-7-17 09:08:26

谢谢ls各位的回复
2楼的电路我也考虑过，不过有一点不是很确定
图中用Q1+R1去推动后面的推挽电路，可是Q1+R1本身开关速度不会有问题吗，不就是Q1从导通到关断的时间太慢才考虑用推挽的吗
现在用这个不满足要求的电路去驱动推挽怎么又可以了呢
另外请问gzhuli，R3是为了减小Q1的饱和深度吗

lsea · 发表于 2010-7-17 09:46:09

要高速有专用驱动。拿个废旧主板。能拆很多的。

jpchen · 发表于 2010-7-17 10:02:21

2楼的图应该可以的，三极管搭的电路，只要选型合适，带宽可以很高的。

xjmlfm1 · 发表于 2010-7-17 11:19:35

同问，R3在这里的作用是什么？是为了防目Q1进入深度饱和吗？

lindianfeng · 发表于 2010-7-17 12:44:20

lz，用什么芯片能产生 500k 的pwm呢，我想知道，谢谢啦。

kdtcf · 发表于 2010-7-18 10:56:07

回复【8楼】xjmlfm1
同问，r3在这里的作用是什么？是为了防目q1进入深度饱和吗？
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R3应该是防止驱动前端悬空时易引入干扰而使Q1误导通，还可以加快Q1的关断速度。

DSP_2812 · 发表于 2010-7-18 10:58:19

先留个名

leacom · 发表于 2010-7-18 11:51:35

回复【9楼】lindianfeng
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想用lm3s的pwm驱动，分辨率不高，只要100就可以了

lindianfeng · 发表于 2010-7-18 13:52:26

stm32能产生 500k 的pwm吗？谁知道呢，如果能，我就搞stm32啦，谢谢！

qilujie · 发表于 2010-8-8 12:28:45

2楼的图我觉得达不到500K，就算达到了前后沿应该不怎么陡峭，会产生额外发热的。
第一级电平变换我觉得只能胜任低速环境。

lixin91985 · 发表于 2010-8-16 17:14:17

该电路在30K一下应该还是没有什么问题的。

isbit · 发表于 2010-10-24 10:54:45

回复【4楼】gzhuli 咕唧霖
回复【3楼】elex 阿甘
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如果不考虑体积因素，2楼的电路q1用2n2222，q2/q3用d882/b772，驱动电流可以>2a，跑500khz很轻松。
频率低的话q1用2n3904，q2/q3用8050/8550就可以了。
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不知lz 什么单片机可以跑500k的 pwm？
谢谢啊！正需要这样的测试，有空搭个电路试试！
需要用什么型号的mosfet，怎么接呢？

03024003 · 发表于 2010-10-24 23:36:00

学习了

isbit · 发表于 2010-10-29 16:44:09

学习，楼主做得怎么样了？

qilujie · 发表于 2010-11-14 10:20:45

不知楼主分辨率多少？如果8位的话则时钟起码要500k*256 = 128mhz
另外500khz的pwm驱动电路应该不是普通推挽能做到吧，可以参考microchip的tc4427之类的驱动电路（速度也不一定能胜任）
如果是频率......
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正解。
三极管如果不加以适当的偏置直接工作在开关状态，即使几十KHz的频率在占空比0%和100%附近是粘滞的。即使进行了适当的偏置，也很难达到500KHz，我是指在500K的情况下调整PWM比例范围太窄。另外MOSFet栅电容在高频下驱动也是很麻烦的，为什么专门的驱动IC都要有几安的输出能力大概就是因为这个吧，栅极波形不好带来的后果很严重。所以除了在硬件上下功夫以外，PWM信号避开两端的“死区”也是有必要的。

lyzhangxiang · 发表于 2010-11-14 11:08:38

mark

litchiate · 发表于 2010-11-14 20:44:58

mark

isbit · 发表于 2010-11-22 10:06:08

---2楼的电路Q1用2N2222，Q2/Q3用D882/B772，驱动电流可以>2A，跑500kHz很轻松---

请问能承受负载电流是多大？

hymculolo · 发表于 2010-11-22 11:14:16

有高手，赶紧学习！

wukaka · 发表于 2011-4-7 20:15:29

学习了！

god-father · 发表于 2011-4-7 21:12:55

MOS管要图腾柱驱动的，主要考虑是驱动电流以及关闭时候的泄放

ledatou · 发表于 2011-4-7 21:15:53

学习了~~~

jing43 · 发表于 2011-4-7 21:49:36

楼主，一般的开关电源MOSFET的开关频率为30~60KHz，那是硬开关开关电源。

硬开关电源的开关频率做到100KHz以上，就很难解决MOSFET发热严重的问题，效率低下。

软开关电源的开关频率一般为200KHz到1MHz。

楼主用MCU产生PWM，好像不是要做软开关吧，为什么要取500KHz的PWM呢？

hawkflyking · 发表于 2011-4-7 22:11:16

为什么要取500KHz的PWM呢？

回复【27楼】jing43
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同问，没目标很难对症。

rj44444 · 发表于 2011-4-16 15:37:09

500KHz？？？这不到了D类音频功放的调制频率了……压力很大

boming · 发表于 2011-4-27 01:04:03

顶.做记号

cemi · 发表于 2011-5-17 10:06:29

对于2楼的电路我个疑问，这个电路out应该就是接mosfet的栅极了，这样的话如果想关断mosfet的话输入端就必须要保持高电平，那么这样的话R1跟Q1就形成一个回路，一直有20多毫安的电流，这样会不会太费电？

另外一个是通常来说PWM信号的占空比应该跟输出成正比还是成反比的？这个电路PWM信号的占空比跟输出是成正比的，请问这样符合一般的使用习惯吗？

s15200380596 · 发表于 2011-8-23 10:14:32

回复【2楼】gzhuli 咕唧霖
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请问您是OUT接栅极，源级接地吗？？？

xjsevenxy · 发表于 2011-8-29 10:30:32

mark

jamesguo37 · 发表于 2011-9-3 08:51:51

回复【10楼】kdtcf 春风
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也就是让Q1中结电容的电能释放掉吗？

dgitlover02 · 发表于 2011-9-3 21:56:30

可以试下ADI的带隔离方式GATE DRIVER芯片ADUM1230，隔离承受电压可以达到2.5KV，驱动电流0.1A详细的资料如下

点击此处下载 ourdev_673825RKD7IL.pdf(文件大小:474K) (原文件名:ADUM1230.pdf)

如有需要样品，可以和我联系：
jack.cai@arrowasia.com

www1519 · 发表于 2011-9-3 22:13:26

IR21xx Series 也不错

dgitlover02 · 发表于 2011-9-3 22:17:41

IR21XX隔离不大好，要是发生烧管的话，很容易被烧的。

a___yue · 发表于 2012-2-21 01:05:09

MOSFET DRIVE

tiandao315 · 发表于 2012-2-21 08:21:35

学习了。

JSXA · 发表于 2012-2-21 09:02:10

回复【10楼】kdtcf 春风
回复【8楼】xjmlfm1
同问，r3在这里的作用是什么？是为了防目q1进入深度饱和吗？
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r3应该是防止驱动前端悬空时易引入干扰而使q1误导通，还可以加快q1的关断速度。
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正解

saberyun · 发表于 2012-2-21 12:21:11

mark

yalihendaya · 发表于 2012-2-27 16:51:48

明白了R3的作用..

四川李工 · 发表于 2013-12-19 21:45:12

学习了！！！！！！！！

skylinyk · 发表于 2013-12-31 14:09:48

路过旧帖，看一看学习学习

hopefly2 · 发表于 2014-2-24 09:45:25

mark！学习了

功率mosfet驱动问题

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