懂双向可控硅的大侠进，求教TRIAC与负载的连接方式
各位大侠：下图有两种连接方式，
第一种是负载接至TRIAC的T1
第二种是负载接至TRIAC的T2
目前我们试验，这两种方式都是可以用的。
但是看很多资料，负载的接法都是采用第二种连接方式。
由于我们是多个TRIAC控制多个大功率负载。并且是用一块铝制散热片来散热。由于T2是这样的
因此不能用连接方式2来作
请问这两种方式都可以吗？
下图是瑞萨半导体的PDF截图
附：瑞萨关于双向可控硅的官方文档。中文的，写得还不错。
只要满足可控硅的象限，应该都可以 电路1我也经常用的 双向可控硅没有方向吧～ lgg88 发表于 2013-6-29 16:54 static/image/common/back.gif
电路1我也经常用的
谢谢您的回复。心里有底了。TKS.{:handshake:} 可以用的。
PCBBOY1991 发表于 2013-6-29 18:24 static/image/common/back.gif
双向可控硅没有方向吧～
嗯。是电流正反向都能通过。按道理我这两图都能用。但又怕万一。所以才请了解的牛人掌掌眼。{:titter:} 都能用，我两种都用过 以下帖可能对楼主有帮助
http://www.amobbs.com/thread-4199439-1-1.html 第一种接法在可控硅没导通前，负载上不带电,更安全些？
个人猜测，理论上应该如此。 zyyn123 发表于 2013-6-29 20:38 static/image/common/back.gif
以下帖可能对楼主有帮助
http://www.amobbs.com/thread-4199439-1-1.html
谢谢ZYYN123的回复{:handshake:} 。。看来瑞萨官方的图是正确的。
根据您提供的URL。我把里边的结果贴出来。方便其它查看这个帖子的人。{:victory:}
http://www.amobbs.com/thread-4199439-2-1.html 第43楼和50楼（50楼的描述是对的）给出了答案：负载要放在T2端，G和T1耐压较低，容易击穿损坏
wukongli 发表于 2013-6-29 23:04 static/image/common/back.gif
第一种接法在可控硅没导通前，负载上不带电,更安全些？
个人猜测，理论上应该如此。 ...
{:titter:} 跟我的想法一致啊。哈哈。{:handshake:} ，我见我们控制日光灯的开关就是控制火线，而不是控制零线。
刚刚看帖子，ZYYN123大湿给了一个贴子。我去看子一下。结论是：T1和G之间的耐压低。易击穿。故而负载应接至T2. sheant 发表于 2013-6-29 19:25 static/image/common/back.gif
都能用，我两种都用过
3Q,我的两种方式试验也都可以（都是阻性负载）。
ZYYN123给了一个网址。http://www.amobbs.com/thread-4199439-2-1.html 第43楼和50楼（50楼的描述是对的）给出了答案：负载要放在T2端，G和T1耐压较低，容易击穿损坏
看来。负载接至T2还是有讲究的。 首先要明确一个问题，就是哪个是T1，那个是T2？
左边的是T1?或者说是与G形成触发电流的是T1？
这样说来，我们都是把负载接到T2了。
但是这个本身是串联的，T1,T2都一样吧。
另外很多情况下，击穿是因为G的原因吧。我们用第二，三相限触发的情况下，负载肯定是接T2了。但是用第一，三相限的情况下，应该差不多了，尤其是使用光耦的那种触发方式，对于G来说存在较高的DV/DT，或许会有一点影响吧。 关于T1和G之间耐压较低，我不能理解，T1和G之间是呈现电阻特性的，阻值几十欧姆到上百欧姆不等（可能与触发电流大小有关）。既然不是一个需要关断的地方，何来耐压之说？
mark 本帖最后由 JQ_Lin 于 2013-7-5 11:45 编辑
chensi007 发表于 2013-6-30 08:51 static/image/common/back.gif
3Q,我的两种方式试验也都可以（都是阻性负载）。
ZYYN123给了一个网址。http://www.amobbs.com/thread-41 ...
http://www.amobbs.com/thread-4199439-2-1.html 第43楼和50楼（50楼的描述是对的）给出了答案：负载要放在T2端，G和T1耐压较低，容易击穿损坏
看来。负载接至T2还是有讲究的。
负载放在T1端，还是放在T2端，是要根据实际应用条件来确定的。
注意我在那个帖子里的补充和修正，避免被误导。
xiaobendan001 发表于 2013-6-30 09:03 static/image/common/back.gif
关于T1和G之间耐压较低，我不能理解，T1和G之间是呈现电阻特性的，阻值几十欧姆到上百欧姆不等（可能与触发 ...
你的理解是正确的。
JQ_Lin 发表于 2013-7-5 11:37 static/image/common/back.gif
你的理解是正确的。
这个问题我咨询过我的供应商那边的技术了，她说有这个说法，但是什么原理也说不上来。
如果真的是这样的话，我猜想的可能是T2+T1-的情况下耐压高，而反过来耐压低，之前我买过别家的可控硅，是有这种现象的，只是楼主说错了。
或者当感性负载时，如果接T1，那么比较容易失控，原因是负载产生的电动势直接作用于T1，很容易和G之间产生电流而触发可控硅吧。也不知道对不对，其实相对来说接T2也有同样问题
但是我之前使用光耦触发可控硅的时候，接感性负载时的确会失控，需要加RC回路才行，但是对于功率很小又电感量很大的负载，对于RC的值，很难决定。 大哥我看你的《懂双向可控硅的大侠进，求教TRIAC与负载的连接方式》我想问一下！！ 你第一个连接方式中 是用DC5V控制可控硅导通双向可控硅导通交流电
bigwudan 发表于 2013-7-13 12:16 static/image/common/back.gif
大哥我看你的《懂双向可控硅的大侠进，求教TRIAC与负载的连接方式》我想问一下！！ 你第一个连接方式中 是 ...
dc5v控制光耦，由光耦另一侧触发双向可控硅。下载MOC3021的DATA SHEET就明白啦。这货专用于驱动可控硅的。{:3_63:} chensi007 发表于 2013-7-13 13:32 static/image/common/back.gif
dc5v控制光耦，由光耦另一侧触发双向可控硅。下载MOC3021的DATA SHEET就明白啦。这货专用于驱动可控硅的 ...
谢谢！！ 我只是想知道！！！ 我一直供电DC 5v,然后 可控硅就一直 导通交流吧！！！ 我断开DC5v 然后 交流就不导通啦吧！我想做个交流电的开关！ bigwudan 发表于 2013-7-13 16:05 static/image/common/back.gif
谢谢！！ 我只是想知道！！！ 我一直供电DC 5v,然后 可控硅就一直 导通交流吧！！！ 我断开DC5v 然后 交 ...
是这个样子的。使光耦通电。双向可控硅会自动导通。断开5V，双向可控硅不导通。 chensi007 发表于 2013-7-13 16:11 static/image/common/back.gif
是这个样子的。使光耦通电。双向可控硅会自动导通。断开5V，双向可控硅不导通。 ...
谢谢 你的耐心讲解！！我还有个问题！！ 这里BAT212控制极 触发条件 是什么？ 我下啦一个PDF,我看的不明白
Tgt Vgt是不是分别代表 门极触发电流和电压！！ 但是Vgt最大值 怎么没有写？ 还有Vd是啥子意思？
谢谢 我也在困惑呢，再重前面开始看一遍吧 mark , 学习下
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