qustxujun 发表于 2013-12-26 09:03:52

PWM控制N沟道MOSFET驱动半导体制冷片电路

本帖最后由 qustxujun 于 2013-12-26 09:06 编辑



PWM控制N沟道MOSFET驱动半导体制冷片电路
PWM采用STM32单片机TIM3产生,2KHZ,实际测量负载两端波形良好,但MOSFET有发热现象。MOSFET采用NTP125NO2R
那位大侠能给分析下原因,不胜感激。

制冷片电流8A左右。

lcw_swust 发表于 2013-12-26 09:24:23

本帖最后由 lcw_swust 于 2013-12-26 09:25 编辑

1.降低PWM频率
2.减小MOS管门极的上升、下降时间:
R19、R23短接、减小R24,或加推挽驱动(如MIC4420)

qustxujun 发表于 2013-12-29 09:59:53

lcw_swust 发表于 2013-12-26 09:24
1.降低PWM频率
2.减小MOS管门极的上升、下降时间:
R19、R23短接、减小R24,或加推挽驱动(如MIC4420) ...

非常感谢,我吧R19,R23短接,R24换成102,上升沿由10US降为6US,下降沿由20US降为6US,但MOS还是有些发烫

mangoes 发表于 2013-12-29 10:14:58

最近帮一个做半导体空调的公司做控制器 ,他们说用pwm控制的话本来5~6年的寿命会变成1~2年的

kebaojun305 发表于 2013-12-29 10:18:34

本帖最后由 kebaojun305 于 2013-12-29 10:22 编辑

驱动电流不够 你应该测试MOS G极的波形 还的测试D极的波形 是否有脉冲

qustxujun 发表于 2013-12-29 10:43:52

kebaojun305 发表于 2013-12-29 10:18
驱动电流不够 你应该测试MOS G极的波形 还的测试D极的波形 是否有脉冲

D级的波形侧着还是不错的



G级原来R24为1K测得的波形

改为510欧测得的波形

下面是直接测量负载得到的波形

qustxujun 发表于 2013-12-29 10:51:48

mangoes 发表于 2013-12-29 10:14
最近帮一个做半导体空调的公司做控制器 ,他们说用pwm控制的话本来5~6年的寿命会变成1~2年的 ...

我也咨询过一些厂家,确实是说利用PWM开关控制半导体制冷片会影响其使用寿命。他们建议开关速度大于2秒。
单有的国外文献说可以
http://www.sensorsmag.com/electronics-computers/consumer/your-helpful-guide-thermoelectric-cooler-993



不知道您是怎么实现的,我现在也是用在一个需要恒温的场合,有兴趣我们可以交流一下。

kebaojun305 发表于 2013-12-29 13:29:26

本帖最后由 kebaojun305 于 2013-12-29 13:32 编辑

你的MOS管型号 俺搜不到任何信息,还有你的发热 有严重。

SevenLiu 发表于 2013-12-29 13:40:00

至少需要个续流二极管吧?

qustxujun 发表于 2013-12-29 13:46:05

SevenLiu 发表于 2013-12-29 13:40
至少需要个续流二极管吧?

这个不是感性元件,应该不用吧

pspice 发表于 2013-12-29 13:47:32

用过TI的DRV591:http://www.ti.com.cn/product/cn/drv591&lpos=Middle_Container&lid=Alternative_Devices
看看适合你不。这个也是PWM的,不过实际加在TEC上的还是直流,PWM出来用LC了。

qustxujun 发表于 2013-12-29 13:49:04

kebaojun305 发表于 2013-12-29 13:29
你的MOS管型号 俺搜不到任何信息,还有你的发热 有严重。

http://www.onsemi.cn/PowerSolutions/product.do?id=NTX110N02R

SevenLiu 发表于 2013-12-29 13:50:25

我认为即使是阻性负载,也加个好点。电线接线也有电感成分。安全第一。

qustxujun 发表于 2013-12-29 13:54:18

SevenLiu 发表于 2013-12-29 13:50
我认为即使是阻性负载,也加个好点。电线接线也有电感成分。安全第一。

您指的续流二极管加在哪?这个MOSFET内部其实有反向二极管的

qustxujun 发表于 2013-12-29 14:13:36

pspice 发表于 2013-12-29 13:47
用过TI的DRV591:http://www.ti.com.cn/product/cn/drv591&lpos=Middle_Container&lid=Alternative_Devices ...

谢谢,我看这个芯片的资料了,他需要的外围电路挺多的,并且需要两个功率电感。我的线路板空间太有限了,并且是两片并联用的

mhw 发表于 2013-12-29 14:16:40

DC/DC同步降压,效率就没问题了,寿命也不影响了……因为输出的是恒流

pspice 发表于 2013-12-29 14:40:11

发个我画过的DRV591的布线截图,我感觉这东西挺好的,布线可以参考。空间有限的话可以考虑把电感放另一面。

qustxujun 发表于 2013-12-29 17:00:48

pspice 发表于 2013-12-29 14:40
发个我画过的DRV591的布线截图,我感觉这东西挺好的,布线可以参考。空间有限的话可以考虑把电感放另一面。 ...

嗯,好的,非常感谢。

fyh0629 发表于 2013-12-29 19:06:24

发热量大,可以考虑更换MOS,或者并联MOS管,我做空调调速模块的,公司德国总部的产品,基本上都是并联两个mos。

qustxujun 发表于 2014-1-7 14:30:30


感谢大家对先前硬件的改进帮助,http://www.amobbs.com/thread-5564443-1-1.html
收益匪浅,最终方案还是将软件PID部分进行了修改,使用定时器开启8S周期的PWM波,最低每2S一个开关
周期。
http://www.amobbs.com/thread-5565843-1-1.html

hopefly2 发表于 2014-2-24 09:41:41

mark! 学习了

freshuman 发表于 2014-3-9 14:39:33

发热二个原因:
1:电流大,内阻产生热能就大,可以考虑并二个管子使用
2:驱动电压低,导致管子内阻大,可以考虑最大的驱动电压

default 发表于 2014-7-8 22:45:26

改用低开启电压的MOS管,譬如STP3055L2(UGSth=0.7V,IGS=18A),可直接接到STM32引脚上

xiaoguo1 发表于 2014-11-4 00:24:47

pspice 发表于 2013-12-29 14:40
发个我画过的DRV591的布线截图,我感觉这东西挺好的,布线可以参考。空间有限的话可以考虑把电感放另一面。 ...

有没有能经过更大电流的和这个芯片类似的芯片呢?

片羽之神 发表于 2015-3-25 15:07:55

PWM到底会不会影响制冷片的寿命啊!

fiddly 发表于 2015-11-21 19:13:31

pspice 发表于 2013-12-29 14:40
发个我画过的DRV591的布线截图,我感觉这东西挺好的,布线可以参考。空间有限的话可以考虑把电感放另一面。 ...

您好,你这个LC的参数,pwm频率是多少KHz的?

tangk 发表于 2016-3-19 23:49:08

并联使用mos管控制比较麻烦把

zhiwei 发表于 2016-3-20 12:51:17

硬开关固有开关损坏,再就是你驱动电路设计一般虽说驱动频率不大,但是上升下降速度还是慢了。

yangzi8000 发表于 2017-10-18 08:23:34

mark。。。pwn

dengxiaofeng 发表于 2017-10-18 08:29:05

我们 一直都是整成 直流 再驱动

maomao2016 发表于 2019-5-17 07:28:12

tec 加热 mark

hzpyl 发表于 2019-5-17 07:34:55

PWM开关控制半导体制冷片会影响其使用寿命

可以调整12V电源电压,来控制

hellokv1688 发表于 2019-5-18 08:37:40

MARK,学习了!

renjun_EMbest 发表于 2019-6-11 16:53:23

mark。。。
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