谁能帮解释场效应管的这种接法？
在论坛的一个帖子里看到场效应这个一个用法：防止电源反接的功能。但是有个地方不明白，以图中的NMOS来说，教科书都说，vgs>vth，沟道建立，自由电子从源级流向漏级（电流方向D到S），这是需要vds>0，但是图中衬底B显然是和S连到一块的，实际的电流方向是S到D,这是为何？和书上的说法不一样。 好好温习一下MOSFET的示意图{:sweat:}{:sweat:}{:sweat:} 好好温习一下MOSFET的示意图希望高手释疑：NMOS来说，教科书都说，vgs>vth，沟道建立，自由电子从源级流向漏级（电流方向D到S），这是需要vds>0，但是图中衬底B显然是和S连到一块的，实际的电流方向是S到D,这是为何？ 电源反接保护电路 电源反接保护电路是的，能讲讲NMOS为什么这样接吗？d和s反一下可以吗？我仿真时可以得 直接通过二极管导通了啊 wanyi 发表于 2016-5-17 09:14
是的，能讲讲NMOS为什么这样接吗？d和s反一下可以吗？我仿真时可以得
你自己看一下啊，NMOS的D和S反一下的话，内部二极管在电源接反的时候，就直接通过二极管进到电路中了，防反接就没意义了啊 {:sweat:}这个 不是拿 MOS 当二极管在用? mos 导通后 实际电流 可以 D到S 也可以S 到D都一样。 你自己看一下啊，NMOS的D和S反一下的话，内部二极管在电源接反的时候，就直接通过二极管进到电路中了，防反接就没意义了啊是的，我就是不理解：“教科书上讲，n沟道的管子导通后应该是D的电压比S高的，有了这个电场之后才能使的S的N（电子们）源源不断的流向D。 MOS管导通后，电流是可以双向流动的。不信你可以试下。 二极管画反了？ 本帖最后由 kebaojun305 于 2016-5-19 18:00 编辑
MOS导通后，ds之间是个电阻，交流也可以通过的。 沟道建立后电流是可以双向流动的，一般教科书确实没写 防反接电路，正接MOS管导通，将二极管短路，二极管不起作用，反接MOS截止，同时二极管反向阻断电流回路。 wanyi 发表于 2016-5-17 09:14
是的，能讲讲NMOS为什么这样接吗？d和s反一下可以吗？我仿真时可以得
寄生二极管的副作用导致一定不能反过来用；
相比于二极管，MOS管这时是内阻起作用，压降很小
给你一个 我自己用的电路 MOS导通后，电流是可以双向流通的；相同压差下，电流大小有点差别 wanyi 发表于 2016-5-19 10:21
是的，我就是不理解：“教科书上讲，n沟道的管子导通后应该是D的电压比S高的，有了这个电场之后才能使的S的 ...
MOSFET其實是個4端點元件. D,S兩端像是一個由電壓控制的可變電阻, 控制電壓是Vgb. 導通之後電流兩方向都可以流動, 由Vds決定. 沒說NMOS一定要從D流到S的. MOSFET其實是個4端點元件. D,S兩端像是一個由電壓控制的可變電阻, 控制電壓是Vgb. 導通之後電流兩方向都可以流動, 由Vds決定. 沒說NMOS一定要從D流到S的.这个解释好，导通后电流到底是那个方向由vds决定 就是隔离加防反接，防反接原理跟而二极管一样，这里可以把mos管当成二极管看待，至于为什么不用二极管，因为在饱和导通情况下，可以实现mos管ds压降很小，可以将VBAT几乎无损的传给负载，而二极管会有0.7V左右的压降s损耗。至于隔离作用在多电源输入的情况下作用很明显。比如，你在负载接一个5V的直流电源（假设VBAT为3.3V），VBAT就不给负载供电了，实现隔离效果。 ayumi8 发表于 2016-5-17 13:37
这个 不是拿 MOS 当二极管在用?
就是当二极管用 shuxuequan 发表于 2016-5-21 13:13
给你一个 我自己用的电路
我不明白第三个电路原理 ，假设PMOS导通，那么两个电阻分压是12V ，那么对于PMOS 不是关闭了吗？望指点 汪凯露露 发表于 2016-5-26 10:25
就是当二极管用
實際上跟二極管一點關係都沒有
楼上，算得上有关系。压降约为0的二极管 做了实验，确实如此，GS之间加了电压后，D-SS-D之间电流双向都可以自由流动，而且只有导通电阻，我用的2N7002，电流是从S流向D ，电流30mA，S-D压降20mV大概0.7欧姆
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