MOS管不同温度下为什么过流能力不一样?因为散热?
因为不同Tc下,发热,结温瞬时会超? MOS管有一种自动均流的功能,就是很多个MOS管并联,其中一个MOS管电流过大,会造成管子的温度升高,温度升高后RDS会增大,从而减小通过的电流,达到自动均流的目的。 半导体有热损坏的不可逆性,温度越高MOS管自身内阻会变大,若要保证流过相同的电流势必PN结处发热会增加,最后导致器件热损坏,所以需要在高温下减小流过其的电流 负温度系数的MOS管已经很少了,现在的都是正温度系数 electricdream 发表于 2018-4-23 15:22
半导体有热损坏的不可逆性,温度越高MOS管自身内阻会变大,若要保证流过相同的电流势必PN结处发热会增加, ...
谢谢 yjamdfhqjs 发表于 2018-4-23 15:13
MOS管有一种自动均流的功能,就是很多个MOS管并联,其中一个MOS管电流过大,会造成管子的温度升高,温度升 ...
结合4L就清楚了 散热,不同封装的散热效果不同 所有器件标注的最大电流, 归根结底就是温度原因,
只要你能够做到散热"非常非常好,例如1ns内散掉1KW热量",那么1nm的直径铜丝都可以通过1000A电流. 半导体器件都有一个可承受的最大结温,一般150度左右。环境温度越高,内外温差越小,热量更不容易散发出来,能承受的电流变小
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