PMOS驱动电机总是烧，帮忙看一下
原理图如下：电机是普通的直流电机，额定电流5A，接上去重启了一次MOS管就损坏了，应该是击穿了，电机一直转，关不了。
大家帮忙分析一下，该怎么改 感谢大家的指点，问题解决了，换了一个电流更大的MOS管 驱动芯片用的ULN2003，CP_DRV的电压是正常的，实际电源是26V 本帖最后由 lb0857 于 2019-6-25 08:20 编辑
电路画错了吗{:titter:}做产品,mos管驱动还是规规矩矩的来 DS用喊了吧 lb0857 发表于 2019-6-25 08:18
电路画错了吗做产品,mos管驱动还是规规矩矩的来 DS用喊了吧
用反了？没有吧，这是PMOS MOS管耐压 电流 余量不够吧，电机启动瞬间的电流起码是工作电流的5-10倍 WUWEWU 发表于 2019-6-25 08:32
MOS管耐压 电流 余量不够吧，电机启动瞬间的电流起码是工作电流的5-10倍
MOS管耐压55V，电流31A，实际电机额定电流5A，有问题吗这样？ PWM控制，还是常开常闭控制？ 常开常闭控制 重庆酱油仔 发表于 2019-6-25 08:58
PWM控制，还是常开常闭控制？
常开常闭控制 ZXF_CUG 发表于 2019-6-25 08:36
MOS管耐压55V，电流31A，实际电机额定电流5A，有问题吗这样？
这种驱动方式弊端很大，启动瞬间导致24V的电源拖低而引起震荡及半导通，建议你换成NMOS管 方式驱动，75NF75 CP_DRV前面是怎么样的？开漏管吗？R33和R32尽量小一点，减小管子开关切换过渡期的损耗，主要重视下GS的波形是否正常。 R32 R33 取值不合适吧，用 51k / 51k 看看。 superpaul 发表于 2019-6-25 09:40
CP_DRV前面是怎么样的？开漏管吗？R33和R32尽量小一点，减小管子开关切换过渡期的损耗，主要重视下GS的波形 ...
前面是ULN2003直接驱动的 为什么不用N管在低电位控制通断？ LM1876 发表于 2019-6-25 11:06
为什么不用N管在低电位控制通断？
N管和P管会有什么不同吗？ 21V 5串锂电，NMOS，额定2A电流的电机负载，你猜我MOS管用到多少耐压才不烧？足足用了100V的！建议你用示波器测量下开关电机的瞬间波形 ZXF_CUG 发表于 2019-6-25 11:37
N管和P管会有什么不同吗？
N管便宜，而且国产的也多，P管想要质量好的，还要用进口的，比如你用的IR公司的。 2003应该是开路输出吧，那就是只能拉低了。要关闭PMOS管还得靠R32，电阻值太大，关闭时间就长，功率管部分的损耗就大
电源端滤波用多大的？启动瞬间就损坏，得考虑上电冲击和控制逻辑。
P管控制感性负载，在R32位置并个10nF左右的小电容，相对于新手来说，可以大大降低损坏率 R32、R33换成1K、1K试试，可能是关闭时时间太长了，引起MOSFET热击穿。 你Z4用的是什么型号的稳压管？ 24V 5A
你用这个器件不合适把，再怎么样把体积换个大点的也好啊 加个续流二极管在电机正极和电源正极之间是否可以呢？个人不成熟意见，仅供参考
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