kevin_2020 发表于 2021-9-28 18:28:19

如何让PMOS+NPN控制24V电源的开关时,开关稳定?

AO3401+3904来控制24V电源端,开关处理,外接一个24V的继电器。但实际打样出来发现有以下现象:
1.刚开始几十次是符合设计要求的,高电平H,电源导通,低电平L,电源断开。
2.后面继续有不稳定的情况出现,高电平H,电源依然导通,低电平L,电源并不完全断开。测试电平L,有2.3V左右,电源端依然输出11V。

想请教各路大神,有没有优化的思路。谢谢!

qwe2231695 发表于 2021-9-28 18:52:39

测试电平L,有2.3V左右, 由于三极管有下拉电阻,改为浮空输入试试。 怀疑你的IO口坏了

wye11083 发表于 2021-9-28 19:30:48

qwe2231695 发表于 2021-9-28 18:52
测试电平L,有2.3V左右, 由于三极管有下拉电阻,改为浮空输入试试。 怀疑你的IO口坏了 ...

地线断了。。目测lz是杜邦线

larry.xu 发表于 2021-9-29 00:44:33

3904换2N7002试试

neqee 发表于 2021-9-29 02:05:54

本帖最后由 neqee 于 2021-9-29 02:09 编辑

按照日本鬼子的设计思维,应该在npn前面再加一个pnp,pnp的e级用单片机的电压供电c级再来个下拉,而且be级还加个0.1uf的电容和47k电阻,这样还有个好处是上电时mos不会瞬间导通,所以我们经常看到人家日本鬼子的电路做的很复杂,觉得很多是没必要可以省掉的,但人家做的东西就是好。

cloudxxcloud 发表于 2021-9-29 06:29:15

ao3401工作时候的温度是多少?

xwkj 发表于 2021-9-29 07:39:01

一般是开机瞬间mos过流发热烧了吧,换个电流大些mos试试

xuekcd 发表于 2021-9-29 07:41:51

用光耦耦耦

banyai 发表于 2021-9-29 07:47:00

3401耐压太低了,在24V时容易损坏,换2309之类的高耐压PMOS。

xyzabc 发表于 2021-9-29 08:09:26

本帖最后由 xyzabc 于 2021-9-29 08:13 编辑

是不是老眼昏花?满图没找到L在哪。不能确定问题在哪,但至少有一点应该是有问题的,导通时的Vgs=24*100/(100+27)=18.9V,看AO3401参数,Vgs额定值只有+-12V,建议R81和R86互换一下

thomascao 发表于 2021-9-29 08:21:02

alding123 发表于 2021-9-29 08:38:54

xyzabc 发表于 2021-9-29 08:09
是不是老眼昏花?满图没找到L在哪。不能确定问题在哪,但至少有一点应该是有问题的,导通时的Vgs=24*100/( ...

昨天看了也觉得这不对,考虑到自己水平还是不说了呵呵

akey3000 发表于 2021-9-29 09:24:12

楼上都很专业

howmoney 发表于 2021-9-29 10:29:12

这电路如果是我设计,直接Q18接CON23的2脚,24V接CON23的1脚

kevin_2020 发表于 2021-9-29 15:30:05

xyzabc 发表于 2021-9-29 08:09
是不是老眼昏花?满图没找到L在哪。不能确定问题在哪,但至少有一点应该是有问题的,导通时的Vgs=24*100/( ...

H/L意思是relay_CTL的高低电平,来自MCU。是的,这个Vgs电压没留意,谢谢

kevin_2020 发表于 2021-9-29 15:33:37

banyai 发表于 2021-9-29 07:47
3401耐压太低了,在24V时容易损坏,换2309之类的高耐压PMOS。

是,这个也是我担心的地方,谢谢

kevin_2020 发表于 2021-9-29 15:47:04

xyzabc 发表于 2021-9-29 08:09
是不是老眼昏花?满图没找到L在哪。不能确定问题在哪,但至少有一点应该是有问题的,导通时的Vgs=24*100/( ...

好的,我试试,谢谢

kevin_2020 发表于 2021-9-29 17:47:24

neqee 发表于 2021-9-29 02:05
按照日本鬼子的设计思维,应该在npn前面再加一个pnp,pnp的e级用单片机的电压供电c级再来个下拉,而且be级 ...

你好,你意思是这样子吗?

woniu888 发表于 2021-9-29 18:03:53

kevin_2020 发表于 2021-9-29 17:47
你好,你意思是这样子吗?

R84,也就是47K电阻,需要并联一个100nf的电容,这样可以软启动,不然AO3401很多坏的。

kevin_2020 发表于 2021-9-29 18:29:36

woniu888 发表于 2021-9-29 18:03
R84,也就是47K电阻,需要并联一个100nf的电容,这样可以软启动,不然AO3401很多坏的。 ...

好的,我试试,感谢

thomascao 发表于 2021-9-29 21:20:56

howmoney 发表于 2021-9-29 10:29
这电路如果是我设计,直接Q18接CON23的2脚,24V接CON23的1脚

是的,简单的事情搞的这么复杂了
直接Q18接CON23的2脚,24V接CON23的1脚,(三极管电流不够或放大倍数不够,上达林顿管就是了)
再在线圈上并个续流二极管,

qwe2231695 发表于 2021-9-29 22:00:44

解决了记得更新噢,这个应用很常见的

kevin_2020 发表于 2021-9-29 23:44:48

howmoney 发表于 2021-9-29 10:29
这电路如果是我设计,直接Q18接CON23的2脚,24V接CON23的1脚

我理解你的意思,但这个板子上,与其他电路通过短接帽来切换CO的输出,为了接线方便,才考虑控制它的电源端,而没有控制它的地端。

thomascao 发表于 2021-9-30 08:18:26

kevin_2020 发表于 2021-9-29 23:44
我理解你的意思,但这个板子上,与其他电路通过短接帽来切换CO的输出,为了接线方便,才考虑控制它的电源 ...

保证元件是好的情况下,把D24,R75在线路里的位置交换下,看看
按原图看,关闭瞬间线圈上的高压有机会损坏MOS管,三极管,甚至一直到MCU的IO口

ljx289 发表于 2022-10-9 17:03:33

如果GND被悬空了,情况会如何啊?

leeseel 发表于 2022-10-17 23:04:39

xyzabc 发表于 2021-9-29 08:09
是不是老眼昏花?满图没找到L在哪。不能确定问题在哪,但至少有一点应该是有问题的,导通时的Vgs=24*100/( ...
(引用自10楼)

国产的敢标,直接±20V{:lol:}

ibmx311 发表于 2022-10-18 06:34:45

用AQY272吧,最近开始用的感觉不错

albert_w 发表于 2022-10-18 08:11:23

ibmx311 发表于 2022-10-18 06:34
用AQY272吧,最近开始用的感觉不错
(引用自27楼)

价格不太友好吧

xuekcd 发表于 2022-10-18 10:25:57

看起来mos管穿了?

szxszx 发表于 2023-12-26 08:07:45

本帖最后由 szxszx 于 2023-12-26 08:31 编辑

AO3401的Vgs最大是±20V,此电路中,当三极管Q18导通时,Vgs是超过±20V

ghhuang 发表于 2023-12-26 09:32:12

szxszx 发表于 2023-12-26 08:07
AO3401的Vgs最大是±20V,此电路中,当三极管Q18导通时,Vgs是超过±20V
(引用自30楼)

换PMOS吧,2309都可以,用这个电路MOS的G极最好再加一个稳压二极管,不然时间久了PMOS还有可能会烧。

jinzhong0507 发表于 2024-1-23 21:25:11

你那个 10R 串的 让人 有点心痛啊

kebaojun305 发表于 2024-1-23 22:20:56

本帖最后由 kebaojun305 于 2024-1-23 22:23 编辑

D23 放到MOS Q16后面   MOS管本来就对电压敏感

zenghl 发表于 2024-1-24 11:13:06

楼主,应该是MOS管GS耐压不足击穿了,建议加个稳压管保护。

jaywen 发表于 2024-1-24 11:48:26

kebaojun305 发表于 2024-1-23 22:20
D23 放到MOS Q16后面   MOS管本来就对电压敏感
(引用自33楼)

二极管 放后面的好处是?这个二极管会影响到电压吗?

mainbp 发表于 2024-1-26 10:07:11

我用的电路和楼主的基本一样,是12v环境,vgs 6v。刚刚现场反馈坏了一块。现象是12直通。
准备在vgs加稳压管,输出加tvs。

tuy0326 发表于 2024-1-27 17:56:35

用AO4405试试

Joshua_Astray 发表于 2024-1-28 13:46:39

PMOS的GS之间需要加稳压二极管保护,而且需要并入一个小电容;前者是为了避免浪涌电压,后者是为了减缓开关速度,避免MOS开启瞬间冲击电流过大导致MOS管损坏
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