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MOSFET管IRFP460LC的工作点选择问题

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出0入0汤圆

发表于 2008-8-20 17:11:20 | 显示全部楼层 |阅读模式

(原文件名:4.JPG)


(原文件名:1.JPG)


(原文件名:2.JPG)


(原文件名:3.JPG)

mosfet管的参数主要有:最大的漏源电压V(BR)DSS = 500V, 栅源电压VGS = ±30V , 最大漏电流ID = 20A等等

我的电路是用四个mosfet管搭建的桥式驱动电路

(原文件名:5.JPG)
控制信号为周期50us的方波,我现在想发挥管子的最大作用,那么我的Vgs因该怎么取啊?
我这个电路工作的时候,Vds应该很小的啊!
有点糊涂,请大虾们给点意见!

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出0入0汤圆

发表于 2008-8-20 17:39:35 | 显示全部楼层
应该大于4V,Vgs(th)是2.0-4.0V,所以要大于4V。
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