求助，LM3S3749 单 片 机(Cortex-m3核) 操 作 NAND flash 擦 除 的 问 题 ( 含源代码

jyarmy

 我现在用的nand flash是三星的K9K8G08U0A，通过单片机的GPIO口与之连接、进行控制，我想通过单片机直接对flash的全部地址进行擦除操作，但不成功，发现只擦除了一部分，大部分的内容没有被擦除，不知道原因在哪里，请各位帮忙看一下代码，是否有什么错误，谢谢了。 

    另外，如果谁有现成的代码，能否将有关擦除的部分发给我一份作为参考呢，再次谢谢!我的邮箱是 jyarmy@163.com 

    我的单片机的型号是Luminary的LM3S3749，共有60路GPIO，flash的控制信号(ALE，CLE，WE，RE，WP，R/B)、片选信号及8路IO全部连接到单片机的GPIO口上。 

    一共使用了8片K9K8G08U0A，控制信号和IO信号全部共用，8路片选分别接到MCU的GPIO E口上，从PE0到PE7；GPIO A的PA2接RE，PA3接WE，PA4接R/B，PA5接WP，PA6接CLE，PA7接ALE；GPIO D的PD0到PD7分别与IO0到IO7连接。下面是代码： 





/* 

写命令. 

cmd_char : 命令字符 

*/ 

void cmd_send(unsigned char cmd_char) 

{ 

  /*  

   0   1   1   x   0   1   0   0  = 0x64 

  ALE CLE WP# R/B WE# RE# 

  PA7 PA6 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0  */ 

  GPIOPinWrite(PA, Pin7 | Pin6 | Pin5 | Pin3 | Pin2 , 0x64); //CLE=1,ALE=0,准备写命令 



  GPIOPinWrite(PD, Pin0 | Pin1 | Pin2 | Pin3 | Pin4 | Pin5 | Pin6 | Pin7 , cmd_char);// 把命令写入IO 

  SysCtlDelay(1);//may be 

  GPIOPinWrite(PA, Pin3, (1<<3));//拉高WE# 

  SysCtlDelay(1);   

  GPIOPinWrite(PA, Pin6, 0x0);//CLE置低   

}  



/*擦除一个block 

ulAddr:32位的地址 其中A18~A30起作用 ; CEx=0,1,2...7 片先信号 

成功返回0 失败返回1    */ 

unsigned char block_erase(unsigned long ulAddr, int CEx) 

{  

  long result=0; 

  unsigned char ucAddr=( ulAddr>> 12 );//A12~A19 

  unsigned long pins[8]={ Pin0, Pin1, Pin2, Pin3, Pin4, Pin5, Pin6, Pin7 }; 



  /* 初始化: 

   0   0   1   x   1   1   0   0  = 0x2C 

  ALE CLE WP# R/B WE# RE# 

  PA7 PA6 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0  */ 

  GPIOPinWrite(PA, Pin7 | Pin6 | Pin5 | Pin3 | Pin2 ,0x2C);  

   

  GPIOPinWrite(PE, pins[CEx] , 0x0);    //拉低CE# 

  SysCtlDelay(3); 

   

  cmd_send(0x60);//发送0x60命令   

 // SysCtlDelay(1); 

   

  /* 写地址: 

   1   0   1   x   0   1   0   0  = 0xA4   

  ALE CLE WP# R/B WE# RE# 

  PA7 PA6 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0  */   

  GPIOPinWrite(PA, Pin7 | Pin6 | Pin5 | Pin3 | Pin2 , 0xA4); //CLE=0,ALE=1,准备写地址 

  GPIOPinWrite(PD, Pin0 | Pin1 | Pin2 | Pin3 | Pin4 | Pin5 | Pin6 | Pin7 , ucAddr); //A12~A19 

  SysCtlDelay(1); 

  GPIOPinWrite(PA, Pin3, (1<<3));//拉高WE# 

  SysCtlDelay(1); 

  GPIOPinWrite(PA, Pin3, (0<<3));//拉低WE# 

  SysCtlDelay(1); 

  ucAddr=(ulAddr>> 20); 

  GPIOPinWrite(PD, Pin0 | Pin1 | Pin2 | Pin3 | Pin4 | Pin5 | Pin6 | Pin7 , ucAddr); //A20~A27 

  SysCtlDelay(1); 

  GPIOPinWrite(PA, Pin3, (1<<3));//拉高WE# 

  SysCtlDelay(1); 

  GPIOPinWrite(PA, Pin3, (0<<3));//拉低WE# 

  SysCtlDelay(1); 

  ucAddr=(ulAddr>> 28); 

  GPIOPinWrite(PD, Pin0 | Pin1 | Pin2 | Pin3 | Pin4 | Pin5 | Pin6 | Pin7 , ucAddr); //A28~A30 

  SysCtlDelay(1); 

  GPIOPinWrite(PA, Pin3, (1<<3));//拉高WE# 

  SysCtlDelay(1); 

   

  cmd_send(0xD0);//写命令0xD0     

  SysCtlDelay(4);// 应大于TWB 6大约为120ns 

   

//  GPIOPinWrite(PA, Pin6, 0x0);//CLE置低 

   

  while( result!= 0x10) //读R/B , 等待其变为高电平 

    result=GPIOPinRead(PA,Pin4); 

   

  cmd_send(0x70);//发送0x70命令,准备读   

  SysCtlDelay(5);// 应大于TWHR==60ns 

   

/* 准备读: 

   0   0   1   x   1   1   0   0  = 0x3C 

  ALE CLE WP# R/B WE# RE# 

  PA7 PA6 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0  */ 

  GPIOPinWrite(PA, Pin7 | Pin6 | Pin5 | Pin3 | Pin2 , 0x3C); //CLE=0,ALE=0 

  GPIOPinWrite(PA, Pin2, 0x0);// RE# 置低 

   

  GPIOPinTypeGPIOInput( PD, Pin0 ) ; //PD0即IO0 置为输入  

  if( 0x00==GPIOPinRead(PD,Pin0))  

    ucAddr=0;//擦除成功 

  else 

    ucAddr=1;//擦除失败 

  GPIOPinWrite(PA, Pin2, 0xFF);//RE# 置高    

  GPIOPinTypeGPIOOutput( PD,  Pin0 ) ;// PD0置为输出 

   

  GPIOPinWrite(PE, pins[CEx] , 0xFF); //CE#置高 

  SysCtlDelay(5); 

   

  return ucAddr; 

} 



//将flash复位 

//CEx=0,1,2...,7 表示片选信号 

void flash_reset(int CEx) 

{ 

    unsigned long result=0; 

     /* 初始化: 

      0   0   1   x   1   1   0   0  = 0x2C 

     ALE CLE WP# R/B WE# RE# 

     PA7 PA6 PA5 PA4 PA3 PA2 PA1 PA0  */ 

     GPIOPinWrite(PA, Pin7 | Pin6 | Pin5 | Pin3 | Pin2 ,0x2C); 

      

     GPIOPinWrite(PE, (0x00000001 << CEx) , 0x0); 

     SysCtlDelay(3); 

     cmd_send(0xFF);//reset command 



     SysCtlDelay(3); 

      

     while( result!= 0x10) //读R/B , 等待其变为高电平 

        result=GPIOPinRead(PA,Pin4); 

      

     GPIOPinWrite(PE, (0x00000001 << CEx) , 0xFF); 

     SysCtlDelay(3); 

} 





// 对8片flash进行擦除 

int  main(void) 

{ 

  unsigned short i,j; 

  unsigned long block_addr; 

  unsigned char  result; 

  int good, bad, totle; 

  //使能GPIO端口 

  SysCtlPeripheralEnable( SYSCTL_PERIPH_GPIOA ); 

  SysCtlPeripheralEnable( SYSCTL_PERIPH_GPIOD );  

  SysCtlPeripheralEnable( SYSCTL_PERIPH_GPIOE );  

   

  SysCtlPeripheralEnable( SYSCTL_PERIPH_GPIOF );//control port PF4 PF5 PF6  

  //置相应GPIO端口为输入输出 

  GPIOPinTypeGPIOOutput( PA, Pin2 | Pin3 | Pin5 | Pin6 | Pin7 ); //PA2 3 4 5 6 7 

  GPIOPinTypeGPIOInput(PA, Pin4);//PA4为输入    

  GPIOPinTypeGPIOOutput( PE, Pin0 | Pin1 | Pin2 | Pin3 | Pin4 | Pin5 | Pin6 | Pin7 ) ;// PE0~7  as CE#  

  GPIOPinTypeGPIOOutput( PD, Pin0 | Pin1 | Pin2 | Pin3 | Pin4 | Pin5 | Pin6 | Pin7 ) ;// PD0~7  as I/O 

  GPIOPinTypeGPIOOutput( PF, Pin4 | Pin5 | Pin6 );//PF4 5 6 



  SysCtlDelay(8000000); 



   



  GPIOPinWrite(PE, Pin0 | Pin1 | Pin2 | Pin3 | Pin4 | Pin5 | Pin6 | Pin7, 0xFF);//片选先全置高 

  for(j=0;j<8;j++){ 

          block_addr=0x0; 

          good=0; bad=0;  

          flash_reset(j); 

          for(i=0;i<8192;i++){      

            result=block_erase( block_addr, j ); 

            if(result==0) 

              good++; 

            else  

              bad++;     

             block_addr += 0x40000; 

          } 

        SysCtlDelay(2); 

        totle=good+bad;   

  }  

}  



感谢各位大侠了!

　  

jyarmy

up                        

jyarmy

自已再顶一下

dspsharc

LM3S没有专用的NAND FLASH控制器,用大量的GPIO这样做效率太低了.也没啥扩展余地,还不如用SPI接16GB的SD卡,到处都是现成的例子.