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请问我用这样用AVR驱动三极管来控制MOS管对吗?【恢复】

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出0入0汤圆

发表于 2009-1-17 20:09:55 | 显示全部楼层 |阅读模式


 (原文件名:未命名.JPG) 



我是这样想的:IO输出1时,三极管导通,则Q点处电压只是三极管的压降0.7V左右,这时MOS管不导通,当IO输出0时,三极管不导通,这时12V电压通过R8加到MOS管上,这时候就导通,R9是用来防止上电时IO来不及输出1会导致MOS管导通,二极管是防止12V电压直接到IO上损坏单片机的,不知道我这样分析对不对,第一次用MOS管,不熟悉,看了论坛所有的讨论最终都没有哪个适合的,大家帮我看看吧~~~



PS:我的负载是阻性的,通过电流大概6A左右,MOS管可能使用IRF540,还没定,开关频率远远大于1S,就把它当继电器用而已。虽然看手册说6A只要4.5V左右导通电压,但是不敢用IO直驱,怕导通不全,损耗大,而且12V要是上了IO也完蛋了。。。

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前,我没有珍惜,现在想起来,还好我没有珍惜……

出0入0汤圆

发表于 2009-1-17 20:36:43 | 显示全部楼层
直接用个SOP8的低压MOS就可以了,5V肯定能饱和

出0入0汤圆

发表于 2009-1-17 21:16:03 | 显示全部楼层
考虑得挺周到的。二极管没必要,只要三极管不坏12V是无法进来的,但基极限流电阻不能省。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-1-17 21:47:46 | 显示全部楼层
是因为板子是单面的,不想用贴片的,而且怕12V会进入IO损坏芯片,所以就用IRF540直插,呵呵。

就是说这样分析应该对吧,再在基极加个限流电阻就OK啦?

VERY 感谢~~~

因为是看论坛的讨论改的图,而且第一次用,所以不确定自己分析对不对~~

出0入0汤圆

发表于 2009-1-17 22:05:10 | 显示全部楼层
二极管还是必要的,这个管子的存在可以提高三极管反相器的转换门限,对电路的稳定性有很大好处。



电路中,还少了一个电阻:二极管和基极间应该加一个电阻,这样可以避免I/O端高电平时出现过驱动,当然,如果I/O是OC或OD输出时,这个电阻可以省略。

出0入0汤圆

发表于 2009-1-17 22:23:27 | 显示全部楼层
建议在FET的G-S间跨接0.01~0.1uF的电容,以减缓dv/dt。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-1-17 22:25:05 | 显示全部楼层
总算有个正确的电路了,用来代替继电器,看了论坛一整天,讨论来讨论去,就没有我想要的

出0入0汤圆

发表于 2009-1-17 22:25:11 | 显示全部楼层
这样能行吗?5V经4148后三极管基极只有4.3V的样子,而三极管的CE极有12V电压,这个时候三极管不是工作在饱和状态,而是在放大区

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-1-17 22:29:17 | 显示全部楼层
【5楼】 holycat 仙猫

 

恩,对,虽然频率不高,加上也好,仙猫是大师啊,我问什么都懂,呵呵!

出0入0汤圆

发表于 2009-1-17 22:33:01 | 显示全部楼层
IO直接用个压降小的二极管连MOS,但需要下拉个电阻到GND,以防MCU启动是误导通,我是经常用24V+1A,没试过大电流。



6A,还是加三极管,深度导通

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-1-17 22:36:59 | 显示全部楼层
R8不能吸收电压吗?我是想让导通时电压都在R8上降下来,CE上不就只有0.7V吗?至于不导通时,只要不超过三极管的耐压就可以了吧?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-1-17 22:39:42 | 显示全部楼层
【9楼】 huanxian 

不可以的,加了二极管,驱动电压就只剩4V左右,加上MOS管上的压降,就没了。

根据数据手册6A对应应该超过4V,所以要保护IO,加了个二极管就得三极管来驱动啦

出0入0汤圆

发表于 2009-1-17 23:08:51 | 显示全部楼层
不可以的,加了二极管,驱动电压就只剩4V左右,加上MOS管上的压降,就没了,

5-0.3=4.7V, 我用了肖特基

出0入0汤圆

发表于 2009-1-17 23:25:02 | 显示全部楼层
8楼:



    这个G-S电容还是不加为好,MOSFET本身的Qgs就不小,加上这个电容,把上升沿拉缓,瞬时功耗会增加很多,弊大于利。

出0入0汤圆

发表于 2009-1-17 23:25:22 | 显示全部楼层
楼主的电路虽然能工作,但最好再修改一下

1 如果IO是推拉输出,那么电阻R9显得多此一举。

2 IO输出要加限流电阻,否则输出驱动电流会过大。

3 要用二极管来保护IO口,则三极管的BE极需并联一个适当的电阻以提高电路可靠性。

4 电阻R8明显过大,会导致MOS管开关损耗增加,特别是开关频率较高是更明显。

5 MOS管栅极如果布线较长,需要串联一个小电阻防止开关切换时产生寄生振荡。

6 三极管反相形式来驱动MOS管,要注意如果12V电压上电速度5V上电速度快时,MOS管将短暂的导通一下。

7 同上,IO口从上电到受控,需要一段时间,这段时间内也有可能使MOS管将短暂的导通一下。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-1-18 01:11:53 | 显示全部楼层
1 如果IO是推拉输出,那么电阻R9显得多此一举。

7 同上,IO口从上电到受控,需要一段时间,这段时间内也有可能使MOS管将短暂的导通一下。 



---R9的作用就是防止上电期间的导通,



6 三极管反相形式来驱动MOS管,要注意如果12V电压上电速度5V上电速度快时,MOS管将短暂的导通一下。 

---不过到底是12V先上还是5V先上就不知道了。。。 



4 电阻R8明显过大,会导致MOS管开关损耗增加,特别是开关频率较高是更明显。 

---MOS管不是只要驱动电压达到了就可以导通吗,对电流有要求吗?R8是想限制三极管上的导通电流,不过用10K的也可以。。。



5 MOS管栅极如果布线较长,需要串联一个小电阻防止开关切换时产生寄生振荡。

---那在小电阻上流过6A的电流不就很浪费。。。



都说得很对,谢谢你的建议

出0入0汤圆

发表于 2009-1-18 15:26:48 | 显示全部楼层
LZ的思维有点乱~~呵呵,不要介意。。



栅极不会有电流,或者说只有很小电流,不知道你的6A哪里来。一般应用,栅极应该在接近进行MOSFET的地方串个比较小的栅极电阻,然后在栅极接个比较大的电阻到到,这个对寄生振荡的消除有好大好处。





其次,觉得R8偏大了。



再想说,你这样接法好少用,因为会很不安全很不可靠。一般来说,栅极的接低最好保持0V,甚至于负压,0.3伏不能完全满足。跨不同电平的做法最好是用多极三极管,如果要增大MOSFET的驱动电压,N沟通前面要P管,P沟道前面用N管,像下图接法可以会好点。





 (原文件名:lz.JPG) 

出0入0汤圆

发表于 2009-1-18 19:19:49 | 显示全部楼层
学习。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-1-18 19:44:10 | 显示全部楼层
嗯,受教了,看了【16楼】 heavin 小文子 的图是在比我的好很多,呵呵~~

增多一级PNP三极管来控制,没想到,很巧妙,学习到了,谢谢~~~

出0入0汤圆

发表于 2009-1-19 01:02:04 | 显示全部楼层
学习。 

出0入0汤圆

发表于 2009-1-19 01:03:31 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2009-1-20 12:44:12 | 显示全部楼层
记号

出0入0汤圆

发表于 2009-1-21 08:41:52 | 显示全部楼层
上面的两幅图都不好,第一幅导通慢,第二幅关断慢。导通关断时间要控制在500nS内为好。否则开关损耗太大,容易烧管。

出0入0汤圆

发表于 2009-1-21 09:16:44 | 显示全部楼层
导通关断时间要控制在100nS内为好.

出0入0汤圆

发表于 2009-1-21 12:34:53 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2009-1-21 12:56:43 | 显示全部楼层
开关损耗 与 开关产生的电压尖峰是矛盾,很多时候都需要实验取平衡点。

有时为了减少开关损耗 把导通时间调到100nS ,然后用上RDC吸收。

但有些场合再强的吸收电路也没用,电压尖峰以电磁方式辐射出去(EMI)导致附近的单片机都不用工作了。

有时散热有足够的余量 把导通时间调到500n~1u 随便搞个RC吸收电路就可以了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2009-1-22 00:12:03 | 显示全部楼层
还是用光耦来控制好了。。。

出0入0汤圆

发表于 2009-6-8 16:10:18 | 显示全部楼层
学学

出0入0汤圆

发表于 2009-6-26 11:21:43 | 显示全部楼层
感觉在GS上加个稳压管是不是能好点。

出0入0汤圆

发表于 2009-6-26 12:51:12 | 显示全部楼层
NB人一大堆  学习了

出0入0汤圆

发表于 2009-12-8 13:52:13 | 显示全部楼层
学习

出0入0汤圆

发表于 2009-12-8 19:22:25 | 显示全部楼层
学习。
MOS管是N沟道增强型,这个我知道,呵呵

出0入0汤圆

发表于 2009-12-8 22:11:06 | 显示全部楼层
一个开关速度这么低的电路,折腾个什么劲啊

出0入0汤圆

发表于 2010-3-20 12:34:23 | 显示全部楼层
学习了

出0入0汤圆

发表于 2010-3-20 14:32:28 | 显示全部楼层
为啥不用mos管去推mos管呢。。

出0入0汤圆

发表于 2010-3-20 19:09:44 | 显示全部楼层
先学习一下。。。

出0入0汤圆

发表于 2010-3-20 22:57:15 | 显示全部楼层
未加基极限流电阻,输出低电平时,基极逻辑不确定。MOSFET可能工作在可变电阻区。开关速度慢,可加个肖特基二极管或基极电阻上并联个电容。

出0入0汤圆

发表于 2010-12-28 19:00:27 | 显示全部楼层
cowboy 真是高手

出0入0汤圆

发表于 2011-1-9 11:40:45 | 显示全部楼层
你们都是高手

出0入0汤圆

发表于 2011-6-4 22:48:30 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-11-2 09:32:31 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-12-9 18:32:21 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-12-30 11:07:13 | 显示全部楼层
MARK

出0入0汤圆

发表于 2011-12-31 11:24:07 | 显示全部楼层
学习了

出0入0汤圆

发表于 2012-1-4 16:33:19 | 显示全部楼层
每天学习。。每天有收获。。谢谢各位

出0入45汤圆

发表于 2013-3-1 09:04:50 | 显示全部楼层
Mark 学习了
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