用电阻和三极管怎么做电流源??

yongjun_gong · 发表于 2009-8-21 20:08:38

用电阻和三极管怎么做电流源??

shengfeng · 发表于 2009-8-21 22:05:08

请楼主查看集成运放中的电流源。。。。。。。。。。

millwood0 · 发表于 2009-8-22 03:28:52

you can form a constant current source using resistors, diodes and a transistor.

you can form a diode from a transistor.

then ...

ywl0409 · 发表于 2009-8-22 07:17:57

不给图,光说几句话,LZ是做不出来的.
必须要给图,而且有参数,安装完毕,不需调试,就可以用的那种.

wear778899 · 发表于 2009-8-22 07:29:30

【3楼】 ywl0409 老黄牛

。。。。。。。。。。。。。。。。

渥尔曼放大电路中有一部分是三极管恒流源，纯三极管的哦。可以参考。

eezm · 发表于 2009-8-22 09:49:30

(原文件名:Picture1.png)

shengfeng · 发表于 2009-8-22 14:30:35

【5楼】 eezm
真是好啊！总是会给你提供仿真的电路图
这里我也说声谢谢！！！！！！

millwood0 · 发表于 2009-8-22 14:55:11

change B1 and see if the current will change.

eezm · 发表于 2009-8-22 15:26:59

在运放发明之前,这是常用的恒流源电路.最典型的应用就是示波器扫描部分的线性锯齿波发生器电路.

(原文件名:Picture1.png)

eezm · 发表于 2009-8-22 15:42:05

示波器的恒流锯齿波发生器电路:

(原文件名:Picture2.png)

eezm · 发表于 2009-8-22 15:58:30

(原文件名:Picture3.png)

(原文件名:Picture4.png)

(原文件名:Picture5.png)

(原文件名:Picture6.png)

locku · 发表于 2009-8-22 18:50:12

8楼这个不行啊！！！
用到了稳压管，不符合lz的要求了

eezm · 发表于 2009-8-22 21:58:57

那就按LZ的要求做.

(原文件名:Picture1.png)

mrpeng · 发表于 2009-8-22 22:22:23

膜拜下eezm.....

cowboy · 发表于 2009-8-23 00:07:47

仅用三极管很难做得性能好的恒流源，主要是VBE的温漂大。

millwood0 · 发表于 2009-8-23 00:27:12

a comparison of various constant current source, under different supply voltage.

(原文件名:ccsccomparison.PNG)

millwood0 · 发表于 2009-8-23 00:30:31

the LED is underbiased in the above simulation (If < 2ma). if you were to use R15=1k, the LED-based CCS will output all other CCS's in that chart.

yongjun_gong · 发表于 2009-8-26 02:12:23

谢谢各位大侠//

tiger1125 · 发表于 2009-8-27 00:12:07

镜像电流源
应该可以用

shichen717 · 发表于 2009-8-27 08:26:58

多大电流，没人问过。

几mA还行。

xynn · 发表于 2009-8-27 11:16:37

提供的是基于U-BE的恒流源，理论学习下或者是用在要求很低的应用上都可以
缺点是，HFE影响倒小点，受鳄梨效应影响，以及VBE的-2mv/O等温度系数会导致性能特差
用一电阻和一稳压管实验下稳压管的恒压效果，其结果让人失望，甚至是气急败坏，而它的仿真效果却不错
所以该论坛有点过于崇拜仿真软件了

eezm · 发表于 2009-8-27 12:04:17

【20楼】 xynn 可否把电路贴上,以便研究一下为何仿真可以,而实际行不通的原因.

cowboy · 发表于 2009-8-27 12:10:17

楼上实验令人气急败坏的结果是什么？数据呢？我想仿真软件还是可以应付一个电阻一个二稳管吧。

shichen717 · 发表于 2009-8-27 12:11:55

稳压管要串联一个普通二极管，抵消BE结温漂

xynn · 发表于 2009-8-27 14:15:07

这种只需要一个稳压管和一电阻的实验，你可以重复下。
结果是让人惊奇地大叫：“这个稳压管是她MD电阻吧？？”

xynn · 发表于 2009-8-27 14:22:11

记得有一次搞一个项目时用到了稳压二极管的稳压电路，研发电路过程中发现稳压二极管的稳压特性也并不是像我们平时所学的那样，而是在相当大的范围内变化，几乎就没有什么特别的稳压效果。

cowboy · 发表于 2009-8-27 14:34:03

【25楼】 xynn 请用数据来说明结论，以免误导初学者。当然你要求稳压管的稳定度用5位半的电压表测不了来才算合格，那稳压管就真的是她MD电阻了。

chunk · 发表于 2009-8-27 15:51:28

稳压管想工作得比较好，要求有一个合适的电流从稳压管上流过。PN结这种东西有个“动态电阻”的概念，所以对稳压管要建立一个合适的工作条件让它在那个条件下的“动态电阻”比较小。

eezm · 发表于 2009-8-27 16:00:11

集成运放和集成稳压电路发明之前,稳压电路都是分立件,奇纳稳压二极管是当然的基准源.附图是60-70年代某示波器的部分低压稳压电源电路.集成电路也是由晶体管等基本元件构成的.因此不要轻易否定分立元件和电路.没有集成电路的年代也有当时也是很好的电子仪器和电子设备.只是要做的好,电路比较复杂,对人的技术要求也很高而已.

(原文件名:P.jpg)

xynn · 发表于 2009-8-27 16:33:34

0.5W 3.3V稳压管一个
1K电阻一个
可调电源一个

输入从1V开始上升，输入低于6V时候，稳压管上电压比输入略小点，跟随输入上升

输入到了7V，稳压管上到了3.3V，输入到了30V，稳压管上电压到了4V。
而厂家提供的DATASHEET是到40mA才会到4V，现在才27mA就到了

IT6322型电源只能在0到31V间可调，我估计到40mA它能升到4.5V不成问题。
输入变化23V，稳压值变化了0.7，确实有稳压效果，只是这效果跟初学者所想象的大不同

从厂家提供的伏安曲线看，低于5V的稳压管稳压特性不如高于5V的（击穿机理不同所致）

8.2V稳压管的曲线帅呆了——压根一标准理想的垂线

cowboy · 发表于 2009-8-27 17:29:53

xynn 怎么拿一个稳压性能最差的低压稳压管来以偏盖全呢？
这是我实测的数据：
1N4738 + 10K电阻；
输入电压20V，稳压管7.84V，输入电压翻一倍，40V，稳压管7.87V；
输入电压20V，从室温加热到100度，稳压管从7.84V升至8.12V。

shichen717 · 发表于 2009-8-27 17:52:56

低于5V的是齐纳管，隧道击穿，不太好使
高于5V的是雪崩管，雪崩击穿，不错
可以试试9014 基极开路CE击穿，稳定的很，不过太高了40V

eezm · 发表于 2009-8-27 18:24:01

3.3v zener 1N4728仿真

(原文件名:zener.png)

(原文件名:z3.3v.png)

(原文件名:M_3.3V.png)

(原文件名:T_3.3V.png)

(原文件名:MC9_3.3V.png)

(原文件名:p_3.3v.png)

millwood0 · 发表于 2009-8-27 18:59:16

"以及VBE的-2mv/O等温度系数会导致性能特差 "

most non-bandgap based voltage references utilize the basic CCS topologies discussed here.

bandgap based voltage references will have better tempco, but all bandgap references on the market today are 1st order compensated and they will exhibit a non-zero tempco (both positive and negative) at any point other than the zero tempco point.

s99060 · 发表于 2009-8-27 19:01:33

还是打拼音看得懂点

eezm · 发表于 2009-8-27 19:16:53

【20楼】 xynn

提供的是基于U-BE的恒流源，理论学习下或者是用在要求很低的应用上都可以
缺点是，HFE影响倒小点，受鳄梨效应影响，以及VBE的-2mv/O等温度系数会导致性能特差
用一电阻和一稳压管实验下稳压管的恒压效果，其结果让人失望，甚至是气急败坏，而它的仿真效果却不错

所以该论坛有点过于崇拜仿真软件了

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请看32楼的仿真结果和手册参数是否一致.

仿真软件乃世界公认,我们在使用时,遇到问题和困惑时还是应多从自身找原因.

xynn · 发表于 2009-8-27 20:12:14

【30楼】 cowboy
你误解了，这不是管子性能好坏问题，具体的原因见【31楼】 shichen717  正解，雪崩击穿有倍增效果，所以性能优于齐纳。

【35楼】 eezm  你那仿真不能说明什么问题，因为SPICE中1N4728的模型参数就是根据你32楼那个表格设置的，也就是说仿真就是32楼那表格的复制，所以两者完全吻合。

你可以验证典型的LC交叉耦合振荡器，仿真能通过，但流片出来就不能振荡，分析后认为电路需加一电阻方可。

关于仿真软件，有几点有用的指导说明，这些都是使用SPICE中或得的经验：
1，除非预先估计出答案的范围，否则不要使用仿真软件。
2，除非必要，决不对电路进行多余的功能仿真。

————————《CMOS模拟集成电路设计》、P.E ALLEN  88页

eezm · 发表于 2009-8-27 20:35:29

不明白【36楼】 xynn 是不相信仿真软件,还是不相信真实器件.
真实器件的参数在生产中必然有一定的离散性.因此,实际调试是完全必要.但是EDA技术的使用大大提高了设计效率.不可想象,没有EDA技术,电子技术会有今天的突飞猛进的发展.

cowboy · 发表于 2009-8-27 20:46:29

【36楼】 xynn ，我并没有误解，我也知道低压稳压管属齐纳击穿型，稳压性能不怎么好，但仅限于5V以下少部分规格，对于5V以上的稳压管，其动态内阻相当小，稳压性能也不错，并不象你之前所说的“用一电阻和一稳压管实验下稳压管的恒压效果，其结果让人失望，甚至是气急败坏”，这样会让人误认为所有稳压管都是一样。
至于你【29楼】实测的性能欠佳，手册上给出的条件是3.3V稳压管在76mA反向电流下才达到较好的性能，而你测试的电流未达到这个条件。而实际稳压值与标称值有较大的差异，这可以在其它方面找原因。

shichen717 · 发表于 2009-8-27 20:54:27

仿真软件性能决定于模型，模型只针对典型应用，而且对交流、直流性能做了折衷，实际上与实际器件有很大区别。
我做过很长时间器件建模，需要一种性能吻合好，则需牺牲另一种性能的吻合度。
我不信仿真软件，简单算算还行，要命的还得手算，以确定到底是什么影响性能。

28楼的图只卖200以内，可见性能，只是原理性解释，实际上很少直接用稳压管当基准，因为431才两毛多。

曾经见过仿日本的稳压稳流电源，手拧的，数显，大街上到处都是，公然宣称使用了高精度基准技术，看了图，431一只。

如果电流源不是玩玩，学习，或者要求极低，最好用集成+分立方案，成本一样的。

eezm · 发表于 2009-8-27 21:01:38

我从97年开始使用仿真软件,自认为很有效,使用仿真软件是仁者见仁,智者见智,不必勉强.

eezm · 发表于 2009-8-27 21:11:30

【39楼】 shichen717
28楼的图只卖200以内，可见性能，只是原理性解释，实际上很少直接用稳压管当基准，因为431才两毛多。

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请注意那是60年代的产品.

shichen717 · 发表于 2009-8-27 21:13:29

【41楼】 eezm 请注意那是60年代的产品.
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可见技术发展突飞猛进，又快又稳。
现在也不用火绳枪了，但并不否认其历史地位，可还是没人用。

并非对仿真软件有意见，只是用途是否合适。

用仿真软件最大的问题不在于准否
仿真软件最大的问题在于算法掩盖了计算公式，除了不断调整元件值以外，没法看出影响性能的最主要因素。因为公式不可见。

严重同意36楼之“除非预先估计出答案的范围，否则不要使用仿真软件。”，否则毁人不倦。

shichen717 · 发表于 2009-8-27 21:45:53

集成运放和集成稳压电路发明之前,稳压电路都是分立件,奇纳稳压二极管是当然的基准源.附图是60-70年代某示波器的部分低压稳压电源电路.集成电路也是由晶体管等基本元件构成的.因此不要轻易否定分立元件和电路.没有集成电路的年代也有当时也是很好的电子仪器和电子设备.只是要做的好,电路比较复杂,对人的技术要求也很高而已.
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理解无误，只是那个实际性能没有现在的好，要不然为什么现在基本不用了。
现在没必要这样用了，集成的性能的确好一些，而且方便。
其实我大量用分立元件，对分立件没意见。只是这里上431更简单实用，性能好，这是做技术的起码追求。

另，那种示波器10年前我拆过，真是不计成本，铝铣件，6个厚的铝板，居然还有用作地线的银棍，直径1mm，长度200mm，全手工陶瓷支架焊接，所有的线都绑扎得十分规矩，60，70年代的精品。中间有好多国产JFET对管，6个爪金封，模样虽糙，性能不错。

eezm · 发表于 2009-8-27 21:47:33

请LS先明了上60年代图的初衷吧.

eezm · 发表于 2009-8-27 21:51:54

只是这里上431更简单实用，性能好，这是做技术的起码追求

===========================================================

看看此帖楼主的要求.

shichen717 · 发表于 2009-8-27 21:58:10

431只是举个例子，不用叫真，其实5个晶体管加一个带隙基准稳压管也能做到，成本和复杂度受不了。

lz似乎不是搞硬件的，要求也未必不能改，要求可以变通，只要能达到lz要的效果（便宜好用），大家讨论集思广益。

好像帖子位置错了。

cowboy · 发表于 2009-8-27 22:05:01

世有晶体管，然后有集成电路。晶体管常有，而集成不常有。楼主可能一时急用，手头没TL431，想随便找些三极管代替而矣，不必较真。

xynn · 发表于 2009-8-27 22:15:53

我回别人的贴，一般先把对方的帖子读上两遍，这不仅是认真，更是对别人的尊重。
否则讨论起来张冠李戴，让人摸不着头脑。

比如38楼，我在29楼根本没说明我所用的二极管的型号，你怎么查手册的？？？稳压管并非只有的美国的1N系列吧？
再说了，我用的是0.5W的，不是1瓦的。如果用到76毫安，估计那个3.3V稳压管能升到5V了。

关于仿真软件的36楼和39楼，意思已说的很明白了，一句话：如果在工业设计中，EDA软件必不可少；如果用在日常学习中，慎用，不要让电脑“代替”人脑，只能用电脑“验证”人脑。所以不提倡初学者依靠仿真软件来解决未知问题。
其实这PSPICE和MULTISIM直接调元件，不用写网表，三两天就学会了，不过其收敛性问题有点棘手。

eezm · 发表于 2009-8-27 22:22:25

【48楼】 xynn
====================================
请看我的题目:

3.3v zener 1N4728仿真

shichen717 · 发表于 2009-8-27 22:24:55

比如36楼，
===================================================
ls气坏了，36楼是ls自己的，应为35楼，呵呵，晕。

wear778899 · 发表于 2009-8-27 22:31:23

问题严重了。。还是来标记下吧

shichen717 · 发表于 2009-8-27 22:32:03

全乱套了

s99060 · 发表于 2009-8-27 23:49:52

集成电路除了相邻的晶体管特性几乎一样由此可以做镜像电流源以外性能绝没有分立的好
当然因为可以提高密度而受分布参数影响小由此整体性能可以提高
而且可以"不计成本"的一个劲的加3极管

millwood0 · 发表于 2009-8-28 08:06:02

"记得有一次搞一个项目时用到了稳压二极管的稳压电路，研发电路过程中发现稳压二极管的稳压特性也并不是像我们平时所学的那样，而是在相当大的范围内变化，几乎就没有什么特别的稳压效果。 "

zeners can hold voltage relatively constant because of their low "impedance", once they have reached their reverse voltage.

if you look at the datasheet of a typical zener, you will see a figured called "Zener Impedance". For 1n5913b, that figure is 10ohm.

here is the sim for that zener. As you can see, its "zener impedance" is more like 5ohm.

(原文件名:zener 1.PNG)

if R1 >> 5ohm, most of the voltage fluctuations in Vc will be on R1, not on the zener, as shown in the chart below: when Vc varies from 3.3v - 40v, Vz (the voltage drop on the zener) goes from 3.3v - 3.4v.

(原文件名:zener 2.PNG)

millwood0 · 发表于 2009-8-28 08:08:04

the trick in designing a zener - based voltage reference is to make sure that there is sufficient current going through it so that its zener impedance is sufficiently low. that spec is called Izk and Zzk. Typically for a low voltage zener, Izk = 1ma, and Zzk no more than 1kohm.

millwood0 · 发表于 2009-8-28 08:11:17

"低于5V的是齐纳管，隧道击穿，不太好使
高于5V的是雪崩管，雪崩击穿，不错 "

in every zener, there are both zener effect and avalanche effect going on. at lower voltage, zener effect dominates and at higher voltage avalanche effect dominates.

But they are the same, physically. they differ in their tempco.

cowboy · 发表于 2009-8-28 08:24:46

millwood0 用仿真来说明问题，xynn 是不会认同，由于仿真软件是根根器件的datasheet所说的特征来建立模型，一切都是虚拟的，不可信，包括datasheet上所列的数据。xynn 认为，一切都应该以实物测试为准。这种求真精神固然是好，但发现实际与理论存在差距时应寻找原因，更深入了解产生差距的因素，而不应将仿真软件和datasheet一口否定。

sunhot · 发表于 2009-8-28 08:42:11

学习ing............

shichen717 · 发表于 2009-8-28 08:44:20

in every zener, there are both zener effect and avalanche effect going on. at lower voltage, zener effect dominates and at higher voltage avalanche effect dominates.

But they are the same, physically. they differ in their tempco.
========================================================================================
这是两种机理，器件结构完全不同。

齐纳击穿依靠隧道击穿，PN结两侧需要高掺杂，从而反偏使N型导带的电子直接进入P型价带。

雪崩击穿，PN结两侧至少一侧低掺杂，反偏时依靠载流子倍增效应击穿。

中国人说中国话。

集成电路除了相邻的晶体管特性几乎一样由此可以做镜像电流源以外性能绝没有分立的好
=======================================================================================
用对地方性能都可很好，没有绝对。

集成电路之弱点及原因：
1. 低压平面工艺限制
2. 低功率容量元件密度高
3. 不可修补没什么说的

集成电路之优点及原因：
1. 高性能高配对晶体管和高复杂性
2. 成本低免调整性
3. 体积小元件密度高

分立想做到集成的性能也要依靠集成在一起的孪生对管，看看分立运放差分输入极的虚线椭圆形包含的两只晶体管。
为此，NS曾做了多种集成晶体管提高分立电路性能。

millwood0 · 发表于 2009-8-28 09:18:09

something this simple, no one should have to rely on a sim model or an actual circuit to understand it.

bad_fpga · 发表于 2009-8-28 09:19:17

这个应该是酷贴~~~~

shichen717 · 发表于 2009-8-28 09:50:46

上个图，2个电流源，第一个做第二个的基准齐纳管的恒流偏置
4148抵消BE结温漂，反串联齐纳管降低齐纳管温漂。
这个电路最高10mA，否则采样电阻要求过高。
这个很纯。比431的贵几毛钱。

(原文件名:A.JPG)

xynn · 发表于 2009-8-28 09:58:56

54楼提供的曲线，再一次验证了为什么仿真结果会那么理想，和课本上的一致——-其动态电阻是常数，用直尺靠在屏幕上量下，是相当完美的直线。如若用1N4778---1N4788中的任一管做实测都不会如此。

和实际测量差别的原因，实际上的动态电阻并非常数，对于线性缓变，扩散型的，其表达式约为：

                      R(Z)=Vb<1-3.72*10-34*a(4/3)*V(11/3)>/4I
                     其中，a-浓度梯度

根据上面帖子总结低于5V的性能劣于高于5V的原因：最本质原因是结构和材料诸如掺杂浓度不同——导致雪崩有倍增效应，所以性能优——————进一步导致雪崩的动态电阻小于齐纳，这是“果”，上面两个是“因”————导致高于5V的性能优于齐纳

                                                                                    参考文献：
                                                                              《微加工基础》
                                                                              《晶体管原理和实践》上海科学技术出版社
                                                                              《晶体管原理》国防工业出版社

xynn · 发表于 2009-8-28 10:08:40

【62楼】 shichen717 你提供的电路“抵消”的前提是： dICBO=dIDO(d表示黛儿塔，就是那个直角三角形表示的符号)，也就是说4148和Q的材料，制造方式都要一样。显然一般不满足，抵消程度有限。所以建议4148换成同型号的Q管，把CB短接作为二极管代替。

shichen717 · 发表于 2009-8-28 10:16:12

也可，其实差不多，多数应用可认为4148=BE结，因为pn结温漂是固有参数，只要是硅，电流差不多时差异基本很小。

另外考虑一个问题：
那个图做不了精密电流源，只是为了满足lz的要求，补偿不过意思意思而已。431的将就，开环增益不够，好的必须上运放。

millwood0 · 发表于 2009-8-28 16:32:17

zener effect has a negative tempco and avalanche effect has a positive tempco (but less uniform). and a forward biased zener and a diode both have negative tempco. so putting a forward biased zener and diode in serial with a zener effect dominated 3.3v zener, you cannot cancel out its negative tempco.

the only way for you to cancel tempco is to put a diode / forward biased zener with an avalanche dominated zener (>5.6v). even there it is difficult because a) avalanche zener's tempco varies a lot; and b) it is much higher than that of a diode.

if you look at lm317's datasheet, you will find that it has a positive tempco. so a far easier way to achieve zero tempco is to combine a lm317 with a diode.

shichen717 · 发表于 2009-8-28 16:35:31

同意
过了，搞复杂了。

millwood0 · 发表于 2009-8-28 16:36:05

"和课本上的一致——-其动态电阻是常数"

for a zener reference to work, you don't need the zener impedance to be a constant: all you need is the zener impedance to be substantially lower than that of R1.

harng · 发表于 2009-8-28 16:43:02

MARK

millwood0 · 发表于 2009-8-28 16:54:46

because the zener effect and the avalanche effect have opposite tempcos, a zener at around the transition point (around 5.6v) will have near zero tempco.

millwood0 · 发表于 2009-8-28 17:07:25

a lm317 + a resistor will create a constant current source much more stable and much simpler than a discrete solution discussed here.

xynn · 发表于 2009-8-28 17:27:36

negative tempco也好， positive tempco也罢，只能尽可能的抵消，而不可能完全消除，就是典型的带隙基准源，能做到10个PPM/C 就不错了。想做到PVT无关的最高境界更是难如登天。所以见好就收

tiger1125 · 发表于 2009-8-28 17:38:56

继续看酷的观点

millwood0 · 发表于 2009-8-28 19:32:48

quite a few of the discrete designs discussed here ARE a form of bandgap reference.

shichen717 · 发表于 2009-8-28 21:45:32

right.
out of question.
freshes.

xynn · 发表于 2009-8-29 10:29:27

大清早的，脑子清醒了点，仔细一瞅，感觉【62楼】 shichen717 和【66楼】 millwood0 都有点说法。

问题在于：【62楼】说“4148抵消BE结温漂，反串联齐纳管降低齐纳管温漂”。也就是说，他认为提供的电路图，是用叠加原理（正加负可以减弱），于是【66楼】指出两者全是负温系，所以不成立（这没错），接着下定论“you cannot cancel out its negative tempco”，我认为这定论对于他提供的电路图来说，可能是错的。因为关键在于，电路图不是用正负抵消，而是用负反馈技术减小温漂的。所以电路中可以实现减小温漂的。同时，电路图中加的稳压管好像基本不起作用（甚至起反作用）_-----但如果用雪崩管，就有了你说的正负反接抵消效果。

shichen717 · 发表于 2009-8-29 12:40:22

这么简单的电路，好像温漂只能依靠稳压管的性能，负反馈作用一般。

xynn · 发表于 2009-8-29 13:29:05

理论上证明这种古老用法的作用还可以，符号不好标，用WORD编辑再剪图，B代表共射放大系数那个字母，横线是减号

(原文件名:反向补偿.jpg)

shichen717 · 发表于 2009-8-29 13:49:57

同意

大家的问题都在于过于简单而不容易做好。
越简单的电路越依靠器件性能，反而不便宜。对那个稳压管的要求很高。
过去的电子管放大器，都是开环用，增益的一致性依赖电子管的一致性。
反馈是20世纪几大发明之一，几乎与原子弹一个量级。

说实话，我估计lz的问题可能是个课上的问题，讨论讨论还行，玩真的还真不好搞。
好多老师都这样，外行，没动过手。

我做精密电流源的，所以体会比较深，合理的情况下，电路越复杂，性能越可能做好。
我的电流源核心9个运放，可不是简单罗列的，全在一个反馈环路里，性能各异，各有用处。
看过agilent 4145B里的SMU电路，更复杂。
431是过去作LED驱动里用的，310V供电，很稳，能满足lz了。

cowboy · 发表于 2009-8-29 13:59:20

【78楼】电路存在的问题：
1 二极管方向画错
2 供电电压不同，输出电流就不同，不恒流
3 分立件的参数很难做得一致，即使相同，但所处的物理位置不同，温度也不相同。

对于第三点，一般是在二极管和三极管射极串联适当的，相同的电阻用偿。完全不补偿的只有在集成电路内部才能做好。

s99060 · 发表于 2009-8-29 14:01:27

78楼第三行公式看不懂

shichen717 · 发表于 2009-8-29 14:08:23

温度补偿很累人的.用分立补集成更累人,分立补分立更更累人

过去想用便宜办法提高OP07的温漂性能，分立补集成，累坏了，离散性太大，放弃了，用了277UA,发现还不如意，仔细研究，用了更好的运放辅助，用简单数学的方法解决了。什么除以10都降一个量级。

还有一次想用NTC补偿大功率金属膜，从50ppm补到10ppm就行，调了2天，决定放弃，不是这个搞法。

xynn · 发表于 2009-8-29 14:39:33

1，把第二个式子代进去，就转变为常见的: ICQ=B*IBQ+（B+1）ICBO （CQ,BQ,CBO应是下标，B是拜他）
2，图下原文件名已注明了“反向”补偿，道理很简单：正向偏置二极管补偿U（BE），反向偏置补偿I（CBO）下标用括号代
3，这是为了说明【shichen717 】温度补偿问题的简图，单单这个图是不恒流。
4，【shichen717 】如果是做IC的，MOS的，把你方案拿给俺大大LOOK下，帮你完善下？他在这块很牛叉的

xynn · 发表于 2009-8-29 15:07:35

7嘴8舌说了这么多，根据以上的帖子，参考下教材，简单总结基本要点，望斧正

1，很多较低的敏感度如HFE，Elizabeth效应等会使输出的“恒流”随电压变化。

2，最便利的基准电压有：1，基极-发射极电压；2，阈值电压；3，热电压；4，PN结反向击穿电压

4个电压的特点有

  （1）温度系数  1，2是负的，约1--2mv/C; 3是正的，约86uv/C ; 4,不一定，齐纳击穿时是负的，雪崩时是正的

（2）偏置基准电路的电源无关性很容易做到，但温度漂移大

（3）温度稳定性设计主要采用温度补偿技术。负温系用稳定的1，正的用3

   （4）电阻上的电流多为多为正温度系数，稳定性差，一般难以直接用于温度补偿。

shichen717 · 发表于 2009-8-29 16:14:43

把你方案拿给俺大大LOOK下，帮你完善下？他在这块很牛叉的
======================================================
贵大大?

别生气,真没看明白

xynn · 发表于 2009-8-29 17:05:17

百度

shichen717 · 发表于 2009-8-29 17:15:05

真得很感谢xynn

商用的，抱歉不好公开。

发个版图看看复杂度，100mA/100V程控精密直流电流源，步进1uA，准确度0.035%，稳定度0.01%，带钳位保护

原理图可能不能发了，不然公司别人都急了。

(原文件名:未命名.JPG)

shichen717 · 发表于 2009-8-29 17:21:38

李智群？

同行，早有耳闻，东南大学搞得不错，据说是国民Z.F.的中央大学。
去年年初去过一次座谈参观。

millwood0 · 发表于 2009-8-29 18:41:25

"符号不好标，用WORD编辑再剪图，B代表共射放大系数那个字母，横线是减号 "

in that design, the "zener" is the same as the transistor: it is an amplified diode and typically out of the same transistor pair so they have (almost) exactly thermal characteristics.

wear778899 · 发表于 2009-9-3 13:47:32

英文太多了。。。。

feiyang_zc · 发表于 2010-4-18 23:19:41

学习了。

jielove2003 · 发表于 2010-4-19 00:50:10

搭车学习

eduhf_123 · 发表于 2010-4-19 03:10:55

MARK 恒流源

harng · 发表于 2010-4-21 17:26:30

MARK一下

tfdsensor · 发表于 2010-6-3 10:16:46

这楼太有技术含量了, 不顶不行

rkfch · 发表于 2010-6-8 19:25:48

我只看

xnliuxiwen · 发表于 2010-6-8 22:17:45

mark

idle · 发表于 2010-6-9 11:18:09

mark

hdd961140543 · 发表于 2010-9-13 21:46:24

mark!

用电阻和三极管怎么做电流源??

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