关于烧写nk.nb0到nandflash后启动失败的问题!

wswwxk

平台：AT91SAM9261 + AT91SAM9261EK_CE6.0_Source_BSP_v1.0.3.zip，
烧写步骤如下
1、 打开sam-ba2.6
2、选择NAND FLASH，执行NAND FLASH INIT和NAND FLASH ERASE
3. 选择DATAFLASH，执行ON CSG0,再执行erase all
4、选择Send BOOT FILE. 把FirstBoot.nb0文件烧进去。
5.修改地址为0X5000，并把EBOOT.nb0文件烧写进去
5、选择NAND FLASH，执行NAND FLASH INIT
6、将NK.nb0文件烧写进去。
此上基本将WINCE6.0烧写进去了

下面拔掉USB线，重启开发板
设置EBOOT
1、按7 launch exiting flash resident image at startup
2、按5设置频率: core at 181, bus divider2
3、按N设置地址
Image Flash Menu :
1) Erase all sectors  
2) Enter manually the image parameters
3) Quit...
>2
Enter the information found in the build report of the 'Make Image'. [entering 0 keeps present value]
Physical Start Address : (0x80059000) : 0x80059000
Starting ip : (0x8005a000) : 0x8005a000
Total ROM size : (0x2000000) : 0x2000000
重启，到下面就没反应了，老卡死在这一句：
Launching windows CE image by jumping at address 0x2005a000
与下面的这张帖子现象一样的
http://topic.csdn.net/u/20091124/15/c7e59c91-731b-4f61-993d-2fcf253e8e38.html
我打印出0x80059000开始的1000个值开始时0，后面全部FFFFFFFF，我怀疑也是地址跳转不对，应该怎么设置呢？
我的地址设置时根据下面来的

(原文件名:2413658_1290678742V6o3.jpg)

还是烧写NAND FLASH要起始地址。求解
贴出我的config.bib文件
MEMORY

; Name Start Size Type
; ------- -------- -------- ----
  BLDR 80000000 00058000 RESERVED
  DRVGLOB 80058000 00001000 RESERVED
  NK 80059000 02000000 RAMIMAGE
  RAM 82059000 01EA7000 RAM ; 47.56 MB
GDIRAM 83f00000 00100000 RESERVED ; use for gdi
CONFIG

。。。。。。。

FSRAMPERCENT=0x40404040

   
ROMSTART=80059000
ROMWIDTH=32
ROMSIZE=02000000

wswwxk

Launching windows CE image by jumping at address 0x2005a000
很多帖子说跳转到内核地址不对，可是具体怎么修改呢，找几天了没结果啊

wswwxk

问题找到，是我的nk.nb0没有烧写到nandflash里面去。