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为何光耦驱动MOS管电压比电源电压低,咋回事▲▲▲

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出20入186汤圆

发表于 2010-12-28 12:47:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
为何光耦驱动MOS管电压比电源电压低,咋回事▲▲▲
如题,看图片,

(原文件名:mos.GIF)

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出20入186汤圆

 楼主| 发表于 2010-12-28 12:49:39 | 显示全部楼层
我这个刹车片两端电压只有20V左右,我去掉刹车片之后仍只有20V左右,哪里有问题?还请各位大哥前辈们帮忙,

电阻是后加的,不加10K电阻好像不受控,厂效应管两端电压会缓慢上升,难道是光耦PC817有漏电流?

出0入0汤圆

发表于 2010-12-28 13:18:56 | 显示全部楼层
既然是N-MOS,也不是做恒流源,为啥把负载挂在S极上, 负载电压一上升,Vgs就下降,如何能饱和导通?

解决办法:
1. 把负载挂到电源和D极之间
2. 如果负载必须有一端接地,那就换P-MOS.

出0入0汤圆

发表于 2010-12-28 13:38:02 | 显示全部楼层
mos是电压驱动可不是3极管……

出20入186汤圆

 楼主| 发表于 2010-12-28 14:20:19 | 显示全部楼层
回复【2楼】shark
既然是n-mos,也不是做恒流源,为啥把负载挂在s极上, 负载电压一上升,vgs就下降,如何能饱和导通?
解决办法:
1. 把负载挂到电源和d极之间
2. 如果负载必须有一端接地,那就换p-mos.
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试试方法一

呵,我是个莱鸟……谢谢,试试看,

出0入0汤圆

发表于 2010-12-28 14:54:45 | 显示全部楼层
这样是跟随,除非你的驱动电压比24V高10V,才能把24V完全加到负载上面。负载和MOS换个位置就OK了,那才是正道。

出20入186汤圆

 楼主| 发表于 2010-12-28 16:01:32 | 显示全部楼层
为什么有区别呢?我感觉放两边都一样的啊?不明白,不过还是要谢谢

出0入0汤圆

发表于 2010-12-28 16:08:51 | 显示全部楼层
回复【6楼】yuyu87 雨
为什么有区别呢?我感觉放两边都一样的啊?不明白,不过还是要谢谢
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MOS管是电压驱动的,要求Vgs即(Vg-Vs) 大于一定值才能导通(IRF630约8~10V,我没查手册), 如果你的负载上端电压要达到24V ,就是Vs是24V,那Vg要达到24+10=34V才能饱和导通.

如果负载挂在电源和漏极之间, 则Vs=0 ,Vg>10V 就行了, 明白没?

出0入0汤圆

发表于 2010-12-28 16:54:14 | 显示全部楼层

(原文件名:未标题-1.jpg)

出20入186汤圆

 楼主| 发表于 2010-12-28 17:48:23 | 显示全部楼层
回复【7楼】shark
回复【6楼】yuyu87 雨
为什么有区别呢?我感觉放两边都一样的啊?不明白,不过还是要谢谢
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mos管是电压驱动的,要求vgs即(vg-vs) 大于一定值才能导通(irf630约8~10v,我没查手册), 如果你的负载上端电压要达到24v ,就是vs是24v,那vg要达到24+10=34v才能饱和导通.
如果负载挂在电源和漏极之间, 则vs=0 ,vg>10v 就行了, 明白没?
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谢谢,又学了新知识,明白了,很详细,谢谢~

出20入186汤圆

 楼主| 发表于 2010-12-30 13:42:36 | 显示全部楼层
我已将将负载放至电源至漏极间了,咋还是一样的效果呢,还是20V左右,郁闷 ~

出0入0汤圆

发表于 2010-12-30 14:22:39 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2010-12-30 22:09:42 | 显示全部楼层
回复【10楼】yuyu87  雨
我已将将负载放至电源至漏极间了,咋还是一样的效果呢,还是20v左右,郁闷 ~
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在MCU的IO为低的时候,测量Mos管Vgs ,要>8V ,另外,你确定管子三个极没有接错?

出0入0汤圆

发表于 2011-2-17 14:09:26 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-2-19 16:04:02 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-2-19 16:40:17 | 显示全部楼层
看看电动车控制器,你就明白了。
你的场效应管没有深度导通的电压。

出0入0汤圆

发表于 2011-2-19 18:58:12 | 显示全部楼层
测下动作时的Vgs吧。

出0入0汤圆

发表于 2011-2-20 23:33:03 | 显示全部楼层
楼主的图接的是个跟随器,GS导通电压是4V,所以输出是24-4=20V,这个和三极管的跟随器是一个道理

出0入0汤圆

发表于 2011-2-21 08:33:20 | 显示全部楼层
理解,谢谢!!

出0入0汤圆

发表于 2011-8-23 10:43:32 | 显示全部楼层
把下面10K的电阻换成大电阻,100k的应该可以(用Proteus仿真是这样的)。MOS管导通还有个GD电容充电的问题。MOS管一般用“图腾柱”,或者自举驱动。若要追求MOS管的频率还要考虑密勒电容的影响以及MOS管误导通,H桥的话还有“死区”时间的问题。LZ最好用专门的MOS驱动芯片比较好。IR2110就不错。频率可以达到500K。

出0入0汤圆

发表于 2015-11-20 09:40:54 | 显示全部楼层
mark一下,后面学习

出0入0汤圆

发表于 2018-5-13 22:35:09 | 显示全部楼层
谢谢,长知识了。
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