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回复: 16

用PMOS代替继电器控制DC24v供电,带隔离功能这个图在实际应用中是否存在问题?

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出0入0汤圆

发表于 2011-7-17 16:31:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

(原文件名:P沟道mos管控制24V电压.jpg)

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前,我没有珍惜,现在想起来,还好我没有珍惜……

出0入0汤圆

发表于 2011-7-17 16:36:04 | 显示全部楼层
地没隔离。。

“上电瞬间,MOSFET会有短暂的导通,光耦应该改变位置,或者接图腾柱之后再驱动MOSFET。”

暴汗~~又没仔细看图。。。。是PMOS。。

出0入46汤圆

发表于 2011-7-17 17:03:37 | 显示全部楼层
正在学习mos,发现坛里有个N MOS管的例子,看下面的图。不知道和P MOS相比,有啥优缺点。

(原文件名:111111.gif)

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-7-17 17:32:33 | 显示全部楼层
回复【1楼】huayuliang  花生
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谢谢花生给的建议!
呵呵,是PMOS不是场效应管。那按您前面的建议我做了修改,您看下面的电路是否在实际应用中可行呢?

(原文件名:P沟道mos管控制24V电压(图腾柱).jpg)

出0入0汤圆

发表于 2011-7-17 18:14:27 | 显示全部楼层
不是高速开关,没必要图腾柱输出控制MOS。

出0入0汤圆

发表于 2011-7-17 18:20:39 | 显示全部楼层
回复【4楼】plc_avr  烈火狂龙
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同意,用到了521,就应该没有高速开关动作,不过光耦30K的上拉感觉大了些,其他感觉还可以

出0入0汤圆

发表于 2011-7-17 18:39:07 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-7-17 19:40:29 | 显示全部楼层
回复【2楼】jasonzhu8888  
n mos管的例子,不知道和p mos相比,有啥优缺点。
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例子很像是我发的, 因为闸极有个10V的齐纳二极管。

NMOS 或 PMOS 主要分别是由负载决定,NMOS 是开关负载的负极, 而 PMOS是开关负载的正极, 和普通的手动开关一样理解。

+24V 接 MOSFET 闸极的朋友, 祝你好运。

出0入0汤圆

发表于 2011-7-17 23:11:46 | 显示全部楼层
3楼那个图 很容易就把MOS管给轰掉的哦  当心啊  要在栅极加个钳位管啊 !  一般MOS管的栅源压差就20V

出0入46汤圆

发表于 2011-7-18 16:20:16 | 显示全部楼层
回复【7楼】eblc1388  
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  是的,直接把你的图保存本地学习了。不好意思,应该加引用说明。另外,很感谢你的回复!

出0入0汤圆

发表于 2011-7-19 19:04:42 | 显示全部楼层
楼主位仅地没隔离(也可能是笔误),其它没问题的。

出0入4汤圆

发表于 2011-7-19 20:48:01 | 显示全部楼层
建议使用max5902+IRF7240,这样也能达到你的效果

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-8-5 12:27:22 | 显示全部楼层
回复【10楼】on971  
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今天想到地隔离的这个问题,那上面我传上来的电路,您说地没有隔离,不是我笔误,确实是不知道!现在知道了,光耦隔离后面的电路地要单独用一个net,好比是RGND,对吗?这样做地就被隔离。

出0入0汤圆

发表于 2011-8-5 12:48:29 | 显示全部楼层
提示一点,一定要注意:
    MOSFET做电子开关的,输出负载如果有电容存在,电容不能太大(能允许的电容容量大小跟MOSFET有关),否则可能会烧MOSFET管,因为在开通时有一段时间是给输出端电容充电的,这个充电开始阶段电容相当于短路,电流非常大,且MOSFET2端的压差很大,所以容易烧MOSFET管,如果非要接大电容的输出的,必须加限流电路。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-8-5 13:34:53 | 显示全部楼层
回复【13楼】alphi  
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紧记您的提示,谢谢!

出0入0汤圆

发表于 2012-12-2 21:35:29 | 显示全部楼层
学习一下。。。

出0入0汤圆

发表于 2012-12-3 09:05:15 | 显示全部楼层
第一个电路加上个栅极保护应该就可以了.
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