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发表于 2012-3-26 17:26:42
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光从电路看，建议楼主1、如1楼所说换晶体；2、把R2改为10M；3、根据芯片和晶体负载电容计算C1,C2的值，调整负载电容。
时钟电路看似简单，设计的时候还是需要多多注意，很多参数不是随便弄一个上去就能使用的。
晶体电路的设计主要考虑三个方面的匹配：
1.阻抗匹配：阻抗匹配。即振荡电路的阻抗需要大于所选晶体的等效阻抗的3倍，振荡电路可以安全起振。
在上图Y1和R2之间（R1对称位置）串接一可调电阻，调节电阻阻值到晶体停振。此时的电阻阻值即为振荡芯片能够提供的阻抗（Rf），该阻值加上晶体的等效阻抗值（Re），即为振荡电路的阻抗（R）。
2.负载匹配：负载匹配是电路的负载电容值要等与晶体厂家在规格书中标明的负载电容值。当电路负载电容大于规格书的电容值时，晶体频率小于标称频率；当电路负载电容小于规格书中的电容值时，晶体频率大于标称频率。也即:
也即:C1X C2/(C1+C2)+CS=CL
其中：C1/C2：为楼主图所示外围调节电容
CS：PCB走线以及芯片管脚寄生电容，一般都在5-7PF以内。
CL：晶体规格书所述晶体的负载电容
3.激励功率匹配：振荡电路的激励功率必须匹配晶体规格书中所述的最大激励功率。
根据经验，最佳匹配功率为最大的激励功率Pmax/（2的0.5次方）。计算方法比较麻烦，这里也不好编辑公式，所以这里不再详细列举，有需要的话什么时候写个文档共享上来。 |
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楼主
