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请教外部芯片电源控制的典型电路

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出0入0汤圆

发表于 2012-6-6 11:28:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
情况是这样的,在一个项目中,我需要系统在待机模式下有一个极低的功耗。虽然系统中有一些芯片本身支持待机模式,但电流损耗还是较大。
现在我希望通过专用芯片或mos管直接控制其供电电源,达到低功耗的目的。
我想请教一下,有哪些可靠、稳定的典型电路或者控制芯片能达到我的要求,成本尽量低一些。由于我在系统中用到SIM模块,该模块电流较大,所以希望这个电路至少能通过2A的电流,并且这个电路本身不要有太大的电流损耗。

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

一只鸟敢站在脆弱的枝条上歇脚,它依仗的不是枝条不会断,而是自己有翅膀,会飞。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2012-6-6 11:31:52 | 显示全部楼层
谢谢大家

出70入145汤圆

发表于 2012-6-6 12:38:50 | 显示全部楼层
这个系统的供电有没有使用电源芯片降压后供电?要是电源芯片降压后对后端系统供电的话,使用带EN控制脚的电源芯片,现在新出来的芯片EN关后电源芯片静态损耗都《1uA。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2012-6-6 13:11:32 | 显示全部楼层
hailing 发表于 2012-6-6 12:38
这个系统的供电有没有使用电源芯片降压后供电?要是电源芯片降压后对后端系统供电的话,使用带EN控制脚的电 ...

是这样的,我们的系统中有很多芯片需要独立控制,如果都采用独立电源的话成本会比较高,现在想通过专用的通断芯片或者Mos管控制。

出0入0汤圆

发表于 2012-6-6 13:30:44 | 显示全部楼层
先区分出电路中的用电大户 然后这些有独立的MOS管控制 (待机时直接断电) 其余的统一控制(Shutdown)

出0入127汤圆

发表于 2012-6-6 13:38:36 | 显示全部楼层
FDS4435  AO4435  PMOS关短就可以吧

出70入145汤圆

发表于 2012-6-6 21:45:51 | 显示全部楼层
专用的通断芯片没看到过,要做到uA级别的功耗,用芯片实现通断本身芯片也有功耗。使用PMOS是比较好的选择。电源---S--------------D-------后端
                                                                                                                                                            -上拉电阻-g
                                                                                                                                                                         NPN--------IO控制/高电平有效
之前使用过FDN304,SOT-23封装,大约5毛。2.4A,-20V

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2012-6-7 08:42:14 | 显示全部楼层
NemoGu 发表于 2012-6-6 13:30
先区分出电路中的用电大户 然后这些有独立的MOS管控制 (待机时直接断电) 其余的统一控制(Shutdown) ...

谢谢您的意见,将功率稍大的电路独立出来,是出于Mos管电流容限的考虑么?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2012-6-7 08:55:52 | 显示全部楼层
hailing 发表于 2012-6-6 21:45
专用的通断芯片没看到过,要做到uA级别的功耗,用芯片实现通断本身芯片也有功耗。使用PMOS是比较好的选择。 ...

这个芯片的GS电压要求很大,如果系统电压只有3.3V,那GS只有-3.3V,是不是不能完全导通,影响带载能力?

出0入0汤圆

发表于 2012-6-7 09:47:26 | 显示全部楼层
automaticdai 发表于 2012-6-7 08:42
谢谢您的意见,将功率稍大的电路独立出来,是出于Mos管电流容限的考虑么? ...

可否考虑直接用电源开关之类的芯片呢
如果成本有要求 那就要找MOS管 不过电流容限大的 关断电流可能会有所偏大 折中取舍吧

出0入0汤圆

发表于 2012-6-7 10:48:46 | 显示全部楼层
automaticdai 发表于 2012-6-7 08:55
这个芯片的GS电压要求很大,如果系统电压只有3.3V,那GS只有-3.3V,是不是不能完全导通,影响带载能力? ...

可以找些VGS小的呀,比如手机电池里的那种

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2012-6-7 14:56:31 | 显示全部楼层
刚才简单做了一个实验,用了一个P沟道Mos管控制芯片电源输入。
带负载约100mA时可正常开关,但上电时有大约1V的脉冲。
如何设计电路,缓解上电尖峰?

出70入145汤圆

发表于 2012-6-7 16:30:18 | 显示全部楼层
我没写清楚,-20V指的是VDS, VGS为最小为-1.8V。
带负载约100mA时可正常开关,但上电时有大约1V的脉冲。
------脉冲?还是过冲?最好上个示意图。一般开关管后面有电容,打开开关的时候不会产生上电尖峰。通过上拉电阻保证在前端系统上电的情况下,IO没动作前开关不会被误触发。

出0入0汤圆

发表于 2012-6-7 17:08:08 | 显示全部楼层
AO3415,4A,很不错。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2012-6-7 17:55:21 | 显示全部楼层
hailing 发表于 2012-6-7 16:30
我没写清楚,-20V指的是VDS, VGS为最小为-1.8V。
带负载约100mA时可正常开关,但上电时有大约1V的脉冲。
-- ...

应该是过冲吧,如图:

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出70入145汤圆

发表于 2012-6-8 12:03:34 | 显示全部楼层
pmos关断电路后端的电容是多少?另外你是直接使用IO串电阻控制PMOS的G吗?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2012-6-8 13:28:58 | 显示全部楼层
hailing 发表于 2012-6-8 12:03
pmos关断电路后端的电容是多少?另外你是直接使用IO串电阻控制PMOS的G吗?

没有后端电容。
还没加三极管,是IO直接驱动的,有一个上拉电阻。

出70入145汤圆

发表于 2012-6-8 14:09:40 | 显示全部楼层
建议后面加个10--100uF的电容,IO串电阻驱动G,串的电阻和上拉电阻组成分压电路后还能可靠驱动PMOS为准。
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