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2812程序烧写到flash中和在ram中调试的延时时间会不同呢

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出0入0汤圆

发表于 2012-7-15 15:35:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
问下为什么程序烧写到flash中和在ram中调试的延时时间会不一样呢?
就一个简单的流水灯程序,主要程序如下:
                for(i = 0;i < 6;i++)
                 {
                         GpioDataRegs.GPADAT.all = 1<<i;
                        delay(300);
                }
延时程序如下:
void delay(Uint16 delaytime)
{
  Uint16  i,j;
  for(i=0;i<delaytime;i++)
   for(j=0;j<6250;j++);
}

就这个程序烧写到flash中比在ram中延时时间明显长了好多,这是为什么呢?

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前,我没有珍惜,现在想起来,还好我没有珍惜……

出0入0汤圆

发表于 2012-7-18 23:37:12 | 显示全部楼层
不为什么,就这样
2812的程序烧写到flash中就直接在flash里跑,flash的读写速度肯定比RAM慢,所以你的程序也就慢了,尤其是靠for循环控制延时的程序。
要么你就用定时器精确定时,这个不会慢。要么就研究下把程序从FLASH里拷贝到RAM的方法。
别用延时控制程序执行周期

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2012-7-19 22:52:54 | 显示全部楼层
lmzmars 发表于 2012-7-18 23:37
不为什么,就这样
2812的程序烧写到flash中就直接在flash里跑,flash的读写速度肯定比RAM慢,所以你的程序 ...

还是不太明白,程序在flash中运行和ram中运行的机器周期应该一样的吧
我这程序中的for循环所需的机器周期也应该一样?
所谓的flash的读写是指cpu读取程序的时间?
初学,不是很懂,这个有什么书籍或者网站详细的解释的吗?谢谢了

出0入0汤圆

发表于 2012-11-16 19:28:47 | 显示全部楼层
shmiljys 发表于 2012-7-19 22:52
还是不太明白,程序在flash中运行和ram中运行的机器周期应该一样的吧
我这程序中的for循环所需的机器周期 ...

这个LZ解决了吗?我最近在测试Flash的速度,好像跟楼主差不多,能否加QQ讨论:313706844

出0入0汤圆

发表于 2012-11-16 19:35:07 | 显示全部楼层
本帖最后由 NJ8888 于 2012-11-16 19:39 编辑

是不一样,好多年前我写过2812代码运行速度研究的论文,万方应当能找到。因为坛子里很多人会说是中国论文都是骗职称的,所以就不给你链接了

出0入0汤圆

发表于 2012-11-16 21:47:48 | 显示全部楼层
NJ8888 发表于 2012-11-16 19:35
是不一样,好多年前我写过2812代码运行速度研究的论文,万方应当能找到。因为坛子里很多人会说是中国论文都 ...

9倍有点夸张吧,没搜到您的论文,方便的话可以发我QQ邮箱313706844@qq.com谢谢
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