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发表于 2012-9-1 09:49:35
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LGT 发表于 2012-8-30 15:28 
08A目前不支持你所说的功能。
如果你需要实时的更新E2PROM， 可以考虑先将数据缓存到SRAM中。等到系统处 ...
记得普通的５１单片机，写eeprom时，没写入完成，程序可以继续往下跑。而;flash则会完成了之后，程序才可以继续往下跑。
lgt则需要等待最慢20ms，之间不能执行任何代码。这样的死等限制，对于特定的功能，难以实现。
lgt的提供的demo，我还是有点疑问：
void DrvEEPROM_ProgEByte(u16 wAddr, u16 u16Len, u8 *pData)
{
u8 sregval;
u16 i;
// read status register
sregval = SREG;
// clear global interrupt enable
CLI();
// wait for completion of previous write
for(i = 0; i < u16Len; i++)
{
while(EECR & (1 << EEPE));既然写入完成是死等，那还有必要用查询方式来判断是否完成吗？如果判断写入未完成，又跟写入未完成时不能跑任何程序有矛盾
// address
EEARH = (wAddr >> 8) & 0x3;
EEARL = (wAddr) & 0xff;
// data
EEDR = *pData;
// Program Mode
EECR = (EECR & (~DRVEEPROM_MODE_MSK));
// write logical one to EEMWE
// start eeprom write by setting EEWE
asm volatile
(
"sbi 0x1f, %0\n\t" //EECR |= (1 << EEMWE);
"sbi 0x1f, %1\n\t" //EECR |= (1 << EEWE);
::"M"(EEMPE),"M"(EEPE)
); 程序在此等待写入完成吗？
pData++;
wAddr++;
}
//
SREG = sregval;
// wait for completion of This write
while(EECR & (1 << EEPE));
}
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发表于 2012-8-23 10:18:24
