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发表于 2013-3-8 00:05:28
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本帖最后由 liubin1109 于 2013-3-8 00:10 编辑
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1,所有退耦电容0.1uF应该尽可能靠近IC(FE2.1)
2,FE2.1管脚8(VDD5)放置一片10uF/16V(X5R)/1206陶瓷电容,并且电流流向应该在进入管脚8 VDD5之前流经此电容
3,DP, DM差分线阻抗 = [DP(45ohm) + DM(45ohm)] = 90 ohm,并且DM DP不要翻面,防止阻抗失配
4,VDD5(pin 8) 到 VD33_OUT(pin 9) 的电流保持500mA
5,DM DP信号线保持40mil,并远离其它线
6,其它器件避开XTAL,并远离DP/DM信号。XTAL的底层铺满GND
7,REXT (pin 27)连接的电阻R8应该尽可能靠近IC,并且在电阻接地端打大量的GND孔
8,REXT(pin 27)、VD33(pin 26)、 VD18_O(pin 25)所连接元件(R8, C10, C12)的接地端应该可靠接地(打大量的GND孔)
9,VD_PLL(pin 21)的退耦电容(C14)的接地端应该可靠接地(打大量的GND孔)
10,参考电流路径的原理图,仔细地计算电流主通路的线宽
11,5对DP DM信号线的长度,包括一个上游口和所有下游口,应该不少于1500mil,with 15 of 45-degree-angle,which will degrade the DP DM driving strength in order to pass USB-IF
requirement only. If not, the shorter and straight DP DM signal line, make
longer transaction capability (more than 5 meter).
12,减少电源线的翻面。如果电源线翻面,需要至少打2个1mm的通孔。如果通孔小于1mm,通孔数量应该翻倍
13,下游口的电容,100uF,应该尽可能靠近每个USB连接器的VCC
14,PTC保险丝需要使用low drop类型
15,OVCJ 和 PWRJ信号网络应该小于400mil,远离任何USB连接器,并且信号底层应该打大量的GND孔(防止GND切割),可以降低ESD干扰
16,USB连接器的外壳地应该直接连接到GND,不用切割,并且打大量的GND孔(每平方厘米10个孔),可以减低EMI影响
17,在USB上游连接器的Vbus 5V线上增加一个磁珠 Bead/100MHZ/470ohm/2A,可以降低来自PC主机的噪声
18,用电源面代替电源线,会有更好的EFT(电快速瞬变脉冲群抗扰度试验)稳定性。
PS:对11的线长1500mil不理解。
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看到LZ的PCB有些via放在焊盘上,批量/上锡膏不行。。。还有就是via的外径比内经才大0.1,丝印粗细应大于0.1778mm,焊盘孔径。。。这些对厂家来说都不好做, |
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