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请教:关于MOS管驱动芯片的作用

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出0入0汤圆

发表于 2013-4-15 14:27:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
我看别人的电路中,驱动MOS管,都用了个8脚的芯片。IR2103之类的。
起啥作用?
我想驱动一个小管子:IRF530. Vgs 打开的电压在3-4V。
用5V单片机的IO口直接驱动行不? 或者加个驱动,74HC04 ,或者74LS04之类的。

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出0入127汤圆

发表于 2013-4-15 14:45:10 | 显示全部楼层
1、增强驱动能力  2、电平转换   你这个电压较低,如果频率较高,还要考虑IO口驱动能力,最好选择IRL系列逻辑驱动管子

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-4-15 14:53:54 | 显示全部楼层
llssr 发表于 2013-4-15 14:45
1、增强驱动能力  2、电平转换   你这个电压较低,如果频率较高,还要考虑IO口驱动能力,最好选择IRL系列逻 ...

谢谢啦!
那再问个问题,哈,就是我看一般都串个小电阻,几十欧姆的小电阻,起啥作用啊?

出0入0汤圆

发表于 2013-4-15 21:44:47 | 显示全部楼层
同问。期待高手

出0入0汤圆

发表于 2013-4-15 23:09:37 | 显示全部楼层
MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用

如果MOS管的G信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗
其副作用是降低电路转换效率,MOS管发热严重,易热损坏

MOS管GS间存在一定电容,如果G信号驱动能力不够,将严重影响波形跳变的时间

至于那个小电阻,功能不是很确定,可能是防止过流吧!

出0入0汤圆

发表于 2013-4-16 07:21:14 来自手机 | 显示全部楼层
主要是需要大电流,能快速冲过miller平台

出0入0汤圆

发表于 2013-4-16 08:44:52 | 显示全部楼层
第一点:你说的3-4V是导通电压,此时的MOSFET虽然导通,但通态电阻(Rce)比较大,流过大电流时MOSFET发热严重,所以一般栅极驱动电压都是在15V左右,驱动IC可以把0-5V信号电压变成0-15V的驱动电压,快速完成信号转变;
第二点:IR的芯片有自举功能,可以驱动H桥高端的MOSFET而不需要加隔离电路;其次IR芯片的输出15V驱动电压有大约400mA的驱动电流(单片机IO最多20mA吧),可以保证MOSFET快速的开通,降低MOSFET的开关损耗。
此外,在一些大电流、高速应用的场合,IR芯片是不用的,因为它的驱动电流还是太小。大电流的MOSFET/IGBT栅极电容很大,又需要快速给栅极电容充电,让栅极瞬间达到15V,以实现高频的开关导通功能,显然400mA太小(实际峰值有的达到十几A)。还有,开通的过程中,米勒效应会加大栅极的电容,延迟开通过程,如果栅极驱动电流不够,米勒平台会很长,MOSFET/IGBT开通损耗更加大。
看看MOSFET/IGBT开通的栅极变化电流示意图:

再看看米勒效应:

当然,你如果是小功率、低频应用场合,是不用考虑这些的,只需要给它15V的电压甚至更低,就行了。

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出0入0汤圆

发表于 2013-4-16 08:54:13 | 显示全部楼层
你说的几十Ω电阻是串在栅极上吧?那是Rg电阻,这个电阻很重要。
MOSFET/IGBT栅极有电容和杂散电感、布线电感,驱动栅极时这些电容、电感构成LC震荡电路,震荡的电压幅值会超过栅极安全电压20V,Rg电阻就是起抑制这个震荡作用的。Rg越大,栅极驱动电压变化越平缓,当然开通时间也越长;Rg越小,则栅极驱动电压变化越强烈,开通时间也越短。一般选值在3-10Ω(大功率、高频应用场合)。
看看不同Rg的栅极电压变化:

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出0入0汤圆

发表于 2013-10-14 19:12:15 | 显示全部楼层
这个说的好专业,这些资料那里可以找到呢

出0入0汤圆

发表于 2013-10-17 00:45:44 | 显示全部楼层
怎么没有人回答呢

出0入0汤圆

发表于 2013-10-17 06:51:50 | 显示全部楼层
llssr 发表于 2013-4-15 14:45
1、增强驱动能力  2、电平转换   你这个电压较低,如果频率较高,还要考虑IO口驱动能力,最好选择IRL系列逻 ...

请教下,IR的MOS比如 IRF,IRFP,IRFL等系列都有什么区别?

出0入127汤圆

发表于 2013-10-17 08:05:20 | 显示全部楼层
AIHHLI 发表于 2013-10-17 06:51
请教下,IR的MOS比如 IRF,IRFP,IRFL等系列都有什么区别?

直接从型号上看是封装和最大开启电压不同,更详细的去IR网站看下

出90入0汤圆

发表于 2013-10-17 08:46:06 | 显示全部楼层
liu_shu
顶你,非常专业。

出0入0汤圆

发表于 2014-5-27 15:25:54 | 显示全部楼层
标记,MOS管驱动

出5入14汤圆

发表于 2014-5-27 21:44:32 | 显示全部楼层
liu_shu 发表于 2013-4-16 08:54
你说的几十Ω电阻是串在栅极上吧?那是Rg电阻,这个电阻很重要。
MOSFET/IGBT栅极有电容和杂散电感、布线电 ...

顶!说的透彻!

出0入0汤圆

发表于 2014-7-10 21:18:25 | 显示全部楼层
顶起 liu_shu

出0入0汤圆

发表于 2014-7-23 13:14:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 yutianku 于 2014-7-23 13:17 编辑
liu_shu 发表于 2013-4-16 08:44
第一点:你说的3-4V是导通电压,此时的MOSFET虽然导通,但通态电阻(Rce)比较大,流过大电流时MOSFET发热 ...


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您好!上图是一个MOS管搭建的H桥驱动电路,请问电路中驱动芯片前级的逻辑芯片7400起什么作用呢?能否取消,直接通过单片机IO口连接驱动芯片IR2104有问题吗?
另外,关于MOS是电压控制型开关器件,三极管是电流型器件的理解,不知正确与否:
MOS管是电压控制型器件,只需在栅源极之间施加合适电压,沟道即可开启。在沟道开启时,需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电,让沟道尽快开通,这个电流往往是A级的。沟道开通后,理论上说不需要栅极维持电流,但实际上由于栅极有漏电流存在,往往需要保持一个稳态的栅源电压,但这个漏电流通常uA级,与BJT三极管的mA级相距甚远。
希望大师指点一下迷津,感谢!

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出0入0汤圆

发表于 2014-9-27 15:01:20 | 显示全部楼层
学习了,真没想到还有这么大的作用。

出50入178汤圆

发表于 2014-9-27 23:35:49 来自手机 | 显示全部楼层
建议去看一下mos驱动计算的文章。

出0入0汤圆

发表于 2014-10-8 22:18:22 | 显示全部楼层
也可以使用图腾柱驱动 不过我还学的不怎么好

出0入0汤圆

发表于 2014-10-8 22:34:27 | 显示全部楼层
看一遍有一次的收获。

出0入0汤圆

发表于 2014-11-11 16:53:55 | 显示全部楼层
好帖

出0入0汤圆

发表于 2014-11-13 16:07:56 | 显示全部楼层
8楼,真的好强大。
佩服,看来要学习的还有很多

出0入0汤圆

发表于 2014-11-14 10:19:22 | 显示全部楼层
呵呵 刚注册混经验

出0入0汤圆

发表于 2022-6-29 15:19:41 | 显示全部楼层
牛,学习了!为了这个贴子专门充了会员
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