请教LGT技术人员 外部晶振是否对写EEPROM有影响

liujian6f

请教LGT技术人员 外部晶振是否对写EEPROM有影响 ssop24的芯片   当用内部rc时读写正常
用个部晶振12M 读出正常 偶尔能写成功  极不稳定

调试时 走一次后EEPE使终为1 （手册上说写成功后会硬件清零）       改内部RC时钟则无任何问题   

以下是程序

1. #include <iolgt8f0xa.h>
   
2. #include <intrinsics.h>
   
3. 
   
4. #define uchar unsigned char
   
5. #define uint  unsigned int
   
6. 
   
7. #define F_CPU 12000000UL
   
8. #define delayms(x) __delay_cycles(x*F_CPU/1000)
   
9. uchar i;
   
10. uchar temp[255];
    
11. 
    
12. void clock_init()
    
13. {
    
14.   PMCR=0X31;
    
15.   delayms(10);
    
16.   PMCR=0X30;
    
17.   CLKPR=0X80;
    
18.   CLKPR=0X80;  
    
19. }
    
20. void eeprom_write(uchar add,uchar dat)
    
21. {
    
22.   while(EECR&(1<<EEPE));
    
23.   EEAR=add;
    
24.   EEDR=dat;
    
25.   EECR|=(1<<EEMPE);
    
26.   EECR|=(1<<EEPE);
    
27. }
    
28. uchar eeprom_read(uchar add)
    
29. {
    
30.   while(EECR&(1<<EEPE));
    
31.   EEAR=add;
    
32.   EECR|=(1<<EERE);
    
33.   __no_operation();
    
34.   __no_operation();
    
35.   return EEDR;  
    
36. }
    
37. int main( void )
    
38. {
    
39.   clock_init();
    
40.   while(1)
    
41.   {
    
42.       eeprom_write(i,i);
    
43.       i++;
    
44.   }
    
45. }
    

复制代码

liujian6f

没人遇到过吗？自己顶下

xwkm

void EEPROM_write(unsigned int uiAddress, unsigned char ucData)
{
      /* Wait for completion of previous write */
      while(EECR & (1 << EEPE));
      /* Set up Address register */
      EEAR = uiAddress;
      /* Setup Data register */
      EEDR = ucData;
     /* Set up EEPROM operation */
      EECR &= ~(1 << EEPM2); //注意是选中EEPROM
      /* Write logic one to EEMPE*/
      EECR |= (1 << EEMPE);
      /* Start EEPROM programming by writing EEPE */
      //4NOP
      nop();
      nop();
      nop();
      nop();
      EECR |= (1 << EEPE); //这个函数应该没有问题，我用的就是这个
}

void clock_init()
{
#if SOP28
  PMCR=PMCR | _BV(OSCMEN);//工程样片
#else
  PMCR=PMCR & ~_BV(OSCMEN);//开外部晶振
#endif
//EFLASH操作建议不要关内部RC
  delay_ms(30);
  PMCR=PMCR & ~_BV(LFEN);//关内部低频RC
  PMCR=PMCR | _BV(EXTMSEL);
CLKPR=0x80;
CLKPR=0x00;//分频0
}

xwkm

上面的程序应该没问题

liujian6f

xwkm 发表于 2013-5-4 21:02
上面的程序应该没问题

你好 先谢谢你提供的程序  可是刚测试还是不行 在SSOP24上试的  不能关内部RC  一关用外部晶振就死了 写不进去   现在的办法是要写EEPROM时切到内部RC写好后 再切回外部晶振

你有试过只用外部晶振 写成功EEPROM吗？  读是没问题的   

SOP8上试也是一样  SOP28外部晶振本身就有问题就没试了

xwkm

liujian6f 发表于 2013-5-4 22:36
你好 先谢谢你提供的程序  可是刚测试还是不行 在SSOP24上试的  不能关内部RC  一关用外部晶振就死了 写 ...

内部RC不能关，可以直接切换到外部晶振上去的。这个时候只要保证内部RC在运行写操作就不会错误。
我试过了这个程序，在LQFP32下运行完全正常。

xwkm

另外说下，SOP28不是外振问题，是复位线问题。具体就是内部RC在晶振启动后被自动关闭。结果复位后导致了系统自动切换到不存在的内部RC中。后果就是死机。

liujian6f

xwkm 发表于 2013-5-4 22:38
内部RC不能关，可以直接切换到外部晶振上去的。这个时候只要保证内部RC在运行写操作就不会错误。
我试过 ...

内部RC 与外部晶振同时工作  那么系统时钟源来自那个？

xwkm

liujian6f 发表于 2013-5-4 22:42
内部RC 与外部晶振同时工作  那么系统时钟源来自那个？

看EXTMSEL位。为1就是外振，0就是内帧。

liujian6f

xwkm 发表于 2013-5-4 23:14
看EXTMSEL位。为1就是外振，0就是内帧。

非常感谢！刚编了下程序 测试通过了  内部RC一直开着就好了！

liujian6f

void clock_init()
{
  PMCR=0X31;
delayms(10);
//  PMCR=0X30;屏蔽掉这句 问题就解决了   
  CLKPR=0X80;
  CLKPR=0X80;  
}
不知道这样子功耗会不会增加  还好现在对功耗没要求 就不去深究了 有机会再测试了

xwkm

liujian6f 发表于 2013-5-4 23:40
void clock_init()
{
  PMCR=0X31;

功耗肯定要比单独外部晶振或者单独内部RC高一点的。
顺带说下，LGT正式片的外振从启动后就是打开的：

如果是工程片的话建议打开外振后进行延时再去切换时钟，你这种切换方式不算很安全。因为PMCR=0x31是置位了EXTMSEL位，系统时钟都过去了延时也无意义了。
应该先清除OSCMEN（对于工程片是置位OSCMEN），延时，然后清除LFEN，最后打开EXTMSEL。改变分频。这样才是正确的。
说明书上说过FLASH操作时钟是靠内部的RC产生的。所以关闭内部RC当然不能操作FLASH啦。

liujian6f

xwkm 发表于 2013-5-5 08:55
功耗肯定要比单独外部晶振或者单独内部RC高一点的。
顺带说下，LGT正式片的外振从启动后就是打开的：

非常感谢  你的解答  谢谢

xwkm

不用客气。