|
|
18f的EEPROM阵列刷新是用来干什么的？
是不是说EEPROM擦/写了大概快10M次后，只要执行
阵列刷新，就可以再擦/写了10M次，如此循环？
D124 TREF 在刷新之前的总擦写周期数(2) 型值† 10M
2： 有关EEPROM 耐擦写能力的更多细节，请参见第7.8 节“ 使用数据EEPROM”
7.8 使用数据EEPROM
数据EEPROM 是高耐擦写周期，可字节寻址的阵列，
已对其进行优化，允许频繁地更改存储信息（例如，程
序变量或其他经常更新的数据）。更新频率通常要高于
D124 规范中的规定。如果情况并非如此，就必须执行
阵列刷新。因此，不常修改的变量（例如常数、ID 和校
准值等）应该存储在闪存程序存储器上。
例7-3 所示为简单的数据EEPROM 刷新程序。
例7-3： 数据EEPROM 刷新程序
CLRF EEADR ; Start at address 0
BCF EECON1, CFGS ; Set for memory
BCF EECON1, EEPGD ; Set for Data EEPROM
BCF INTCON, GIE ; Disable interrupts
BSF EECON1, WREN ; Enable writes
Loop ; Loop to refresh array
BSF EECON1, RD ; Read current address
MOVLW 55h ;
MOVWF EECON2 ; Write 55h
MOVLW 0AAh ;
MOVWF EECON2 ; Write 0AAh
BSF EECON1, WR ; Set WR bit to begin write
BTFSC EECON1, WR ; Wait for write to complete
BRA $-2
INCFSZ EEADR, F ; Increment address
BRA LOOP ; Not zero, do it again
BCF EECON1, WREN ; Disable writes
BSF INTCON, GIE ; Enable interrupts
注： 如果数据EEPROM 仅用于存储常数和/
或很少修改的数据，可能不必进行阵列刷
新。请参见D124 规范。
如果EEPROM中有些数据很少被改写，而另一些数据改写次数较频繁， 这些相对静态的、很少修改的数据就有可能被破坏掉。为了防止数据被破坏，就要周期性的刷新。
所以要避免周期性刷新，这些“configuration/calibration data”静态数据最好放在程序空间。
关于这个问题，在Microchip网站的英文论坛里也有过很多讨论，确实在理解上很容易混淆。综合了一些网上的讨论结果，总结如下。
1）EEPROM的工艺上，是用浮栅保存电子来记忆数据。当某个EEPROM单元保存了一个数据，如果你不再对EEPROM进行擦写操作，或者掉电，这个浮栅里的电子（也就是数据）能够保存大于40年时间。
2）如果某个EEPROM单元保存了固定数据，而你又对EEPROM的其他单元进行了擦写，在每次对其他单元的擦写时，都会在一定程度上影响那个保存固定数据的单元。这是所有EEPROM的共同特性。
3）正因为2）的影响，如果对于其他单元的擦写次数过多，那个保存固定数据的单元里的内容，有可能在一定其他单元擦写次数后发生改变。
4）如果对那个保存固定数据的单元进行了刷新（Refresh），方法是，把它单元里的内容读出来，再写回去。这样操作后，它就回到了最初状态，没有了之前擦写对它的影响。
5）在3）中提到的“对其他单元的一定擦写次数”之后，固定数据单元里的内容有可能发生改变。这里的“一定擦写次数”，参考数据手册是：如果只对一个字节擦写，是100K次。总共擦写次数是1M次。这就意味着，如果EEPROM里有某个单元数据几乎不变，你对其他单元擦写100K次之前，需要把那个不变化的单元至少刷新一次。（注意：具体参数以对应型号的数据手册为准, 这里提到的数字仅供参考.）
6）数据手册里建议把常数或很少改变的数据放到Flash程序空间里是非常正确的，这样就可以避免执行Refresh的过程。
7）如果你的设计对EEPROM的写入不会大于（单字节擦写100K次）或（总共1M次），可以不考虑Refesh的问题。（注意：具体参数以对应型号的数据手册为准, 这里提到的数字仅供参考.） |
|
发表于 2013-6-6 10:31:56
