尝试用PI厂的软件设计一个24V开关电源

90999

脑抽了，自己做个开关电源..........

PI Expert Suite 9.0

先用PI Expert 设计原理图

False        False    False    Bitmap         file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\msohtml1\01\clip_image002.gif   电源输入
变量	值	单位	说明
VACMIN	85	V	最小输入交流电压
VACMAX	265	V	最大输入交流电压
FL	50	Hz	线电压频率
TC	2.69	ms	二极管导通时间
Z	0.64		损耗分配因子
ŋ	70.0	%	估计效率
VMIN	81.6	V	最小直流输入电压
VMAX	374.8	V	最大直流输入电压
输入部分
变量	值	单位	说明
Fuse	1.60	A	输入保险丝额定电流
IAVG	1.17	A	二极管整流桥平均电流（直流输入电流）
Thermistor	10.00	Ω	输入热敏电阻
器件变量
变量	值	单位	说明
器件	TOP257EN		PI器件名称
Device  Mode	默认		器件限制模式
OVP_FLAG	禁用		输出过压保护
PO	67.09	W	总输出功率
VDRAIN  Estimated	605.06	V	实际估计漏极电压
VDS	10.67	V	导通状态漏极到源极的电压
FS	132000	Hz	开关频率
KP	0.50		连续/非连续工作比率
KI	1.00		流限降低系数
ILIMITEXT	3.16	A	设定的电流限制
ILIMITMIN	3.16	A	最小限流点
ILIMITMAX	3.64	A	最大限流点
RPL	9.10	MΩ	功率限制电阻
RPL2	9.10	MΩ	第二个功率限制电阻
RLS	2.0	MΩ	线电压检测电阻
RLS2	2.0	MΩ	线电压检测电阻
PLIM_FLAG	包括		启用过载功率限制
IP	2.39	A	峰值初级电流（VMIN处）
IRMS	1.48	A	初级RMS电流（VMIN处）
P_NO_LOAD	250	mW	估计空载输入功率
DMAX	0.66		最大占空比
RTH_DEVICE	7.87	°C/W	PI 器件最大热阻
DEV_HSINK_TYPE	铝成型		PI 器件散热片类型
DEV_HSINK_PN	533702B02552G		PI 器件（挤压式）散热元件编号
箝位电路
变量	值	单位	说明
Clamp  Type	RCD + 稳压管箝位		箝位类型
VCLAMP	175	V	估计平均箝位电压
估计的箝位损耗	2.57	W	箝位损耗
偏置变量
变量	值	单位	说明
VB	15.0	V	偏置电压
IB	0.006	A	偏置电流
PIVB	65	V	偏置整流管最大反向峰值电压
NB	8		偏置绕组圈数
变压器构造参数
变量	值	单位	说明
磁芯类型	EER28L		磁芯类型 (手动覆盖)
磁芯材料	NC-2H (Nicera)或同等规格		磁芯材料
骨架参考	Generic, 6 pri. + 6 sec.		骨架参考
骨架方位	水平		骨架类型
初级引脚	5		使用的初级引脚数
次级引脚	6		使用的次级引脚数
USE_SHIELDS	包括		使用屏蔽绕组
LP_nom	323	µH	额定初级电感量
LP_Tol	10.0	%	初级电感容差
NP	60.0		计算初级绕组总圈数
NSM	4		次级主绕组圈数
CMA	437	Cmils/A	初级绕组电流容量
VOR	135.0	V	反射输出电压
BW	22.40	mm	骨架绕组宽度
ML	3.20	mm	左侧安全边距宽度
MR	3.20	mm	右侧安全边距宽度
FF	151	%	实际变压器填充因子。100%表示绕组窗口完全利用.     详情请参考信息部分
AE	81.40	mm²	磁芯截面积
ALG	81	nH/T²	带气隙磁芯等效电感量
BM	1423	Gauss	最大磁通密度
BP	2168	Gauss	峰值磁通密度
BAC	356	Gauss	磁芯损耗中的交流磁通密度
LG	1.225	mm	估计气隙长度.     详情请参考警告信息部分
L_LKG	8.09	µH	估计初级漏感
LSEC	10	nH	次级走线电感
初级绕组第1部分
变量	值	单位	说明
NP1	30		初级绕组第1部分初级绕组的取整（整数）圈数
线径尺寸	25	AWG	初级绕组线径尺寸
绕组类型	两线(x2)		初级绕组多股并绕时所用线的股数
L	1.90		初级绕组层数
DC  Copper Loss	0.18	W	初级1直流损耗
初级绕组第2部分
变量	值	单位	说明
NP2	30		初级绕组第2部分初级绕组的取整（整数）圈数
线径尺寸	25	AWG	初级绕组线径尺寸
绕组类型	两线(x2)		初级绕组多股并绕时所用线的股数
L2	1.90		第2分层绕组中的初级绕组层数
DC  Copper Loss	0.33	W	初级2直流损耗
输出 1
变量	值	单位	说明
VO	24.00	V	输出电压
IO	2.00	A	输出电流
VOUT_ACTUAL	23.75	V	实际输出电压
NS	4		次级绕组圈数
线径尺寸	26	AWG	次级绕组线径尺寸
绕组类型	三线(x3)		输出绕组多股并绕时所用线的股数
L_S_OUT	0.34		次级输出绕组层数
DC  Copper Loss	0.24	W	次级直流损耗
VD	1.00	V	输出绕组二极管正向电压降
PIVS	92	V	输出整流管最大反向峰值电压
ISP	8.54	A	峰值次级电流
ISRMS	3.83	A	次级RMS电流
RTH_DIODE	25.69	°C/W	输出二极管最大热阻
OD_HSINK_TYPE	2 Oz (70 µ)铜PCB		输出二极管散热片类型
OD_HSINK_AREA	2532	mm²	输出二极管散热片面积
CO	1200 x 1	µF	输出电容
IRIPPLE	3.27	A	输出电容RMS纹波电流
Expected  Lifetime	40390	hr	输出电容预计寿命
输出 2
变量	值	单位	说明
VO	8.00	V	输出电压
IO	2.00	A	输出电流
VOUT_ACTUAL	8.00	V	实际输出电压
NS	4		次级绕组圈数
箔片厚度	5	mil	次级绕组线径尺寸
绕组类型	箔片		输出绕组多股并绕时所用线的股数
L_S_OUT	4.00		次级输出绕组层数
DC  Copper Loss	0.09	W	次级直流损耗
VD	1.00	V	输出绕组二极管正向电压降
PIVS	33	V	输出整流管最大反向峰值电压
ISP	8.54	A	峰值次级电流
ISRMS	3.83	A	次级RMS电流
RTH_DIODE	28.72	°C/W	输出二极管最大热阻
OD_HSINK_TYPE	2 Oz (70 µ)铜PCB		输出二极管散热片类型
OD_HSINK_AREA	1647	mm²	输出二极管散热片面积
CO	2700 x 1	µF	输出电容
IRIPPLE	3.27	A	输出电容RMS纹波电流
Expected  Lifetime	40390	hr	输出电容预计寿命
输出 3
变量	值	单位	说明
VO	15.00	V	输出电压
IO	0.20	A	输出电流
VOUT_ACTUAL	14.75	V	实际输出电压
NS	3		次级绕组圈数
线径尺寸	25	AWG	次级绕组线径尺寸
绕组类型	三线(x3)		输出绕组多股并绕时所用线的股数
L_S_OUT	0.28		次级输出绕组层数
DC  Copper Loss	0.17	W	次级直流损耗
VD	1.00	V	输出绕组二极管正向电压降
PIVS	58	V	输出整流管最大反向峰值电压
ISP	0.85	A	峰值次级电流
ISRMS	0.38	A	次级RMS电流
RTH_DIODE	269.95	°C/W	输出二极管最大热阻
OD_HSINK_TYPE	2 Oz (70 µ)铜PCB		输出二极管散热片类型
OD_HSINK_AREA	52	mm²	输出二极管散热片面积
CO	100 x 1	µF	输出电容
IRIPPLE	0.33	A	输出电容RMS纹波电流
Expected  Lifetime	20384	hr	输出电容预计寿命
反馈电路
变量	值	单位	说明
PM	119.17	°	估计相位裕量
FC_ACTUAL	1045.5	Hz	估计实际交叉频率
DUAL_OUTPUT_FB_FLAG	禁用		使用双输出反馈
SF_FLAG	禁用		使用软停止电路
TYPE_3CTRL_FLAG	禁用		使用相位提升电路
稳压和容差不考虑输出二极管正向导通压降以及跨LC二级滤波器压降的热漂移和元件容差。仅估计满载时的实际电压值。
请对照基准检验交叉稳压性能。

电路板绘制参考



原料表

False        False    False    Bitmap         file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\msohtml1\01\clip_image002.gif   材料清单
材料项 #	数量	元件参考	值	说明	生产商	生产商元件编号
1	1	BR1	2KBP06M	600 V、2 A、标准恢复桥接器、KBPM	Fairchild Semiconductor	2KBP06M
2	1	C1	330 nF	330 nF, 275 VAC, 薄膜, X类	Panasonic	ECQ-UAAF334K
3	1	C2	180 µF	180 µF, 400 V, 高压Al电解, (40 mm x  18 mm)	United Chemi-Con	EPAG400VB181M18X40LL
4	1	C3	6.8 nF	6.8 nF, 1 kV, 高压陶瓷	Panasonic	ECK-D3A682KBN
5	1	C4	0.1 µF	0.1 µF, 16 V, 陶瓷, X7R	TDK	C1005X7R1C104K
6	1	C5	47 µF	47 µF, 10 V, 电解, 常用产品, 1040 mΩ,  (11 mm x 5 mm)	United Chemi-Con	KME10VB47RM5X11LL
7	1	C6	2.2 nF	2.2 nF, 250 VAC, 陶瓷, Y类	TDK	CD12-E2GA222MYNS
8	1	C7	100 pF	100 pF, 50 V, 陶瓷, C0G	TDK	FK18C0G1H101J
9	1	C8	27 pF	27 pF, 100 V, 陶瓷, C0G	Epcos	B37979N1270J000
10	1	C9	27 pF	27 pF, 1 kV, 高压陶瓷	Panasonic	ECC-D3A270JGE
11	1	C10	10 µF	10 µF, 50 V, 电解, 常用产品, 1050 mΩ,  (11.5 mm x 5 mm)	Panasonic	ECA-1HHG100
12	1	C11	2700 µF	2700 µF, 16 V, 电解, 超低ESR, 18 mΩ,  (30 mm x 12.5 mm)	United Chemi-Con	EKZE160ELL272MK30S
13	1	C12	100 µF	100 µF, 10 V, 电解, 低ESR, 500 mΩ,  (11.5 mm x 5 mm)	United Chemi-Con	ELXZ100ELL101MEB5D
14	1	C13	100 µF	100 µF, 25 V, 电解, 超低ESR, 130 mΩ,  (11 mm x 6.3 mm)	United Chemi-Con	EKZE250ELL101MF11D
15	1	C14	100 µF	100 µF, 16 V, 电解, 低ESR, 250 mΩ,  (11.5 mm x 6.3 mm)	United Chemi-Con	ELXZ160ELL101MFB5D
16	1	C15	1200 µF	1200 µF, 35 V, 电解, 超低ESR, 16 mΩ,  (30 mm x 12.5 mm)	United Chemi-Con	EKZE350ELL122MK30S
17	1	C16	100 µF	100 µF, 35 V, 电解, 低ESR, 180 mΩ,  (15 mm x 6.3 mm)	United Chemi-Con	ELXZ350ELL101MF15D
18	1	C17	330 nF	330 nF, 50 V, 陶瓷, X7R	Murata	RPER71H334K2K1C03B
19	1	D1	FR106	800 V、1 A、快速恢复、250 ns、DO-41	Diodes Inc.	FR106
20	1	D2	1N4934	100 V、1 A、快速恢复、200 ns、DO-41	Vishay	1N4934
21	1	D3	UF5401	100 V、3 A、超快恢复、50 ns、DO-201AD	Vishay	UF5401
22	1	D4	BAV20	200 V、0.2 A、快速恢复、50 ns、DO-35	Vishay	BAV20
23	1	D5	UF5402	200 V、3 A、超快恢复、50 ns、DO-201AD	Vishay	UF5402
24	1	F1	1.6 A	250 VAC, 1.6 A, Radial TR5,  延时型保险丝	Littelfuse / Wickmann(R)	37411600410
25	1	HS1	533702B02552G	5.7 °C/W TO-220. 用于器件 U1 的散热片。	Aavid	533702B02552G
26	1	L1	6 mH	6 mH, 1.6 A	Panasonic	ELF18N016
27	3	L2, L3, L4	3.3 µH	3.3 µH, 2.66 A	Bourns Inc.	RL822-3R3K-RC
28	2	R1, R2	1.1 MΩ	1.1 MΩ, 5 %, 0.25 W, 碳膜	通用
29	2	R3, R4	22 kΩ	22 kΩ, 5 %, 2 W, 金属氧化膜	通用
30	1	R5	5.1 Ω	5.1 Ω, 5 %, 0.25 W, 碳膜	通用
31	2	R6, R7	9.1 MΩ	9.1 MΩ, 5 %, 0.25 W, 碳膜	通用
32	1	R8	8.25 kΩ	8.25 kΩ, 1 %, 0.125 W, 金属膜	通用
33	2	R9, R10	2 MΩ	2 MΩ, 5 %, 0.25 W, 碳膜	通用
34	1	R11	6.8 Ω	6.8 Ω, 5 %, 0.125 W, 碳膜	通用
35	1	R12	110 Ω	110 Ω, 5 %, 0.25 W, 碳膜	通用
36	2	R13, R14	390 Ω	390 Ω, 5 %, 0.25 W, 碳膜	通用
37	1	R15	232 Ω	232 Ω, 1 %, 0.125 W, 金属膜	通用
38	1	R16	1 kΩ	1 kΩ, 5 %, 0.125 W, 碳膜	通用
39	1	R17	12.4 kΩ	12.4 kΩ, 1 %, 0.125 W, 金属膜	通用
40	1	R18	5.62 kΩ	5.62 kΩ, 1 %, 0.125 W, 金属膜	通用
41	1	RT1	10 Ω	NTC 热敏电阻 10 Ω, 1.7 A	Thermometrics	CL-120
42	1	T1	EER28L	NC-2H (Nicera)或同等规格 磁芯材料         查看变压器构造的材料列表以获取完整的信息	TDK	PC40-EER28L-Z
43	1	U1	TOP257EN	TOPSwitch-HX, TOP257EN, eSIP-7C	Power Integrations	TOP257EN
44	1	U2	LTV817A	光耦器 LTV817A, 35 V, CTR 80 - 160  %, 4-DIP	Liteon	LTV817A
45	1	U3	TL431CLPM	2.495 V, 分流稳压器 IC, 2 %, TO-92	Texas Instruments	TL431CLPM
46	1	VR1	P6KE180A	180 V, 5 W, 5 %, DO-204AC, TVS	ON Semiconductor	P6KE180A
47	1			铺铜 PCB 上的 52 mm² 面积，2 oz (70 µm)  厚。 用于二极管 D4 的散热片。	Custom
48	1			铺铜 PCB 上的 1647 mm² 面积，2 oz (70  µm) 厚。 用于二极管 D3 的散热片。	Custom
49	1			铺铜 PCB 上的 2532 mm² 面积，2 oz (70  µm) 厚。 用于二极管 D5 的散热片。	Custom
PI Expert  Version 9.0.5

以及牛的绕法

False        False    False    Bitmap         file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\msohtml1\01\clip_image002.gif   电特性原理图
False        False    False    Bitmap         file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\msohtml1\01\clip_image004.gif
绕制结构图
False        False    False    Bitmap         file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\msohtml1\01\clip_image006.gif
绕组说明
在左侧使用3.20 mm边距（材料项[3]）。 在右侧使用3.20 mm边距（材料项[3]）。
初级绕组（第1部分）
以引脚3作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[7]绕30圈（x 2线）。 在2层中从左向右。  在第1层结束时，继续从右向左绕下一层。 在最后一层上，使绕组均匀分布在整个骨架上。 以引脚2作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加1层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
偏置绕组
以引脚5作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[7]绕8圈（x 2线）。 沿与初级绕组相同的旋转方向进行绕制。  使绕组均匀分布在整个骨架上。 以引脚4作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加3层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
次级绕组
以引脚9,10作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[8]绕4圈。 沿与初级绕组相同的旋转方向进行绕制。  以引脚11作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加1层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
以引脚7,8作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[7]绕3圈（x 3线）。 使绕组均匀分布在整个骨架上。  沿与初级绕组相同的旋转方向进行绕制。 以引脚9,10作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加1层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
以引脚12作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[9]绕4圈（x 3线）。 使绕组均匀分布在整个骨架上。  沿与初级绕组相同的旋转方向进行绕制。 以引脚7,8作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加3层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
初级屏蔽1绕组
保持该绕组起始点不连接，绕1圈（使用材料项[10]）。 沿与初级绕组相同的旋转方向进行绕制。  以引脚1作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加1层胶带（材料项[4]）以将绕组固定到位。
初级绕组（第2部分）
以引脚2作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[7]绕30圈（x 2线）。 在2层中从左向右。  在第1层结束时，继续从右向左绕下一层。 在最后一层上，使绕组均匀分布在整个骨架上。 以引脚1作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加3层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
磁芯装配
装配并固定两半磁芯。材料项[1]。
浸渍
在材料项[6]中均匀浸渍。不要采用真空浸渍。
备注
1. 引脚9和10通过PCB上的铜线在电气上短接起来。
2. 引脚7和8通过PCB上的铜线在电气上短接起来。
3. 在磁芯周围使用接地磁屏蔽可改进EMI性能。
材料
项	说明
[1]	磁芯：EER28L，NC-2H  (Nicera)或同等规格，开气隙，使ALG为81 nH/T²
[2]	骨架：Generic, 6 pri. +  6 sec.
[3]	胶带：聚酯网胶带，宽3.20 mm
[4]	隔离带：聚酯薄膜（1  mil轴向厚度），宽22.40 mm
[5]	特富龙管 # 22
[6]	浸渍
[7]	磁线：25 AWG，可焊接，双面涂层
[8]	铜箔片：厚5 mil，宽16.00  mm，上覆一层叠合胶带。箔片端接：2 x 23 AWG磁线
[9]	磁线：26 AWG，可焊接，双面涂层
[10]	铜箔片：厚2 mil，宽16.00  mm，上覆一层叠合胶带。箔片端接：1 x 25 AWG磁线
电特性测试规格
参数		条件	规格
绝缘强度，VAC		60 Hz，持续1秒钟，自引脚1,2,3,4,5  到引脚7,8,9,10,11,12。	3000
额定初级电感量，µH		于1 V  pk-pk、典型开关频率、在引脚1到引脚3之间测量，此时所有其他绕组均开路。	323
容差,  ±%		初级电感量容差	10.0
最大初级漏感，µH		在引脚1到引脚3之间测量，此时所有其他绕组均短路。	8.09
虽然软件设计已考虑到安全原则，但用户有责任确保其电源设计满足产品适用的所有安全要求。
此处介绍的产品和应用（包括产品之外的电路和变压器构造）可能属于PI公司的一项或多项美国及国外专利，或包括在正处于申请状态的美国或国外专利。有关PI专利的完整列表，请参见  www.powerint.com。

附件是设计文件A

zhuangchao12

搂主做出来效果如何??

90999

PI官网有一段Q&A，老外质疑为啥子PI EXPERT和PI XLS的设计有区别，原厂电狮说新PI EXPERT的优化算法升级了，所以不一样，最好还是用PI XLS来算变压器！！

所以另外算一段变压器的，结果调整中发现要用 TOP258YN，就把PI EXPERT 里也换用258YN。
果然如老外说的，不太一样，PI XLS里换IC的话，变压器有改动，但是PI EXPERT里就没有，所以就不更改上一页了。

设计部分

ACDC_TOPSwitchHX_042413;  Rev.1.12; Copyright Power Integrations 2009	INPUT	INFO	OUTPUT	UNIT	TOP_HX_042413: TOPSwitch-HX  Continuous/Discontinuous Flyback Transformer Design Spreadsheet
ENTER APPLICATION VARIABLES					Design title
VACMIN	85			Volts	Minimum AC Input Voltage
VACMAX	265			Volts	Maximum AC Input Voltage
fL	50			Hertz	AC Mains Frequency
VO	5.00			Volts	Output Voltage (main)
PO_AVG	68.00			Watts	Average Output Power
PO_PEAK	80.00		80.00	Watts	Peak Output Power
n	0.80			%/100	Efficiency Estimate
Z	0.50				Loss Allocation Factor
VB	15			Volts	Bias Voltage
tC	3.00			mSeconds	Bridge Rectifier Conduction Time  Estimate
CIN	100.0		100	uFarads	Input Filter Capacitor
ENTER TOPSWITCH-HX VARIABLES
TOPSwitch-HX	TOP258YN			Universal / Peak	115 Doubled/230V
Chosen  Device		TOP258YN	Power Out	148 W / 148 W	195W
KI	0.80				External Ilimit reduction factor  (KI=1.0 for default ILIMIT, KI <1.0 for lower ILIMIT)
ILIMITMIN_EXT			3.199	Amps	Use 1% resistor in setting  external ILIMIT
ILIMITMAX_EXT			3.681	Amps	Use 1% resistor in setting  external ILIMIT
Frequency (F)=132kHz,  (H)=66kHz	F		F		Select 'H' for Half frequency -  66kHz, or 'F' for Full frequency - 132kHz
fS			132000	Hertz	TOPSwitch-HX Switching  Frequency: Choose between 132 kHz and 66 kHz
fSmin			119000	Hertz	TOPSwitch-HX Minimum Switching  Frequency
fSmax			145000	Hertz	TOPSwitch-HX Maximum Switching  Frequency
High  Line Operating Mode			FF		Full Frequency, Jitter enabled
VOR	110.00			Volts	Reflected Output Voltage
VDS			10	Volts	TOPSwitch on-state Drain to  Source Voltage
VD	0.50			Volts	Output  Winding Diode Forward Voltage Drop
VDB	0.70			Volts	Bias Winding Diode Forward  Voltage Drop
KP	0.50				Ripple to Peak Current Ratio  (0.3 < KRP <  1.0 : 1.0<  KDP<6.0)
PROTECTION FEATURES
LINE SENSING
VUV_STARTUP			77	Volts	Minimum DC Bus Voltage at which  the power supply will start-up
VOV_SHUTDOWN			356	Volts	Typical DC Bus Voltage at which  power supply will shut-down (Max)
RLS			3.2	M-ohms	Use two standard, 1.6 M-Ohm, 5%  resistors in series for line sense functionality.
OUTPUT OVERVOLTAGE
VZ			27	Volts	Zener Diode rated voltage for  Output Overvoltage shutdown protection
RZ			5.1	k-ohms	Output OVP resistor. For  latching shutdown use 20 ohm resistor instead
OVERLOAD POWER LIMITING
Overload Current Ratio at VMAX			1.2		Enter the desired margin to  current limit at VMAX. A value of 1.2 indicates that the current limit should  be 20% higher than peak primary current at VMAX
Overload Current Ratio at VMIN			1.20		Margin to current limit at low  line.
ILIMIT_EXT_VMIN			2.56	A	Peak primary Current at VMIN
ILIMIT_EXT_VMAX			2.24	A	Peak Primary Current at VMAX
RIL			7.80	k-ohms	Current limit/Power Limiting  resistor.
RPL			N/A	M-ohms	Resistor not required. Use RIL  resistor only
ENTER TRANSFORMER  CORE/CONSTRUCTION VARIABLES
Core  Type	EER28L		EER28L		Core Type
Custom  Core Part Number (Optional)					If custom core used - Enter part  number here
Bobbin		EER28L_BOBBIN		P/N:	BEER-28L-1112CPH
AE			0.814	cm^2	Core Effective Cross Sectional  Area
LE			7.55	cm	Core Effective Path Length
AL			2520	nH/T^2	Ungapped Core Effective  Inductance
BW			21.8	mm	Bobbin Physical Winding Width
M	3.00			mm	Safety Margin Width (Half the  Primary to Secondary Creepage Distance)
L	2.00				Number of Primary Layers
NS	3		3		Number of Secondary Turns
DC INPUT VOLTAGE PARAMETERS
VMIN	90		90	Volts	Minimum DC Input Voltage
VMAX			375	Volts	Maximum DC Input Voltage
CURRENT WAVEFORM SHAPE  PARAMETERS
DMAX			0.58		Maximum Duty Cycle (calculated  at PO_PEAK)
IAVG			0.94	Amps	Average Primary Current  (calculated at average output power)
IP			2.56	Amps	Peak Primary Current (calculated  at Peak output power)
IR			1.09	Amps	Primary Ripple Current  (calculated at average output power)
IRMS			1.26	Amps	Primary RMS Current (calculated  at average output power)
TRANSFORMER PRIMARY  DESIGN  PARAMETERS
LP			296	uHenries	Primary Inductance
LP Tolerance			10		Tolerance of Primary Inductance
NP			60		Primary Winding Number of Turns
NB			9		Bias Winding Number of Turns
ALG			82	nH/T^2	Gapped Core Effective Inductance
BM			1553	Gauss	Maximum Flux Density at PO, VMIN  (BM<3000)
BP			2458	Gauss	Peak Flux Density (BP<4200)  at ILIMITMAX and LP_MAX. Note: Recommended values for adapters and external  power supplies <=3600 Gauss
BAC			388	Gauss	AC Flux Density for Core Loss  Curves (0.5 X Peak to Peak)
ur			1860		Relative Permeability of  Ungapped Core
LG			1.20	mm	Gap Length (Lg > 0.1 mm)
BWE			31.6	mm	Effective Bobbin Width
OD			0.53	mm	Maximum Primary Wire Diameter  including insulation
INS			0.07	mm	Estimated Total Insulation  Thickness (= 2 * film thickness)
DIA			0.46	mm	Bare conductor diameter
AWG			25	AWG	Primary Wire Gauge (Rounded to  next smaller standard AWG value)
CM			323	Cmils	Bare conductor effective area in  circular mils
CMA			255	Cmils/Amp	Primary Winding Current Capacity  (200 < CMA <  500)
Primary Current Density (J)			7.78	Amps/mm^2	Primary Winding Current density  (3.8 < J <  9.75)
TRANSFORMER SECONDARY DESIGN  PARAMETERS (SINGLE OUTPUT EQUIVALENT)
Lumped parameters
ISP			51.18	Amps	Peak Secondary Current
ISRMS			21.56	Amps	Secondary RMS Current
IO_PEAK			16.00	Amps	Secondary Peak Output Current
IO			13.60	Amps	Average Power Supply Output  Current
IRIPPLE			16.73	Amps	Output Capacitor RMS Ripple  Current
CMS			4312	Cmils	Secondary Bare Conductor minimum  circular mils
AWGS			13	AWG	Secondary Wire Gauge (Rounded up  to next larger standard AWG value)
DIAS			1.83	mm	Secondary Minimum Bare Conductor  Diameter
ODS			5.27	mm	Secondary Maximum Outside  Diameter for Triple Insulated Wire
INSS			1.72	mm	Maximum Secondary Insulation  Wall Thickness
VOLTAGE STRESS PARAMETERS
VDRAIN			593	Volts	Maximum Drain Voltage Estimate  (Includes Effect of Leakage Inductance)
PIVS			24	Volts	Output Rectifier Maximum Peak  Inverse Voltage
PIVB			68	Volts	Bias Rectifier Maximum Peak  Inverse Voltage
TRANSFORMER SECONDARY DESIGN  PARAMETERS (MULTIPLE OUTPUTS)
1st output
VO1	15.00		15	Volts	Output Voltage
IO1_AVG	0.20		0.20	Amps	Average DC Output Current
PO1_AVG			3.00	Watts	Average Output Power
VD1			0.5	Volts	Output Diode Forward Voltage  Drop
NS1			8.45		Output Winding Number of Turns
ISRMS1			0.317	Amps	Output Winding RMS Current
IRIPPLE1			0.25	Amps	Output Capacitor RMS Ripple  Current
PIVS1			68	Volts	Output Rectifier Maximum Peak  Inverse Voltage
CMS1			63	Cmils	Output Winding Bare Conductor  minimum circular mils
AWGS1			32	AWG	Wire Gauge (Rounded up to next  larger standard AWG value)
DIAS1			0.20	mm	Minimum Bare Conductor Diameter
ODS1			1.87	mm	Maximum Outside Diameter for  Triple Insulated Wire
2nd output
VO2	24.00			Volts	Output Voltage
IO2_AVG	2.00			Amps	Average DC Output Current
PO2_AVG			48.00	Watts	Average Output Power
VD2			0.7	Volts	Output Diode Forward Voltage  Drop
NS2			13.47		Output Winding Number of Turns
ISRMS2			3.170	Amps	Output Winding RMS Current
IRIPPLE2			2.46	Amps	Output Capacitor RMS Ripple  Current
PIVS2			108	Volts	Output Rectifier Maximum Peak  Inverse Voltage
CMS2			634	Cmils	Output Winding Bare Conductor  minimum circular mils
AWGS2			22	AWG	Wire Gauge (Rounded up to next  larger standard AWG value)
DIAS2			0.65	mm	Minimum Bare Conductor Diameter
ODS2			1.17	mm	Maximum Outside Diameter for  Triple Insulated Wire
3rd output
VO3	8.00			Volts	Output Voltage
IO3_AVG	2.00			Amps	Average DC Output Current
PO3_AVG			16.00	Watts	Average Output Power
VD3			0.7	Volts	Output Diode Forward Voltage  Drop
NS3			4.75		Output Winding Number of Turns
ISRMS3			3.170	Amps	Output Winding RMS Current
IRIPPLE3			2.46	Amps	Output Capacitor RMS Ripple  Current
PIVS3			38	Volts	Output Rectifier Maximum Peak  Inverse Voltage
CMS3			634	Cmils	Output Winding Bare Conductor  minimum circular mils
AWGS3			22	AWG	Wire Gauge (Rounded up to next  larger standard AWG value)
DIAS3			0.65	mm	Minimum Bare Conductor Diameter
ODS3			3.33	mm	Maximum Outside Diameter for  Triple Insulated Wire
Total Continuous Output Power			67	Watts	Total Continuous Output Power
Negative Output	2		2		Output # 2 is negative output

绕牛部分

False        False    False    Bitmap         file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\msohtml1\01\clip_image002.gif   电特性原理图
False        False    False    Bitmap         file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\msohtml1\01\clip_image004.gif
绕制结构图
False        False    False    Bitmap         file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\msohtml1\01\clip_image006.gif
绕组说明
在左侧使用3.00 mm边距（材料项[3]）。 在右侧使用3.00 mm边距（材料项[3]）。
初级绕组（第1部分）
以引脚3作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[7]绕30圈（x 1线）。 在1层中从左向右。  在最后一层上，使绕组均匀分布在整个骨架上。 以引脚2作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加1层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
偏置绕组
以引脚5作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[7]绕9圈（x 2线）。 沿与初级绕组相同的旋转方向进行绕制。  使绕组均匀分布在整个骨架上。 以引脚4作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加3层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
次级绕组
以引脚6作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[8]绕5圈（x 3线）。 使绕组均匀分布在整个骨架上。  沿与初级绕组相同的旋转方向进行绕制。 以引脚7,8作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加1层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
以引脚9作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[9]绕3圈（x 1线）。 使绕组均匀分布在整个骨架上。  沿与初级绕组相同的旋转方向进行绕制。 以引脚6作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加1层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
以引脚7,8作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[7]绕13圈（x 2线）。 使绕组均匀分布在整个骨架上。  以引脚10作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加3层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
初级绕组（第2部分）
以引脚2作为起始引脚，在起始端使用材料项[5]，再使用材料项[7]绕30圈（x 1线）。 在1层中从左向右。  在最后一层上，使绕组均匀分布在整个骨架上。 以引脚1作为结束引脚，使用材料项[5]在此引脚上结束该绕组。
添加3层胶带（材料项[4]）以进行绝缘。
磁芯装配
装配并固定两半磁芯。材料项[1]。
浸渍
在材料项[6]中均匀浸渍。不要采用真空浸渍。
备注
1. 引脚7和8通过PCB上的铜线在电气上短接起来。
2. 在磁芯周围使用接地磁屏蔽可改进EMI性能。
材料
项	说明
[1]	磁芯：EER28L，NC-2H  (Nicera)或同等规格，开气隙，使ALG为82 nH/T²
[2]	骨架：Generic, 5 pri. +  5 sec.
[3]	胶带：聚酯网胶带，宽3.00 mm
[4]	隔离带：聚酯薄膜（1  mil轴向厚度），宽21.80 mm
[5]	特富龙管 # 22
[6]	浸渍
[7]	磁线：25 AWG，可焊接，双面涂层
[8]	磁线：26 AWG，可焊接，双面涂层
[9]	磁线：31 AWG，可焊接，双面涂层
电特性测试规格
参数		条件	规格
绝缘强度，VAC		60 Hz，持续1秒钟，自引脚1,2,3,4,5  到引脚6,7,8,9,10。	3000
额定初级电感量，µH		于1 V  pk-pk、典型开关频率、在引脚1到引脚3之间测量，此时所有其他绕组均开路。	296
容差,  ±%		初级电感量容差	10.0
最大初级漏感，µH		在引脚1到引脚3之间测量，此时所有其他绕组均短路。	4.45
虽然软件设计已考虑到安全原则，但用户有责任确保其电源设计满足产品适用的所有安全要求。
此处介绍的产品和应用（包括产品之外的电路和变压器构造）可能属于PI公司的一项或多项美国及国外专利，或包括在正处于申请状态的美国或国外专利。有关PI专利的完整列表，请参见  www.powerint.com。

牛参数

False        False    False    Bitmap         file:///C:\DOCUME~1\ADMINI~1\LOCALS~1\Temp\msohtml1\01\clip_image002.gif   变压器构造参数
变量	值	单位	说明
磁芯类型	EER28L		磁芯类型
磁芯材料	NC-2H (Nicera)或同等规格		磁芯材料
骨架参考	Generic, 5 pri. + 5 sec.		骨架参考
骨架方位	水平		骨架类型
初级引脚	5		使用的初级引脚数
次级引脚	5		使用的次级引脚数
LP	267	µH	初级电感量
ML	3.00	mm	左侧安全边距宽度
MR	3.00	mm	右侧安全边距宽度
LG	1.201	mm	估计气隙长度
偏置变量
变量	值	单位	说明
NB	9		偏置绕组圈数
线径尺寸	25	AWG	偏置绕组线径尺寸
绕组类型	两线(x2)		偏置绕组线类型
层数	0.58		偏置绕组层数
起始引脚	5		偏置绕组起始引脚
终止引脚	4		偏置绕组终止引脚
初级绕组第1部分
变量	值	单位	说明
NP1	30		初级绕组第1部分初级绕组的取整（整数）圈数
线径尺寸	25	AWG	初级绕组线径尺寸
绕组类型	单线(x1)		初级绕组多股并绕时所用线的股数
L	0.96		初级绕组层数
起始引脚	3		初级绕组第1部分起始引脚
终止引脚	2		初级绕组第1部分终止引脚
初级绕组第2部分
变量	值	单位	说明
NP2	30		初级绕组第2部分初级绕组的取整（整数）圈数
线径尺寸	25	AWG	初级绕组线径尺寸
绕组类型	单线(x1)		初级绕组多股并绕时所用线的股数
L2	0.96		第2分层绕组中的初级绕组层数
起始引脚	2		初级绕组第2个单元起始引脚
终止引脚	1		初级绕组第2个单元终止引脚
输出 1
变量	值	单位	说明
VO	15.00	V	输出电压
IO	0.20	A	输出电流
VOUT_ACTUAL	14.17	V	实际输出电压
NS	3		次级绕组圈数
线径尺寸	31	AWG	次级绕组线径尺寸
绕组类型	单线(x1)		输出绕组多股并绕时所用线的股数
L_S_OUT	0.05		次级输出绕组层数
起始引脚	9		输出绕组起始引脚
终止引脚	6		输出绕组终止引脚
输出 2
变量	值	单位	说明
VO	-24.00	V	输出电压
IO	2.00	A	输出电流
VOUT_ACTUAL	-23.13	V	实际输出电压
NS	13		次级绕组圈数
线径尺寸	25	AWG	次级绕组线径尺寸
绕组类型	两线(x2)		输出绕组多股并绕时所用线的股数
L_S_OUT	0.83		次级输出绕组层数
起始引脚	7,8		输出绕组起始引脚
终止引脚	10		输出绕组终止引脚
输出 3
变量	值	单位	说明
VO	8.00	V	输出电压
IO	2.00	A	输出电流
VOUT_ACTUAL	8.47	V	实际输出电压
NS	5		次级绕组圈数
线径尺寸	26	AWG	次级绕组线径尺寸
绕组类型	三线(x3)		输出绕组多股并绕时所用线的股数
L_S_OUT	0.43		次级输出绕组层数
起始引脚	6		输出绕组起始引脚
终止引脚	7,8		输出绕组终止引脚

变压器设计文件B  

wkman

    BOM表，看得眼晕，

90999

对比一下，发现套用PI XLS 设计的牛，只有保护部分有所不同！ 所以原理就照搬了。

90999

zhuangchao12 发表于 2013-10-28 17:24
搂主做出来效果如何??

  今天刚开始，晚上采购元件。

deedeezi

想看看软件与现实的差距~

k005

这个软件算的肯定没问题。
PI本来可靠性就非常高，软件计算的余量又非常大。
只要不犯低级错误，一般用用没事。

RUANJI

我觉得这种电源，最初的时候还是自己算参数好。
等到都会了，再用这种软件。

90999

我靠，管子爆炸了，一定是变压器绕错了...........

schwarz

炸了，真喜庆。

Goselff

PI的管子爆炸一般都是钳位保护方面的问题。

myxiaonia

Goselff 发表于 2013-11-21 00:21
PI的管子爆炸一般都是钳位保护方面的问题。

你这头像很像cypress的那棵树

szxszx

支持并关注中。

vtte

我用这个软件设计了一个，自己绕的变压器漏感太大，钳位保护部分巨烫，后来去厂家打样了变压器就没事了。

coslight_dt

楼主进展如何了？

cmheia

楼主帖子编辑得好专业

90999

coslight_dt 发表于 2013-11-21 09:01
楼主进展如何了？

如15楼所说，找厂家重新绕了个变压器，好了。

目前带80%负载，不发热，不爆炸，不叫不脑，就是非采样部分波纹有点大，越150mVp-p。

king10

看这晕，都是牛人啊！~

90999

rerainings 发表于 2017-8-4 16:31
看看，这软件在哪下

  现在用DK的芯片了 ， 24W，不贵，变压器也好绕，差别不高。

90999

rerainings 发表于 2017-8-4 18:46
什么方案？自己绕的准吗

DK124， 自己绕简单，按照规格书的范例绕就好， 其他算都不用算。  

army-ning

多绕组输出的交叉调整率很难控制的。变压器工艺少少差点就死在上面了。PI有一些电源设计是理想中的电源设计。

hzpyl

90999 发表于 2017-8-4 21:17
DK124， 自己绕简单，按照规格书的范例绕就好， 其他算都不用算。

DK124 可靠性怎么样？

90999

hzpyl 发表于 2017-11-23 08:45
DK124 可靠性怎么样？

一直没问题。
我按照范例做，磁芯换大了，匝数没改，然后垫纸片，初次级电感量很接近。
次级1匝一圈。
目前能耗表测出只用了10W，不发热，也不叫。

其他没测试过。