MC9S08FL16_用FLASH模拟EEPROM问题

tarzar

在产品中为了降低成本，使用MC9S08FL16内部的FLASH模拟EEPROM，而FLASH的工作电压是4.5V – 5.5V，但是软件只能只能设置低于4V复位，
刚上电软件初始化时会从EEPROM(实际是FLASH)读出历史保存的数据，实验中有时会读到错误数据(内容为0xFF，猜也有可能是之前保存的数据没保存成功)。实测中发现，如果正在页写时，突然断电，就有可能一页中的后面几个字节就没写成功(都是擦除页，然后写整页，即RAM的数据一一与EEPROM映射)。我现在是通过双页备份基本可以解决问题保存错误的问题，但是上电有时还是会出问题读到错误的数据，不知道有没有什么方法可以让CPU上电延时一会儿(像AVR那样)，当然了不能采用初始化时软件延时。

FSL_TICS_TIANZH

首先就是在外围电路上下文章, 在电源处加入一个电容, 这样就可以延时电源的上升时间了.

tarzar

目前是上拉10K+0.1uf做延时

fengyunyu

"我现在是通过双页备份基本可以解决问题保存错误的问题，但是上电有时还是会出问题读到错误的数据"

LZ最终解决问题了么？两个备份区在不同扇区么？是两个备份区都有错？

tarzar

几个月生产用了2K的量，基本上没有再发现，偶尔还是会出现1、2两片会读错误(这一两片，并不是一直会，也是偶尔会出现，机率非常小)，如果实际应用中，不会很频繁去修改数据，那么使用起来问题并不大。

我的感觉，还是电压的问题，就是操作的FLASH时的电压，一定要处于比较稳定的状态。以及如果在操作FLASH时，电压在跃落时(低于4V时，就最好不要操作FLASH)，否则有可能保存会出错。

tarzar

两个备份区在不同扇区么？
答：为两个FLASH页(512字节/页)。

是两个备份区都有错？
答：是的，两页FLASH的数据都是错的。

tarzar

FL16手虽然手册上说，工作电压范围为4.5v ~ 5.5V。
但是我实际测试过，如果不开低电压检测可以最低工作电压可低于2.6V,比手册讲的4.5V要低得多

说明较低的电压读FLASH是没有问题(程序还能正常运行)，所以很有可能是在低压时写FLASH时出错的。


还有一个问题我不解为什么低电压复位，只有4V，而芯片工作电压又要求是4.5V - 5.5V

SPMSC2 = 0x30;       //低于4V产生复位

注：以上我所说的FLASH模拟EEPROM出错都是在断电时，或上电时出现的，而供电已经稳定的情况下是没有出错过。