本帖最后由 FSL_TICS_ZJJ 于 2014-5-9 10:27 编辑
以飞思卡尔的MC9S12XS128MAL为例，其实DG128之类的类似。如下图中飞思卡尔单片机资源列表可知，128代表的是单片机中的FLASH大小为128K Byte，同理64代表的是单片机中的FLASH大小为64 K Byte，256代表的是单片机中的FLASH大小为256 K Byte。但是S12(X)所使用的内核CPU12(X)的地址总线为16位，寻址范围最大为2^16 =64K Byte，而这64K Byte的寻址空间还包括寄存器、EEPROM（利用Data Flash模拟）、RAM等，因此不是所有的64K Byte都是用来寻址FLASH。所以在S12(X)系列单片机中，很多资源是以分页的形式出现的，其中包括EEPROM、RAM、FLASH。EEPROM的每页大小为1K Byte，RAM的每页大小为4K Byte，FLASH的每页大小为16K Byte。因此XS128中EEPROM的页数为8K/1K = 8页，RAM的页数为8K/4K = 2页，Flash的页数为128K/16K = 8页。
[飞思卡尔单片机资源列表/align]
在单片普通模式中，复位后，所有内存资源的映射如下图飞思卡尔单片机内存资源映射图所示，其中从0x0000-0x07FF的2K范围内映射为寄存器区，如I/O端口寄存器等，当然寄存器没有那么多，后面的一部分其实没有使用；
从0x0800-0x0BFF，共1K的空间，映射为EEPROM区，由上面的分析，XS128中共有8页的共8K的EEPROM，所以这8页的EEPROM都是以分页的形式出现的，可以通过设置寄存器EPAGE选择不同的页并进行访问；
从0x0C00到0x0FFF的1K空间为保留区（其实这里面也还有学问说道）；
从0x1000到0x3FFF的12K空间为RAM区，分为三页，但是和前面所说的EEPROM不同，这三页中有2页（对于XS128和XS256）或一页（对于XS64）为固定页，位于12K空间的后一部分，以XS128为例，其内部的RAM资源为8K，所以其三页中的最后两页（0x2000-0x3FFF）为固定页，第一页（0x1000-0x1FFF）为窗口区，通过设置寄存器RPAGE来映射其他分页的RAM，当然在单片普通模式下，XS128内部已经没有其他的RAM了，所以这一页其实也没有用。但是对于XS256，这一页是有用的，因为它总共有12K的RAM。但是，在单片普通模式下，即没有外扩RAM的情况下，用户是不用刻意的去配置RPAGE的，因为复位的时候，已经默认指向那一页的RAM。
从0x4000-0xFFFF的总共48K的空间为Flash区，分为三页。其中第一页和第三页为固定的Flash页，中间的一页（0x8000-0xBFFF）为窗口区，通过设置PPAGE寄存器，可以映射到其他的分页Flash。
在最后的一页固定的Flash区域中的最后256字节中，保存的是中断向量。
对于RAM和Flash来说，其实固定页和其他的分页资源是统一编址的，不同的是固定页不可以通过寄存器（RPAGE、PPAGE）改变映射，而其他的页必须通过寄存器的设置来选择映射不同的页。
飞思卡尔单片机内存资源映射图 | 
发表于 2014-5-8 05:46:51
