求助，关于电路图中PMOS三极管的选型。

dwlovework

如题，电路图如下：

其中R94.R95为22R。R69.R71是2K。
CP是输出
OUTV是驱动电压。为+12V或者-12V。

电路功能分析：
当OUTV=+12V时，Q14截止，Q15导通  输出CP=-12V
当OUTV=-12V是。Q14导通，Q15截止  输出CP=+12V
因为在样品上Q15mos管的标号是P7F。网上找不到，所以打算替换。请问替换成哪个呢？ PMOS，要SOT23封装的

dwlovework

然后在百度上找了下SOT23的PMOS选型表（传图片上不来）。如下，有人说DTS2301可以替换
DTS2301的参数  BV是-20V  VGS是12V  VT=-1V
根据我的理解，BV就是是指绝缘击穿电压; 网上说的是：在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS 
参照上面的电路功能分析，OUTV=-12V时，VGS=0，Q14导通，Q15截止  输出CP=+12V。 CP通过电阻R69到Q15的漏极，也就是说现在VDS之间的电压是24V，这样子不是击穿管子了么？

alias

dwlovework 发表于 2015-8-8 15:29
然后在百度上找了下SOT23的PMOS选型表（传图片上不来）。如下，有人说DTS2301可以替换
DTS2301的参数  BV是 ...

>>也就是说现在VDS之间的电压是24V

使用 PMOS是错的，要用NMOS。PNP 基极电阻22欧太小，-12V时基极电流超过1A。

MOS管 VDS 在截止时有24V，所以要选用VDSS 50V 的 NMOS 管才可靠。还有 VGS 也超标，达到+24V，要处理把它降低至+10V。

dwlovework

alias 发表于 2015-8-8 16:10
>>也就是说现在VDS之间的电压是24V

使用 PMOS是错的，要用NMOS。PNP 基极电阻22欧太小，-12V时基极电流 ...

我刚又问了另外一个工程师， 说是在这里，
1.VDS之间的电压24V是虚的，不会烧掉管子，
2.使用PMOS是错的，是因为NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况么？
3.三极管上面有那么大的电流么？不是只器关断作用么？

dwlovework

alias 发表于 2015-8-8 16:10
>>也就是说现在VDS之间的电压是24V

使用 PMOS是错的，要用NMOS。PNP 基极电阻22欧太小，-12V时基极电流 ...

可以推荐一个管子么？

dwlovework

alias 发表于 2015-8-8 16:10
>>也就是说现在VDS之间的电压是24V

使用 PMOS是错的，要用NMOS。PNP 基极电阻22欧太小，-12V时基极电流 ...

NMOS是栅极高电平导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。
PMOS是栅极低电平导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通，
缺点是价格贵、导通电阻大、发热大、效率低，优点是容易驱动，只要把栅极电压拉下来就可以了

这个是我在网上找的。

超群天晴Surp

楼主的管子不对吧

dwlovework

超群天晴Surp 发表于 2015-8-8 18:24
楼主的管子不对吧

嗯，后来看了下，说是要用NMOS，有没有好的推荐呢~

MINI2440

手机怎么看不到图呢。。