请教一个强弱电用光耦隔离，然后驱动PMOS开关的电路

clesun · 发表于 2016-3-8 14:35:59

本帖最后由 clesun 于 2016-3-10 11:42 编辑

弱电是5V供电，电流30mA。强电是60V，电流会达到4A，想用光耦隔离，想做两套备选方案，单管和双管，如果单管客户没问题就用单管的；双管做个备选。
怎么选择驱动电路？双管的保护短路、开路都不相互影响。
Vgs最大值-20V，驱动的也不好弄，VGS最大是-60V了
目前暂时选择的是仿真的电路，缺点就是随着输入电压的变化，栅极电压不恒定；NPN管子饱和时间。

RAMILE · 发表于 2016-3-8 14:53:00

不管什么问题，一颗IRFP250就能解决

clesun · 发表于 2016-3-8 15:13:40

RAMILE 发表于 2016-3-8 14:53
不管什么问题，一颗IRFP250就能解决

现在用的工业应用上，不但要考虑导通损耗，也要考虑开关损耗，更得考虑稳定性，，，

Magicfjpg · 发表于 2016-3-9 12:09:02

RAMILE 发表于 2016-3-8 14:53
不管什么问题，一颗IRFP250就能解决

IRFP250 是NMOS
做高侧开关，PWM倒是只需要简单自举。

如果要长时间导通的话，需要额外升压。

clesun · 发表于 2016-3-9 21:25:17

Magicfjpg 发表于 2016-3-9 12:09
IRFP250 是NMOS
做高侧开关，PWM倒是只需要简单自举。

是高侧开关，升压得升10V。目前选的是PMOS。有没有好的电路推荐下

Magicfjpg · 发表于 2016-3-10 17:14:21

你第二个电路差不多了，

非得要光耦隔离的话，Q2 b极还要接100K到地

否则MCU串电阻到Q2 b极就行了

改进的话，如果PWM速度要高
最多是R7并多一个RC加速，然后R3并12V稳压管来钳位。

clesun · 发表于 2016-3-10 17:38:23

本帖最后由 clesun 于 2016-3-10 17:46 编辑

Magicfjpg 发表于 2016-3-10 17:14
你第二个电路差不多了，

非得要光耦隔离的话，Q2 b极还要接100K到地

上图的R7挪到下边会更好些。更新的电路把上边电路的缺点消除，直接用光速的次级，省去一个NPN。加速电容不是跟mos管串联上的那个电阻并联吗

1826772880 · 发表于 2016-3-10 17:46:26

工业上就不要用管子了，用继电器吧，不然损坏不容易更换。

clesun · 发表于 2016-3-10 17:47:22

本帖最后由 clesun 于 2016-3-10 17:49 编辑

1826772880 发表于 2016-3-10 17:46
工业上就不要用管子了，用继电器吧，不然损坏不容易更换。

首版用的继电器，60V的个子很大，没那空间。让做小巧点，只能用管子了。继电器的接触电阻比PMOS的稍微大些，大约100mΩ，PMOS的典型大几十，最大也就100mΩ。大约是1W左右的耗散。

clesun · 发表于 2016-3-10 17:52:48

如果用NMOS的话导通电阻会更小，但是要自举。并且NMOS便宜，好买，耐压和电流可以做到很大，如果用NMOS有好的参考建议也可以提下

LEO119 · 发表于 2016-3-10 18:03:16

光耦再加一级放大

clesun · 发表于 2016-3-10 19:19:46

LEO119 发表于 2016-3-10 18:03
光耦再加一级放大

最上边的那个有加NPN的管子，下边的那个去掉了相当于IO直接推挽，然后驱动MOS。光耦后级的驱动管不加的话不知道有什么影响。

bailao99 · 发表于 2016-3-10 20:00:40

本帖最后由 bailao99 于 2016-3-10 20:06 编辑

论坛上有一个经典帖子，vivalite出的H桥电路，里面就有5V怎么控制12V的电路，稍加改造就可以用于PMOS控制60V
http://www.amobbs.com/forum.php? ... ighlight=h%E6%A1%A5

liub007 · 发表于 2016-3-14 03:41:27

clesun 发表于 2016-3-10 17:47
首版用的继电器，60V的个子很大，没那空间。让做小巧点，只能用管子了。继电器的接触电阻比PMOS的稍微大 ...

哪有100m欧的继电器，那是要多小的继电器阿。

RAMILE · 发表于 2016-3-14 10:45:32

本帖最后由 RAMILE 于 2016-3-14 10:48 编辑

clesun 发表于 2016-3-10 17:38
上图的R7挪到下边会更好些。更新的电路把上边电路的缺点消除，直接用光速的次级，省去一个NPN。加速电容不 ...

你这个电路是想放鞭炮

使用IRFP250 内阻20m，关键是便宜好买，假货参数和真货差不多

简单方法是买个金升阳的B0512电源模块，输出电源直接连接FET的GS端，并联一个电阻

在不频繁开关环境，这是最少元件，最高可靠性方案，除去去耦电容，只有3个元件

NightIsDark · 发表于 2017-11-13 21:56:29

有个问题，IRF9530的Vgs的耐压是20V，你这样控制60V是会导致Vgs超过元器件工作极限参数的

clesun · 发表于 2017-11-13 23:43:59

本帖最后由 clesun 于 2017-11-13 23:48 编辑

NightIsDark 发表于 2017-11-13 21:56
有个问题，IRF9530的Vgs的耐压是20V，你这样控制60V是会导致Vgs超过元器件工作极限参数的 ...

请看好，是Vgs，光耦不通时饱和导通，vgs接近0V；通时，Vgs大于-10V。

NightIsDark · 发表于 2017-11-14 09:53:53

clesun 发表于 2017-11-13 23:43
请看好，是Vgs，光耦不通时饱和导通，vgs接近0V；通时，Vgs大于-10V。

恩，你是对的，没注意到R7

咔哩哇嚓 · 发表于 2018-4-6 19:36:04

clesun 发表于 2017-11-13 23:43
请看好，是Vgs，光耦不通时饱和导通，vgs接近0V；通时，Vgs大于-10V。

你好，请教下您，第二个图，我没明白的是，光耦导通时，推挽三极管的基极电压应该是50V吧，那么我理解的是Q4仍然是导通的状态，Q5截止，此时，Q4的发射极电压是不是50-0.6越49.4V左右啊，所以，Q6的VGS＜-10V；
另外，光耦没通时，Q4仍导通，Q5截止，Q4的发射极电压约为59.4V，此时MOS管处于截止状态。那么，Q5一直处在截止状态的话，能不能省掉这个PNP三极管啊，用别的无源器件代替啊。不知道我理解的对不对，请大神指点指点，多谢了

zxfhr · 发表于 2021-6-16 18:05:52

仿真电路图1k

fengyunyu · 发表于 2021-6-16 20:06:26

谢谢，不错

请教一个强弱电用光耦隔离，然后驱动PMOS开关的电路

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