NMOS低边控制电磁铁，如何处理关断时的高压反向电动势？

nengcai0313 · 发表于 2017-6-8 02:07:31

本帖最后由 nengcai0313 于 2017-6-8 02:15 编辑

我使用NMOS在低边控制电磁铁，NMOS栅极也加了图腾驱动，从示波器图像看，栅极驱动波形良好。
NMOS型号为STD85N3L，Vdss 30 V, RDS(on) 4.2mΩ , Id80 A, VGS 5V 时 Rds<6.5mΩ。

现在的问题是当MOS关断时，由于电磁铁电感量较大，产生的反向电动势会导致MOS管击穿。
虽然也加了图中的D1和R4泄放能量，但是感觉效果不明显。
是否需要将MOS换成高耐压管呢？一般高耐压管的导通电阻也比较大，可能还需要散热器，也很不方便。
有没有兄弟能抬一手？
图纸如下：

gzhuli · 发表于 2017-6-8 03:06:38

80A的MOSFET，D1你用个4148？这么基础的东西都不会算么，不要告诉我实际用的是XXXX……
R4 = 10R，2A电流就有20V压降，加上电源12V MOSFET D级就超过30V了，你用80A的管子我相信电流远大于2A吧，不穿才怪。
把D1换成5A以上的肖特基，R4去掉就行了，如果需要快速泄放能量可以把R4换成P6KE7.5A。

9509238 · 发表于 2017-6-8 07:45:24

为什么要加R4?

khuohuo · 发表于 2017-6-8 07:45:59

大师都是不睡觉的。

khuohuo · 发表于 2017-6-8 07:47:10

9509238 发表于 2017-6-8 07:45
为什么要加R4?

估计是怕他的4148被烧坏了。

zhouyan · 发表于 2017-6-8 08:21:48

gzhuli 发表于 2017-6-8 03:06
80A的MOSFET，D1你用个4148？这么基础的东西都不会算么，不要告诉我实际用的是XXXX……
R4 = 10R，2A电流就 ...

分析的到位！

wangwenjia · 发表于 2017-6-8 08:44:23

9509238 发表于 2017-6-8 07:45
为什么要加R4?

加R4应该是为了快速关闭电磁铁

wy2000 · 发表于 2017-6-8 09:26:46

古二真，古二真

jackiezeng · 发表于 2017-6-8 09:37:35

加肖特基二极管串一个很小很小0.1或者更小的电阻，然后与一个2KV102的电容并联，，，

nengcai0313 · 发表于 2017-6-8 10:20:23

gzhuli 发表于 2017-6-8 03:06
80A的MOSFET，D1你用个4148？这么基础的东西都不会算么，不要告诉我实际用的是XXXX……
R4 = 10R，2A电流就 ...

感谢古大师回复！
D1我换成SR504，电阻换成0.01Ω，按照“jackiezeng”建议电阻并联高压CBB电容加速吸收再试试。
用这个MOS的原因主要是看导通电压较低，手头刚好有这个，其实电磁铁的电流是很小的，大约1A。
电磁铁的电感量大，应该反向电动势能量很高，4148确实不合适。
2R的电阻是我不会算，没考虑到这。

LM1876 · 发表于 2017-6-8 10:26:18

nengcai0313 发表于 2017-6-8 10:20
感谢古大师回复！
D1我换成SR504，电阻换成0.01Ω，按照“jackiezeng”建议电阻并联高压CBB电容加速吸收 ...

才1A，你就不用太在意内阻了，哪怕100毫欧都没多少功耗。

nengcai0313 · 发表于 2017-6-8 10:31:58

LM1876 发表于 2017-6-8 10:26
才1A，你就不用太在意内阻了，哪怕100毫欧都没多少功耗。

出现问题解决问题嘛，不能绕过问题啊。

nengcai0313 · 发表于 2017-6-8 11:15:06

gzhuli 发表于 2017-6-8 03:06
80A的MOSFET，D1你用个4148？这么基础的东西都不会算么，不要告诉我实际用的是XXXX……
R4 = 10R，2A电流就 ...

我按照您的意见，并结合“jackiezeng”加加速电容的做法，修改后测试，电压稳定了。
D1使用SR504，5A肖特基，电阻R4用的是0.01Ω合金电阻，加速电容C2用的3KV 0.001uF CBB电容。
修改后图纸：

569350810 · 发表于 2017-6-8 11:23:04

nengcai0313 发表于 2017-6-8 11:15
我按照您的意见，并结合“jackiezeng”加加速电容的做法，修改后测试，电压稳定了。
D1使用SR504，5A肖特 ...

顶楼主~
楼主的学习态度，值得我们大家学习！

gzhuli · 发表于 2017-6-8 13:44:46

我

才1A电流，用AO3400都足够了，驱动也可以省了，R4 C2这个取值和没有没啥区别，把肖特基换成FR107，R4 C2去掉就行了。

nengcai0313 · 发表于 2017-6-8 14:45:40

gzhuli 发表于 2017-6-8 13:44
我
才1A电流，用AO3400都足够了，驱动也可以省了，R4 C2这个取值和没有没啥区 ...

蒙大师看得起再次来回复。
手头刚好有这个MOS，指标都挺不错。
加驱动电路的目的是学习下，这不才1A的电流都击穿过热了。

myxiaonia · 发表于 2017-6-8 16:55:45

gzhuli 发表于 2017-6-8 13:44
我
才1A电流，用AO3400都足够了，驱动也可以省了，R4 C2这个取值和没有没啥区 ...

30v耐压用在这里够不够，如果是24v电磁铁？

flash3g · 发表于 2017-6-8 19:10:29

myxiaonia 发表于 2017-6-8 16:55
30v耐压用在这里够不够，如果是24v电磁铁？

可以的，电磁铁反向电动势处理好就行了

BOBOD3610 · 发表于 2017-6-8 19:22:08

khuohuo 发表于 2017-6-8 07:47
估计是怕他的4148被烧坏了。

myxiaonia · 发表于 2017-6-8 23:27:15

flash3g 发表于 2017-6-8 19:10
可以的，电磁铁反向电动势处理好就行了

怎么处理这个反向电动势
我测量过用m7作为续流二极管的话，电磁铁放开时电压是可以过冲超过30v，我用的电磁铁电流也在1a左右同样电感量较大

nengcai0313 · 发表于 2017-6-8 23:58:49

myxiaonia 发表于 2017-6-8 23:27
怎么处理这个反向电动势
我测量过用m7作为续流二极管的话，电磁铁放开时电压是可以过冲超过30v，我用的电 ...

就像古大师说的，我那张图中的R4和C2去掉，D1直接接到电源就好了。D1用快恢复二极管FR107或者肖特基二极管，电流要够。

flash3g · 发表于 2017-6-9 01:36:39

myxiaonia 发表于 2017-6-8 23:27
怎么处理这个反向电动势
我测量过用m7作为续流二极管的话，电磁铁放开时电压是可以过冲超过30v，我用的电 ...

要用超快恢复二极管才行，必要时还要加RC吸收瞬间的尖峰

NFotxb · 发表于 2017-6-9 09:31:35

flash3g 发表于 2017-6-9 01:36
要用超快恢复二极管才行，必要时还要加RC吸收瞬间的尖峰

怎么我觉得续流二极管用普通的更好，因为结电容的存在可以吸收尖峰脉冲。

myxiaonia · 发表于 2017-6-9 09:37:38

flash3g 发表于 2017-6-9 01:36
要用超快恢复二极管才行，必要时还要加RC吸收瞬间的尖峰

这里没有必要使用快恢复二极管吧，因为电磁铁应用不可能开关频率很高，普通二极管完全可以应付啊
所以这里即使用了快恢复应该效果也是一样的

su33691 · 发表于 2017-7-22 09:55:59

MARK下，备用。

zxd0225 · 发表于 2017-7-22 13:19:42

直接上1n5408

lxa0 · 发表于 2017-7-23 15:18:50

2搂正解呀~~~~~~~~~~~~楼主

cooltommy · 发表于 2017-9-22 15:40:17

终于看到大师的回复了

NMOS低边控制电磁铁，如何处理关断时的高压反向电动势？

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