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DC-DC降压回路EMC的问题求教

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出50入10汤圆

发表于 2017-6-20 13:41:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 xuyeqing 于 2017-6-20 13:51 编辑

如图所示是DC12V转5V的电路,输出电流为5A。D1(DSK14)为肖特基二极管,额定电流1A  。当负载为5A时而且不接D1时,如果频繁地通断12V电源,就会造成U2(TD1730)芯片损坏;接上D1时芯片不会损坏,但EMC/EMI的性能测试时受到严重影响!想不通为什么,哪位高手指教一下:怎么解决这个问题。先谢过了!

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出0入0汤圆

发表于 2017-6-20 13:46:01 | 显示全部楼层
L2 , L3 是什么鬼?

出50入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-20 13:49:34 | 显示全部楼层
jackiezeng 发表于 2017-6-20 13:46
L2 , L3 是什么鬼?

忘记标明了,是2个60R/3A的磁珠

出0入0汤圆

发表于 2017-6-20 14:05:59 | 显示全部楼层
L2L3根本不该存在。

出50入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-20 14:10:09 | 显示全部楼层
wz18th 发表于 2017-6-20 14:05
L2L3根本不该存在。

这2个东西影响EMC/EMI性能吗?

出0入0汤圆

发表于 2017-6-20 14:24:45 | 显示全部楼层
xuyeqing 发表于 2017-6-20 14:10
这2个东西影响EMC/EMI性能吗?

这个不仅没有任何好处,反而一堆坏处吧,,,

出50入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-20 14:31:29 | 显示全部楼层
jackiezeng 发表于 2017-6-20 14:24
这个不仅没有任何好处,反而一堆坏处吧,,,

这个主要也是为了改善EMC/EMI性能而设置的,是不是反而起到反作用了呢?

出0入0汤圆

发表于 2017-6-20 14:36:49 | 显示全部楼层
xuyeqing 发表于 2017-6-20 14:31
这个主要也是为了改善EMC/EMI性能而设置的,是不是反而起到反作用了呢?
...

改善啥啊,这样加只会是增加EMI,

出0入50汤圆

发表于 2017-6-20 14:38:35 | 显示全部楼层
参考官方应用板啊,没有这样接的吧。

出50入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-20 14:41:17 | 显示全部楼层
jackiezeng 发表于 2017-6-20 14:36
改善啥啊,这样加只会是增加EMI,

我主要是用来抑制100Mhz附近的干扰,也是参考了其他的设计,是不是搞错了?

出50入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-20 14:42:27 | 显示全部楼层
1105284241 发表于 2017-6-20 14:38
参考官方应用板啊,没有这样接的吧。

主要是这个芯片的官方设计指导找不到啊!

出0入0汤圆

发表于 2017-6-20 14:52:43 | 显示全部楼层
xuyeqing 发表于 2017-6-20 14:41
我主要是用来抑制100Mhz附近的干扰,也是参考了其他的设计,是不是搞错了? ...

我没接触过虑什么100MHZ的干扰什么的,,我只觉得你这个磁珠放这里只会影响DC DC 的性能,参考电路会不会是Q2的S 和 输出电容负极接在一起,,再串磁珠到地?

出0入0汤圆

发表于 2017-6-20 15:40:28 | 显示全部楼层
你想用磁珠隔离干扰到地的回路吗?

出0入45汤圆

发表于 2017-6-20 16:08:51 | 显示全部楼层
xuyeqing 发表于 2017-6-20 14:41
我主要是用来抑制100Mhz附近的干扰,也是参考了其他的设计,是不是搞错了? ...

你要加磁珠也是在加在V+ 和 C5之间。加在Q2的s端,简直闻所未闻

出0入0汤圆

发表于 2017-6-20 20:05:18 | 显示全部楼层
C18, R25这段也是多余,这样岂不是直接把开关噪声直接导入后级。频繁通关12V和D1有什么关系,没想到合理解释,因为通常Q2的寄生二极管足以保证Q2断开后L1中的电流的续流。如果说是因为Q2源极与地之间由于L2, L3电感大,导致续流时L1出现高电压的反电动势,那么去掉D1后,带上满负载,即使不频繁通断12V也容易导致U2损坏,用示波器看下地和Q2漏极有没高压尖峰就知道了

搜到了这个IC的公司,http://www.techcodesemi.com,自己去下资料看吧

出0入0汤圆

发表于 2017-6-20 20:51:29 来自手机 | 显示全部楼层
磁珠哪有放到s极的

出150入135汤圆

发表于 2017-6-20 21:47:20 来自手机 | 显示全部楼层
G级竟然没加下拉电阻!内置啦?

出0入45汤圆

发表于 2017-6-20 21:50:12 | 显示全部楼层
增加L2  L3只会更加加剧EMI;
DCDC辐射超标基本上是因为PCB环路的问题,看看PCB怎么走线才可以减少环路才是正道;(辐射产生的源头)
还有一种方式,去吸收,可以在SW节点位置增加RC,或者在MOS的G极串接小电阻;

出150入135汤圆

发表于 2017-6-20 21:50:53 来自手机 | 显示全部楼层
L2,L3见过松下有这样的设计,不过下边是二极管加的

出0入127汤圆

发表于 2017-6-20 22:31:24 | 显示全部楼层
hd12 发表于 2017-6-20 20:05
C18, R25这段也是多余,这样岂不是直接把开关噪声直接导入后级。频繁通关12V和D1有什么关系,没想到合理解 ...

增加D1基本更改善一点EMI性能,而不是变差   S极串磁珠增加EMI,还可能导致管子开通、关断尖峰,在中点电压较高,烧毁IC  ,楼主这种去掉这两个磁珠,增大驱动电阻,减小输出环路面积才是正道

出50入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-21 08:20:39 | 显示全部楼层
hd12 发表于 2017-6-20 20:05
C18, R25这段也是多余,这样岂不是直接把开关噪声直接导入后级。频繁通关12V和D1有什么关系,没想到合理解 ...

受教了!谢谢回复!

出50入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-21 08:21:11 | 显示全部楼层
谢谢各位朋友的回复!
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