PMOS+NMOS高低开关驱动电路

freemay · 发表于 2017-6-22 19:19:21

请教下高手，附图中两个MOSFET开关分别是P,N型，A/B端为高/低控制信号。请问A/B应该选择怎样的驱动IC，或者电路？

低端B信号可以用IRS10752, 输出9V电压直接控制N型MOSFET; 高端A信号要怎么处理？应该怎么接线？

li_thomas · 发表于 2017-6-22 19:42:24

为什么不选N+N的结构，好像相同功率，P管的工艺难度比N管高，价格也不一样，我看到很多高压方案都用N+N的形式，这样IR2101就可以解决你的问题。

khuohuo · 发表于 2017-6-22 19:44:40

直流无刷

khuohuo · 发表于 2017-6-22 19:44:58

直流无刷电机吗？

freemay · 发表于 2017-6-22 22:21:51

加热器会有压降，如果上端用N型，S极电压会高于G，导致不能导通

夏筱雨 · 发表于 2017-6-22 23:31:47

上管占空比到100吗？如果不到可以试试双N嘛，驱动我用的EG3012，这芯片用着感觉还凑合，毕竟便宜嘛，工业最好用IR的。

夏筱雨 · 发表于 2017-6-22 23:32:56

还有，你驱动电压干嘛用9v啊。10-15v直接选吧。9

xunke · 发表于 2017-6-22 23:58:31

本帖最后由 xunke 于 2017-6-23 07:25 编辑

用这种更方便驱动，还省了一个MOS

freemay · 发表于 2017-6-23 08:34:25

xunke 发表于 2017-6-22 23:58
用这种更方便驱动，还省了一个MOS

你这种想法很好，不过我这不是控制1个加热器，而是100个。如果这样，至少要连接100根线到设备端；我想用10x10矩阵方式控制，这样只要20根线去设备端；

freemay · 发表于 2017-6-23 08:35:18

li_thomas 发表于 2017-6-22 19:42
为什么不选N+N的结构，好像相同功率，P管的工艺难度比N管高，价格也不一样，我看到很多高压方案都用N+N的形 ...

谢谢，有没有图借鉴？

freemay · 发表于 2017-6-23 08:38:04

夏筱雨发表于 2017-6-22 23:32
还有，你驱动电压干嘛用9v啊。10-15v直接选吧。9

这里9V应该随手写的有误，应该如你所说10-15V，谢谢提醒。

另外应用场景是加热，占空比有100%。请问为什么不是100%，就可以用两个N？

夏筱雨 · 发表于 2017-6-23 11:08:14

freemay 发表于 2017-6-23 08:38
这里9V应该随手写的有误，应该如你所说10-15V，谢谢提醒。

另外应用场景是加热，占空比有100%。请问为 ...

不是100%可以使用自举方式为上管G极驱动供电，如果有100的情况，自举不能工作，要单独给上管供比S高12V的电源。

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