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MOS驱动自举电路 上桥Vgs 电压随电流增加而升高

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出0入0汤圆

发表于 2017-6-26 10:13:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
使用IRS21867S 自举升压
发生一个奇怪的现象,上桥Vgs电压随着电流增加而增加,超过VCC 12V电压. 求大神解释

出0入0汤圆

发表于 2017-6-26 10:48:10 | 显示全部楼层
用万用表测的?

出0入442汤圆

发表于 2017-6-26 10:58:26 | 显示全部楼层
上桥本来就要比VIN高5V左右,要不然上管进入电阻模式还不炸光。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-6-26 12:15:08 | 显示全部楼层
    蓝色是上桥波形

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出0入0汤圆

发表于 2017-6-26 18:35:32 | 显示全部楼层
我来班门弄斧一下,分析一下自举电路的工作过程,如有错误,请大家指正。
如下图:
第一步,下管导通,如红线所示,对自举电容充电。
第二步,上管导通,自举电容的负极电压被抬高,Vb脚的电压也随之抬高,接近VCC+桥的供电电压,电流如蓝线所示。
我猜测,IC内部还有一个电容,把Vb的输入的电存储起来,再输出到HO脚。如果内部没有电容,我下面的分析就不大对头了,还请各位指点。
楼主观察到的现象,上管Vgs随电流增大而升高。我分析,输出的电流越大,上管导通时间越长,对Vb充电的时间也越长,所以HO脚的电压也升高了。

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出0入0汤圆

发表于 2017-7-1 21:04:09 | 显示全部楼层
我猜测,IC内部还有一个电容,把Vb的输入的电存储起来,再输出到HO脚。如果内部没有电容,我下面的分析就不大对头了,还请各位指点。
------IC内部做不了大的电容,因此你分析的是对的。自举电容C也是储能电容。
------上桥Vgs电压应是VDD+桥的供电电压,与负载相关可能是桥中间有振荡或过冲造成的。

出0入0汤圆

发表于 2018-8-9 15:24:53 | 显示全部楼层
我也遇到类似问题,三相无刷,上P下N桥,SOP8封装,PMOS打开时,NMOS的G极测到一个脉冲,电压到15V时MOS管发热严重,不知道时MOS芯片问题还是电路布线问题?

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