NMOS高速驱动,网上看了推挽元件有点多,我直接光耦驱动附图

3050311118 · 发表于 2017-7-2 14:04:23

根据网上的图片我改了下，在mos管一边增加一个电阻和二极管，这样可否

JamesErik · 发表于 2017-7-2 14:31:24

如果开关频率是250HZ不建议这么使用，栅极关断时间太长，有一段时间mos工作在放大区。会有很大的耗散功率，mos可能会热失效

lixin91985 · 发表于 2017-7-2 15:16:05

如果用于电机驱动4k左右的开关频率，，不知道效果怎么样？

3050311118 · 发表于 2017-7-2 16:15:06

JamesErik 发表于 2017-7-2 14:31
如果开关频率是250HZ不建议这么使用，栅极关断时间太长，有一段时间mos工作在放大区。会有很大的耗散功率， ...

你是说电路频率达不到高频？如果把光耦改高频光耦呢

anjiyifan · 发表于 2017-7-2 16:20:01

2楼是说栅极电荷是通过10K电阻泄放的，导致关断时间过长。用推完驱动吧

3DA502 · 发表于 2017-7-2 22:40:36

tlp250

hailing · 发表于 2017-7-3 07:24:28

你是因为两侧要隔离才用的光耦吗？光耦输出那里你接10k上拉后接一片cd40106非门，非门的六个输入并一起，输出也并一起增加驱动再去驱动mos管。一般高速光耦供电达不到12v这么高。

kydl2345 · 发表于 2017-7-3 09:00:29

高速起码要推挽啊

xivisi · 发表于 2017-7-3 09:28:29

楼主这图，高速不行

dellric · 发表于 2017-7-3 10:41:13

不好，这个放电速度还是慢了，可以用个PNP三极管和二极管配合加速放电

higeo · 发表于 2017-7-3 12:59:02

关断太慢，楼上的方法可行，如果驱动不用隔离的话干嘛不直接推挽？这样还省成本

LCRPN · 发表于 2017-7-3 15:47:48

本帖最后由 LCRPN 于 2017-7-3 16:01 编辑

要加三极管加速放电。

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加个图，C10、R28可拿掉，R27要根据光耦驱动力适当调整：

diegoo · 发表于 2017-7-3 19:41:59

不差钱的话，用一个HCPL-3120就搞定

3050311118 · 发表于 2017-7-7 09:21:12

diegoo 发表于 2017-7-3 19:41
不差钱的话，用一个HCPL-3120就搞定

ULN2003这种，驱动NMOS频率可以多高

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