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stm8s003f3自带EEPROM的使用寿命是多少?

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出5入10汤圆

发表于 2017-8-23 13:43:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
写了一段测试代码,想测试一下stm8s003f3自带的EEPROM的擦写次数;
  1. /******************************************************************************/
  2. /** 测试eeprom的读写次数
  3.   *
  4.   * @return
  5.   *
  6.   *//*
  7.   * History        :
  8.   * 1.Date         : 2017/8/23
  9.   *   Author       : Nat
  10.   *   Modification : Created function

  11. *******************************************************************************/
  12. void eeprom_task( void )
  13. {
  14.     static u8 temp = 0;


  15.     Write_Byte(Test_Num,EEPROM_WR_ADD);//往固定地址写数据
  16.     temp = Read_Byte(EEPROM_WR_ADD);//从指定位置读取数据

  17.     if(temp == Test_Num)//[color=Red]将读取的数据与写入的数据进行比较,如果一样Test_Count++ 用于统计成功写入的次数[/color]
  18.     {
  19.         Test_Count++;
  20.         Test_Num++;
  21.         _flg = 0;
  22.     }
  23.     else
  24.     {
  25.         if( _flg == 0)
  26.         {
  27.             Write_Buf(pTest_Count, 4, EEPROM_RS_ADD);
  28.             _flg = 1;
  29.         }
  30.     }



  31. }
复制代码

现在Test_Count 以及计数到8亿次,感觉有点不正常啊,是不是测试方法不对?

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

一只鸟敢站在脆弱的枝条上歇脚,它依仗的不是枝条不会断,而是自己有翅膀,会飞。

出0入0汤圆

发表于 2017-8-23 13:56:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 3DA502 于 2017-8-23 13:58 编辑

人家的测试方法和你不一样

好像是把所有的存储单元写0x00,再擦除为0xff,连续循环直到,批量样本中出现有1个bit错误,现在一般都是保证10k以上次循环

对于单个芯片,可能100k次也没有一个bit错误

出0入90汤圆

发表于 2017-8-23 14:00:20 | 显示全部楼层
全写满0,校验,擦除,校验,这样循环测试

出5入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-8-23 14:04:21 | 显示全部楼层
3DA502 发表于 2017-8-23 13:56
人家的测试方法和你不一样

好像是把所有的存储单元写0x00,再擦除为0xff,连续循环直到,批量样本中出现有 ...

这个样子啊,可能是我理解的有点偏差,那我整个擦除一下,试试

出5入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-8-23 14:04:44 | 显示全部楼层
aammoo 发表于 2017-8-23 14:00
全写满0,校验,擦除,校验,这样循环测试

好的,我试试~3Q

出0入0汤圆

发表于 2017-8-23 17:09:42 | 显示全部楼层
而且还要高温老化,数据要保证一段时间后再读取不出错。

出0入0汤圆

发表于 2017-8-23 17:13:25 | 显示全部楼层
EEPROM有标准的测试方法:write 0x5a to address n and write 0xa5 to address n+1; read back these data, increase the success time by 1 if the data is right; write 0xa5 to address n and write 0x5a to address n+1; read back these data, increase the success time by 1 if the data is right;。我记得没错的话,很多电表厂家都是这么测的

出0入0汤圆

发表于 2017-8-23 17:25:00 | 显示全部楼层
整个区域不停的读,写。还要时不时断电一下。

出5入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-8-23 17:30:00 | 显示全部楼层
a312835782 发表于 2017-8-23 17:25
整个区域不停的读,写。还要时不时断电一下。

我晕,这么复杂~~~

出5入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-8-23 17:30:41 | 显示全部楼层
wx85105157 发表于 2017-8-23 17:09
而且还要高温老化,数据要保证一段时间后再读取不出错。

沃日,那还是算了,我还是用理论值计算一下产品的寿命吧~

出5入10汤圆

 楼主| 发表于 2017-8-23 17:31:12 | 显示全部楼层
li_thomas 发表于 2017-8-23 17:13
EEPROM有标准的测试方法:write 0x5a to address n and write 0xa5 to address n+1; read back these data, ...

我理解的太简单了~

出0入0汤圆

发表于 2017-8-26 20:43:10 | 显示全部楼层
003  规格书好像是说  rom区域  100次 保证               EEP区域好像是 10W 次擦写

出0入91汤圆

发表于 2017-8-26 20:50:07 | 显示全部楼层
用铁电吧 别纠结
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