S12的物理RAM和ROM是否可以互换？即某固定内存地址段，是...

qiangxiaochen

自己认为，是可以的，因为自己这样做过，自己曾做过如下修改：
        修改前：
        /* non-paged RAM */
              RAM           = READ_WRITE  DATA_NEAR            0x2000 TO   0x3FFF;
        /* non-banked FLASH */
              ROM_4000      = READ_ONLY   DATA_NEAR IBCC_NEAR  0x4000 TO   0x7FFF;
        修改后：
        /* non-paged RAM */
              RAM           = READ_WRITE  DATA_NEAR            0x2000 TO   0x4FFF; //default 8k ,add 4k,now is 12k
        /* non-banked FLASH */
              ROM_4000      = READ_ONLY   DATA_NEAR IBCC_NEAR  0x5000 TO   0x7FFF; //default 16k ,delete 4k ,now is 12k
修改的原因是因为RAM不够用了，因此将RAM由8K提高到12K，将ROM_4000由16K减小到12K，
这样修改后，程序也照样运行，没有任何异常，不知道这样长时间有没有问题？
按自己的理解，单片机的ROM可以当做RAM来用，但是RAM不能当做ROM来用，单片机的RAM地址段掉电后，数据是否丢失，也不一定，

由此引起一个问题，就是RAM,EEPROM,FLASH,三者有什么区别？某固定内存地址段是否可以指定为三者中的任意一类型？个人觉得应该可以。
电脑的硬盘（包括机械硬盘和固态硬盘）和内存条之间的区别？
个人理解，其区别是内存相比机械硬盘或固态硬盘，读写速度更快，如果固态硬盘的读写速度和内存条相同，那么后续是否就不用内存条了？

takashiki

RAM是随机存储器，掉电数据就没了
ROM是只读存储器，固化好的程序一般不能直接写，只能读。当然有可能会通过其他手段写入，这种ROM叫PROM。然而人们不满足于只能写入一次，所以搞出了可以擦除的EPROM。这玩意最早是紫外线可擦除的，很麻烦，所以有了电可擦除的，叫EEPROM。后来觉得eeprom结构太复杂，工艺上改成了浮置栅，称为Flash。所以广义上后面的都是前面的子集，狭义上则是指特定工艺从而完全不一样了。
如果ssd赶上了RAM的速度而你又不要内存，估计现代的软件能在1ms内将你的ssd寿命写满。

farui

我觉得不能通用。RAM中数据丢失就丢失了，这是硬件决定的。