W25QXX写入数据后，立马读与掉电后读，数值有无区别？

prince2010

如题~

我的疑问：能不能保证写入后立马读取的数据与写缓存的数据一致的情况下，掉电之后读取的数据也一致？

mangolu

数据写入后，他要执行内部写操作，此时处于忙状态，这时不能直接读吧？要等内部写执行完，再读取，此时和断电有何区别？

prince2010

mangolu 发表于 2018-10-23 15:42
数据写入后，他要执行内部写操作，此时处于忙状态，这时不能直接读吧？要等内部写执行完，再读取，此时和断 ...

肯定是等到不忙的时候读啦

wuha

难道这种存储器，只要你不去重新写入新的数据，里面的数据还会改变？

mangolu

prince2010 发表于 2018-10-23 16:07
肯定是等到不忙的时候读啦

flash就是能掉电保存，所以写完成，掉不掉电都一样。除非坏了，不然内容肯定不会改变。

prince2010

wuha 发表于 2018-10-23 16:09
难道这种存储器，只要你不去重新写入新的数据，里面的数据还会改变？

是这样的，目前正在做暴力测试，按照如下方式——

http://bbs.21ic.com/icview-786492-1-1.html

目前已经测试了近四十万次，不断电操作，读写数据都正常，只不过擦除扇区时间变长了，

但其中9楼的评论让我有点担心。

mangolu

prince2010 发表于 2018-10-23 16:21
是这样的，目前正在做暴力测试，按照如下方式——

http://bbs.21ic.com/icview-786492-1-1.html

你用编程器读写FLASH的时候，最后一步就有一个校验，就 是检查缓存和芯片的内容是否一致，不一致就是坏了。我碰到坏的FLASH还真的挺多的。

kayatsl

prince2010 发表于 2018-10-23 16:21
是这样的，目前正在做暴力测试，按照如下方式——

http://bbs.21ic.com/icview-786492-1-1.html

那9楼瞎bb的你也信...

wuha

prince2010 发表于 2018-10-23 16:21
是这样的，目前正在做暴力测试，按照如下方式——

http://bbs.21ic.com/icview-786492-1-1.html

暴力测试为了啥？如果官方标明10万次，即使你做到30万次不坏，你敢每片都照着30万次用吗？

prince2010

wuha 发表于 2018-10-23 16:45
暴力测试为了啥？如果官方标明10万次，即使你做到30万次不坏，你敢每片都照着30万次用吗？ ...

铁电空间做不大，又贵，所以打算用W25QXX，程序需要每5分钟写一次，365*86400/5/60=105120，一年刚好到额定值

wuha

那只使用1年？我们现在就用的铁电，100ms读写一次，基本上当内存用了。你们数据量非常大啊，还需要大空间？

prince2010

wuha 发表于 2018-10-23 16:56
那只使用1年？我们现在就用的铁电，100ms读写一次，基本上当内存用了。你们数据量非常大啊，还需要大空间？ ...

是的，有没有好的办法？

hxled123

数据不大可以多个区轮流着来，寿命大多倍

xiangtaochen

我用W２５ＱＸＸ，　也很担心这种问题，　我有个用户使用机器时间的问题，　每１５分钟记录一次，　这样３年的样子，会到这个界限的，　但是是装在烤箱上的控制板，　环境可能差一点，　温度会到４５度左右，有点担心，　
同求解决办法．，
我其它的量都还好说，　只要状态改变才记录一次进Ｗ２５ＱＸＸ，　反正写的虽然不算太多．　

prince2010

hxled123 发表于 2018-10-23 21:52
数据不大可以多个区轮流着来，寿命大多倍

也打算这么做。

wuha

prince2010 发表于 2018-10-24 08:18
也打算这么做。

能不能一直放内存里，监测到掉电了再放到flash里？一个电容就可以监测前级掉电了。

kebaojun305

xiangtaochen 发表于 2018-10-23 23:25
我用W２５ＱＸＸ，　也很担心这种问题，　我有个用户使用机器时间的问题，　每１５分钟记录一次，　这样３ ...

就是均衡写啊， 最简单的就是自己做个均衡写的  类似 stm32官方的flash 模拟eeprom的方法。