IGBT总是烧，没招了。。。。

天马行空 · 发表于 2018-12-4 18:29:52

电路是以前同事设计的，IGBT用的是英飞凌K50T60,现在测试管子经常烧掉。
PWM控制频率调高调低都试过了，还是无法阻止管子被烧。。。。
测试都烧了几十个管子了，再烧就要破产了。。。。各位帮忙看看这个驱动电路有毛病么？
另外，关于IGBT的驱动电路，英飞凌官方有相关的参考设计么？最好是有关IGBT并联驱动的，我在官网转了半天，也没发现参考设计资料。

shhludb · 发表于 2018-12-4 18:34:13

不烧对不起这电路。

lizg · 发表于 2018-12-4 18:38:56

shhludb 发表于 2018-12-4 18:34
不烧对不起这电路。

给LZ下剂猛药啦！

雨中的风铃 · 发表于 2018-12-4 18:46:25

不烧对不起这电路。+1

john78 · 发表于 2018-12-4 18:49:30

C20有什么用？

n_mos · 发表于 2018-12-4 18:49:57

不烧对不起这电路。+1

天马行空 · 发表于 2018-12-4 18:54:26

各位真是神回复啊，，，别都只看热闹啊，给点整改建议吧。

wqm8181 · 发表于 2018-12-4 18:55:40

不烧对不起这电路+1024

szmachine · 发表于 2018-12-4 18:57:47

我是来学习的，静听分析

castiello · 发表于 2018-12-4 19:19:25

感觉C21应该去掉，会导致IGBT开关速度变慢

rniu · 发表于 2018-12-4 19:20:44

先看一下波形再说。你驱动什么负载？这个图上都没有。如果是电感负责，需要续流，基本结构是半桥。

rniu · 发表于 2018-12-4 19:22:30

还有你问题描述太简单，如果你都不想把问题描述清楚，怎么能期望大家给你很快的清楚的回答

shhludb · 发表于 2018-12-4 19:24:51

看驱动波形，VCC的12V电源是否功率足够，最好改成恒流驱动，6,7脚反并联一个快速二极管到VCC，负压最好用-10V左右，试试看.

luybpotter · 发表于 2018-12-4 19:26:06

本帖最后由 luybpotter 于 2018-12-4 19:27 编辑

围观，相同问题，我的是烧MOS管，被感性负载整怕了
搭车，求解如何防烧MOS管
https://www.amobbs.com/thread-5703244-1-1.html?_dsign=8afd9af9

shian0551 · 发表于 2018-12-4 20:04:51

不烧对不起这电路。+1

pangbin4 · 发表于 2018-12-4 20:13:51

TLP250是双通道的吗？如果是请单独使用一通道，请不要输出并联。已有过案例了

chenminhua1980 · 发表于 2018-12-4 20:38:13

居然给IGBT 弄个RC ！！！

angler12 · 发表于 2018-12-4 20:43:21

首先干掉C21，在R34上并一个1N4148

ourdemo · 发表于 2018-12-4 20:48:10

换HCPL-3120试试，负载功率是不是超过IGBT能承受功率？

lnso · 发表于 2018-12-4 20:57:31

淘宝找个IGBT模块抄板一下搞定

ourdemo · 发表于 2018-12-4 20:59:45

PWM控制频率调低调低调低，这个是低电平有效占空比调高调高调高；IGBT加个无感电容试试？
同深受烧IGBT烧MOS困扰中，看也没有高手冒泡

hz_fujian · 发表于 2018-12-4 21:01:25

本帖最后由 hz_fujian 于 2018-12-4 21:03 编辑

功率管要工作在非线性区，即快速导通和关断。加的C21没有道理，反而减缓了开关速度。二个驱动频率有个上限，频率高了，还没导通就要关断了，这样功率管始终在线性区工作，功率大增，当然易烧。C19也太小，不能积蓄应有的能量，LZ还要加油啊！

qtechzdh · 发表于 2018-12-4 21:21:20

看看IGBT驱动端的信号，是不是方波，看你C21 ,会增加打开关断时间，造成IGBT发热严重炸管。

tangmintm8013TM · 发表于 2018-12-4 22:27:11

先把负载电压降低或者是降低负载试试！

xiaoxiaobaiyu52 · 发表于 2018-12-4 22:35:28

不烧对不起这电路，

C2是什么鬼，光耦直接驱动IGBT？脑洞真大。

gzhuli · 发表于 2018-12-4 22:45:55

xiaoxiaobaiyu52 发表于 2018-12-4 22:35
不烧对不起这电路，

C2是什么鬼，光耦直接驱动IGBT？脑洞真大。

你查一下手册再说，这个光耦有1.5A输出能力，直接驱动IGBT没问题的。

PEcontrol · 发表于 2018-12-4 23:13:25

楼上说必烧的，  麻烦给出原因呀。

主电路没画完，不知带的什么负载，具体要看驱动和gds才能判断问题。

几个建议：
1.  R31可以减小一点点，让原边电流到接近10mA，确保光耦正常导通。
2.  R34可以减小一点点，该芯片驱动电流1.5A，电阻可以取10~30欧。
3.  开关频率较高，或干扰不是很大，C2可考虑去掉。
4.  C20可导致开关管过热，考虑去掉。
5.  如果方便，把12V的驱动电压换成15V的。

TLP250驱动igbt的电路是比较成熟的，网上电路很多，英飞凌只有针对他自己驱动芯片的资料。

flash3g · 发表于 2018-12-4 23:32:01

我觉得电路还算合理，C20去掉好点，或者串一个电阻。驱动频率多少？上波形看下。

colinzhao · 发表于 2018-12-5 00:12:14

看你这帖子就是懒人一个，任何器件失效最终都是EOS失效，一天烧几十个，就不会测下是过压、过流、还是其他，服了！！！贴张图，抱怨一下，谁都无法给你建议的！

plc_avr · 发表于 2018-12-5 07:56:15

你这个炸管的主要原因是因为没有硬件保护电路，管压降检测，或是串电阻检测限流，一个也没有看到，电流一大不炸就怪了。

TLP250是专用的IGBT驱动光耦，而且还用了正负压驱动，有几个元件参数建议再改下，R31、R34改小，C2串个电阻。

wkman · 发表于 2018-12-5 08:09:02

才烧几十个就唧歪唧歪，，，可以上 IPM模块继续烧，，，，
更酸爽！！！

重庆酱油仔 · 发表于 2018-12-5 08:34:26

我也认为是没有续流回路，负载关断的寄生电感造成，过压弄坏的。

qq335702318 · 发表于 2018-12-5 08:38:11

英飞凌再牛，也阻止不住SB设计的电路

529063382 · 发表于 2018-12-5 08:39:08

不烧对不起这电路。+2

PCBBOY1991 · 发表于 2018-12-5 08:54:07

没看懂电路哪里设计的不好，说不烧对不起这个电路的给指导下。

zhousun · 发表于 2018-12-5 08:55:03

c21去掉，驱动电阻减小50欧左右，驱动正极电源15V,确保开关管饱和导通

Leo-w · 发表于 2018-12-5 09:10:54

LZ应该把自己的排除问题进展说一下，都几十个了，不可能一点数据都没有吧。
我分享个人经验，是IPM，不是IGBT，驱动板会莫名奇妙的烧IPM，烧了大概5个，最后发现是开关电源的问题，变压器副边耐压能力不足，导致IPM损坏。

i_kkyu · 发表于 2018-12-5 09:14:43

从C19来看，楼主一定没有好好看TLP250的手册。好好看一下吧。上面网友的回复和你的ID一样。

kydl2345 · 发表于 2018-12-5 10:02:05

本帖最后由 kydl2345 于 2018-12-5 10:06 编辑

网上一搜原理图都很多的，IGBT一般都需要负压

天马行空 · 发表于 2018-12-5 10:08:54

看了各位的回复，虽然我目前还没整明白为什么会烧管，但至少可以确定此IGBT驱动电路是存在问题的。
IGBT接的负载就是功率电阻，用于给220V的电池组放电，用IGBT调节放电电流。K50T60的单管最大电流是60A，我们PWM调节放电电流最大也就20A。
IGBT驱动供电部分是由48V转正负12V/20W的DCDC提供的。

此项目的硬件和软件是以前的2个同事做的，设备原型做出来后也没做什么测试。
那2个同事离职后，这个项目就搁置在那里了很长时间了，没人跟进和维护。
我平时有很多其它别事要做，之前也没参与过这个，闲下来的时候，BOSS会让我把这设备拿出来测试一下，看看有什么问题，每次测试，我都脑阔疼。。。。。

carefree1986 · 发表于 2018-12-5 11:06:13

本帖最后由 carefree1986 于 2018-12-5 11:14 编辑

1. 330Ω的驱动电阻太大了，驱动电阻大了就会驱动功率不足，导致IGBT过热，开关慢
2.C21 3nf太大了，1000p还差不多
3.c19加的不是地方，应该是12V到gng，-5V到gnd，22uf起步，还要放在靠近光耦的地方，IGBT的驱动电源一般都是15V，为什么用12V？
4.C20太小了，建议换成CBB 600V 104，成本不敏感用CDE无感电容

Pjm2008 · 发表于 2018-12-5 11:19:53

楼主，要从损坏原因上找，过压，过流，分析一下原因找出设计中的问题
1.过压，外部负载性质，感性有无续流回路，有无吸收回路
2.过流是否是负载瞬时短路（电容负载）等
3，驱动电路是否合理，开关速度是门极电阻来调节的，仔细用示波器

yuguoliang · 发表于 2018-12-5 13:47:23

天马行空发表于 2018-12-5 10:08
看了各位的回复，虽然我目前还没整明白为什么会烧管，但至少可以确定此IGBT驱动电路是存在问题的。
IGBT接 ...

烧IGBT是因为断开时的峰值电压击穿造成的，建议负载分为多路，其中一路设置为最小负载量，启动放电就接上去，其它路用PWM调节，这样可以有效地抑制断开时的过冲电压。

yuguoliang · 发表于 2018-12-5 13:53:48

你的最大放电电流为100A,最小放电电流是否可以为5A,那选一个5A的固定电阻不进行调节（可开关控制），直接做为负载，注意与IGBT电路一起，尽可能地减少与IGBT间的线路电感。然后再慢慢用PWM调大IGBT电流，同时注意看CE极在断开时的峰值电压。如果驱动能力不够，注意IGBT的发热，发热严重表示散热不够或驱动不够。驱动不够先把频率降下来，把驱动线上带容值的器件去了，如电容、TVS

yuguoliang · 发表于 2018-12-5 13:57:03

现在的电路图，C21去掉，C20需要串电阻

kydl2345 · 发表于 2018-12-5 14:19:06

天马行空发表于 2018-12-5 10:08
看了各位的回复，虽然我目前还没整明白为什么会烧管，但至少可以确定此IGBT驱动电路是存在问题的。
IGBT接 ...

48V的电源为啥要用IGBT呢？

天马行空 · 发表于 2018-12-5 16:50:13

打算修改IGBT电路。
大家帮忙看看，我简单画了个图，IGBT并联使用，用TLP250或HCPL3120来驱动，下面这种方式是否可行？？

kydl2345 · 发表于 2018-12-5 17:09:23

本帖最后由 kydl2345 于 2018-12-5 17:13 编辑

天马行空发表于 2018-12-5 16:50
打算修改IGBT电路。
大家帮忙看看，我简单画了个图，IGBT并联使用，用TLP250或HCPL3120来驱动，下面这种方 ...

IGBT还是不推荐并联使用它不像MOS一样都是正温度系数并联均流问题很大即使并联一定要负压推挽结构了
我想问48V的系统电压为啥不用mos呢？

WUWEWU · 发表于 2018-12-5 17:38:48

1:驱动芯片电压提高到16V,2:去掉C2,C20,3:R34减小到20欧，4：必须加电流检测保护及过压保护

天马行空 · 发表于 2018-12-5 17:56:23

kydl2345 发表于 2018-12-5 17:09
IGBT还是不推荐并联使用它不像MOS一样都是正温度系数并联均流问题很大即使并联一定要负压推挽结构了 ...

不是48V的系统，是220V的系统，48V电源主要是给风扇供电的，顺便就把48V转了正负12V.

Cocal · 发表于 2018-12-5 18:30:09

好像这贴没有拿大下定论啊，看起来高压的确不好玩。
lz搞定了发个信息，让咱们也学习一下。

PCBBOY1991 · 发表于 2018-12-5 18:37:15

天马行空发表于 2018-12-5 17:56
不是48V的系统，是220V的系统，48V电源主要是给风扇供电的，顺便就把48V转了正负12V. ...

220V，交流？

zqbing · 发表于 2018-12-5 18:53:37

我看到好多大神都说设计不好，又不指出问题？希望真正做过这类产品的大神能分享一下经验，最近也遇到类似的问题；
我感觉这个电路没有什么问题呀，每一个器件都是有道理的，除了R34阻值偏大；C21实际中某些极端情况是很有必要的，我不知道为啥那么多人叫去掉？而且阻值用3NF不见得是非常大。C20的吸收电容，加RCD最合适，不是说C20一定有问题吧；

rniu · 发表于 2018-12-5 19:50:18

你这个220V应用电路，负载即使是电阻，你连线的杂散电感即使几百nH，或uH级，都可能造成IGBT雪崩击穿，IGBT和MOSFET最大的差异就是不能雪崩击穿。所以你至少需要放一个续流二极管在集电极到正电源

rniu · 发表于 2018-12-5 19:51:42

另外这个问题是需要示波器波形的，你至少要看一下Vge和Vce电压波形

tangmintm8013TM · 发表于 2018-12-5 20:20:15

干脆去买一个电磁炉来试！

kydl2345 · 发表于 2018-12-6 09:31:29

图上的问题：
1.C19不用去掉有时候反而要加大；

2.VCC电压过低，因为TLP250是晶体管输出，VCC到Vo的压降比较大，tlp250规格书里面用+15V供电的时候，输出只有12V，压降有3V之多，IGBT导通阈值比较高，10V以内驱动的话损耗大；

3.R34减小，试一下IGBT推荐门级电阻的2倍大小；4。开关频率最好在10KHz以内。

lovepig200 · 发表于 2018-12-8 15:24:46

百度搜一下这个看看
IGBT驱动光耦TLP250的应用及注意事项

No.5 · 发表于 2018-12-8 15:30:14

出什么主意的都有，好玩

dspic · 发表于 2018-12-8 19:57:30

驱动电阻肯定大了

tangmintm8013TM · 发表于 2018-12-9 11:01:21

lz问题解决没有

sanjue · 发表于 2018-12-10 22:01:32

我倒是给一个SB老板做过一批IGBT驱动板，中频淬火机用的，IGBT最大电流100多A，相对来说还算稳定，也是TLP250加隔离电源做的，如果实在没招了，可以用一下我的图，我手头还有几十片做好的板子，准备倒掉了

天马行空 · 发表于 2018-12-10 23:06:07

sanjue 发表于 2018-12-10 22:01
我倒是给一个SB老板做过一批IGBT驱动板，中频淬火机用的，IGBT最大电流100多A，相对来说还算稳定，也是TL ...

能否共享一下你的驱动电路？

ourdemo · 发表于 2019-1-9 22:08:37

试验结果怎样啊？问题解决没有啊？

fengbuding · 发表于 2019-3-18 13:39:36

carefree1986 发表于 2018-12-5 11:06
1. 330Ω的驱动电阻太大了，驱动电阻大了就会驱动功率不足，导致IGBT过热，开关慢
2.C21 3nf太大了，1000p ...

好厉害

cgzasa · 发表于 2019-3-19 10:35:22

不知道楼主后续情况怎么样，估计那4个igbt并联，是肯定行不通的，问题很简单，并不是单管驱动能力不够的问题。
之所以爆管，需要调查，起码的示波器波形，Uge Uce之间的波形关系，是肯定需要的。
实在找不到最终症结，重新制版的话，其实楼上有人提到，用专用驱动芯片，exb840 841， M57959 57962，都可以考虑。
正好我最近也要做IGBT驱动的项目，已经做了一些功课，有兴趣可以一起探讨。

IGBT总是烧，没招了。。。。

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