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[YJGQDD]基于74HC14门电路的隔离电源方案设计

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出70入145汤圆

发表于 2020-4-10 12:56:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
前言:使用门电路控制驱动PMOS+NMOS的驱动方案设计,关键是产生带死区控制的驱动波形,并且驱动能力和驱动电平匹配后端驱动的MOS管。没做到以上几点要求,就会导致MOS管发热,上下MOS管有短暂直通,甚至烧毁MOS管。另外就是设计的电路简洁,毕竟器件多了给设计和调试带来很多麻烦,可靠性也会降低。
         本设计使用174HC14的非门芯片,使用里面的6个单元门电路,配合外围必须的电阻,电容,二极管来实现3个部分的电路:方波生成和微调电路,开关死区生成电路,MOS管驱动电路。
T1左边部分就是我们今天要讲解的3个部分

方波生成和微调电路
我测试过74HC系列,74LVC系列,CD4000HEFCD系列不同公司为避免专利另外取的名字)。其中CD/HEF系列产生方波时的静态电流最小,但是CD/HEF驱动能力太弱,不适合直接驱动MOS管做开关应用。静态电流第二小的是74HC系列,并且也有足够的驱动能力驱动结电容<500pFMOS管,因此本方案就使用74HC系列的74HC146非门芯片。至于74LVC系列虽然驱动能力在上面几个中最强,但是静态电流达到20mA以上,不适合做方波生成电路。
         上图中的U26AR72,C83就是一个最简的方波生成电路,通过调整R72C83RC常数就可以调整方波频率。就是R*C值越小,开关频率越快。关于频率计算在NXP74HC14手册上给了计算公式
以上公式对于不同厂家的74HC14,不同的工作电压,有没有增加R71+D25的微调电路频率都有变化,可以作为粗略的估算值。
         因为非门芯片对于输入的高电平和低电平阈值并不是严格对称的,因此光一个RC产生的方波占空比和50%相差会比较大,我们设计的时候潜意识下总想让这个方波占空比为50%,飞飞电源因为有隔直电容的存在,对于驱动PMOSNMOS的波形并不需要完全相等,不相等只是让输出纹波大小波相差更明显。但是传统的推挽驱动就要求2个驱动波形完全相等,否者变压器有直流分量会烧MOS管。
R71和D25的加入就是为了对方波占空比微调的,使得占空比接近50%,而且是从统计学上来说接近50%,因为就算手边的样品调试的时候示波器上显示占空比是50%,但是因为模拟器件的离散性,这个微调电路又是基于微调RC参数而不是D触发器的数字方式产生50%方波。因此无法保证量产时每个产品方波都是50%。U26F是对产生的方波做驱动缓冲,使得后端的负载变化不至于直接影响方波生成电路,不是必须的。

开关死区生成电路
红色虚线部分就是核心的部分:使用1个二极管+1个电阻+1个电容产生只有一个边沿有延时的模拟波形。并且可以看到上图的D26和D27两个方向是相反的。
简单分析下过程:
没有红色框内的电路,驱动PMOS和NMOS的波形基本上是一样的波形。
PMOS要导通的时候需要一个低电平。那么在非门U26C和UC26B的左侧,就需要有一个高电平。U26F输出的高电平经过R73和C84的RC延时。那么对PMOS来说,导通时间就滞后了一会。
当PMOS要关断需要高电平,在非门U26C和UC26B的左侧,就需要有一个低电平。U26F的低电平马上经过D26让U26C和U26B输出一个高电平,马上关断PMOS。
NMOS也可以用上面的方式分析:让NMOS延时一会开通,马上关断NMPS。
这样NMOS和PMOS在同一个方波源经过死区生成电路,导通都是延时一会导通,关断都是马上关断。这样就产生了一个死区。死区时间就是和RC常数有关的一个值。调整R或C的值就可以调整死区时间。

MOS管驱动电路

这部分就比较简单了。通过2个单元非门并联来增加驱动能力,直接驱动MOS管。上图就是2MOS驱动电路方式。\
74HC14门电路驱动方案的驱动波形:
上图绿色为NMOS的驱动波形。红色为PMOS的驱动波形。
开关频率为119.9Khz(可以通过调小R72*C83的值加快开关频率。相应的R71微调电阻值也要调整下用于使得方波接近50%)
死区时间为0.2us(可以通过调整死区生成电路的R73*C84和 R74*C85,变大则死区时间变大)
隔离电源效率测试:
对比之前使用FFMS-ADJ1驱动方案的100KHz宽脉冲效率测试
可以看到上面2者因为静态电流不同对小电流输出的效率有差异。占空比不同带来的VO_VCC电压有一定差异外,效率是差不多的。
隔离电源纹波测试:
带50R电阻负载,负载电流116mA的纹波:
对比使用FFMS-SIMPLE开发板100KHz,宽脉冲,使用同一个FFTG0616,VO_VCC带50R电阻负载:
对比成品B0505LS模块纹波:
可以看到因为非门产生的PMOS和NMOS开关时间不是严格的相等,产生的纹波的大小波相当明显,小波很小,相对大波分到的能量就更高了些,示波器上显示的开关频率是120KHz。
使用FFMS-ADJ1芯片驱动PMOS和NMOS开关时间更接近。2个波形相差不大,整体的纹波也会平均后更小一些。示波器上显示频率为200KHz。
成品的B0505L采用推挽结构,也有不平衡产生的大小波的问题,并且波形尖峰更明显,高次谐波含量更多。示波器上显示频率为195.783Khz,模块的典型开关频率是100Khz
最后,本文章的网盘地址为:https://pan.baidu.com/s/1v06v1tIScTztJH40D5H-QA 提取码:5bdw
本淘宝店铺有相应开发板出售,并且开发板详情页面有相应的电路图,测试数据。https://item.taobao.com/item.htm?id=615350368815



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阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

月入3000的是反美的。收入3万是亲美的。收入30万是移民美国的。收入300万是取得绿卡后回国,教唆那些3000来反美的!

出0入0汤圆

发表于 2020-4-10 15:08:49 | 显示全部楼层
赞,楼主研究的越来越透彻了

出0入0汤圆

发表于 2020-4-10 15:14:17 | 显示全部楼层
D2何用?多此一举?

出200入2554汤圆

发表于 2020-4-10 15:32:02 | 显示全部楼层
cqfeiyu 发表于 2020-4-10 15:14
D2何用?多此一举?

确定图中有 D2?

出0入0汤圆

发表于 2020-4-10 15:45:53 | 显示全部楼层
烟酒生,,,,,,   

出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-10 16:07:46 | 显示全部楼层
cqfeiyu 发表于 2020-4-10 15:14
D2何用?多此一举?

上图哪里有D2,我在原理图上搜索了没有D2

出0入17汤圆

发表于 2020-4-10 16:10:28 | 显示全部楼层
wkman 发表于 2020-4-10 15:45
烟酒生,,,,,,

不是烟酒生,是硬件狗钱多多

出0入362汤圆

发表于 2020-4-10 16:22:28 | 显示全部楼层
zan
记得之前你是用了个sot23-6的山寨pic吧?
其实后面驱动用个HT7K1201之类的电机驱动IC,自带防直通,不用考虑死区了,这样前面用个74LVC2G14就行。

出0入0汤圆

发表于 2020-4-10 16:39:39 | 显示全部楼层
Q18里的第2个管子有啥用?

出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-10 17:51:09 | 显示全部楼层
tomzbj 发表于 2020-4-10 16:22
zan
记得之前你是用了个sot23-6的山寨pic吧?
其实后面驱动用个HT7K1201之类的电机驱动IC,自带防直通,不 ...

上次有网友帖了TI的使用2片门电路芯片做的隔离电源方案,我几年前为了用门电路芯片做隔离电源和RC-DC电源(前端阻容降压,后端DCDC稳压方案,我叫它RC-DC)研究过一整子非门的应用。所以这次我写了这篇使用非门产生死区方案推动MOS管。
74LVC2G14做方波发生源静态电流太高了。我测试过74AHC1G00做方波发生源,静态电流比74LVC要低,但是比74HC系列高。
HT7K1201我很久之前也买了样品,但是一直没测试,后来就找不到样品了。测试过2种其它的电机驱动芯片,开关后静态电流都偏高。其中一种是MX113L,100KHz时芯片发烫厉害。另外一种型号忘了,2年前的事情了。
这次测试MX113L后觉得还是驱动+MOS管这样分立的方案香。

出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-10 17:52:36 | 显示全部楼层
cqfeiyu 发表于 2020-4-10 16:39
Q18里的第2个管子有啥用?

Q18是集成了1个NMOS+1个PMOS的MOS管。这个方案驱动的就是1个NMOS+1个PMOS组成推挽输出。

出0入0汤圆

发表于 2020-4-10 19:49:46 | 显示全部楼层
mark 学习

出0入0汤圆

发表于 2020-4-10 20:25:04 | 显示全部楼层
眼花了,一直以为是两个NMOS

出0入0汤圆

发表于 2020-4-10 20:30:03 | 显示全部楼层
楼主研究深入

出0入0汤圆

发表于 2020-4-10 20:51:07 | 显示全部楼层
我用的是LV14的,变压器接上的话,空载电流大约14个mA,变压器接上后,后面有三端稳压,三端稳压不接的话就几个毫安电流,我做的是24V输入,正负12输出

出330入1862汤圆

发表于 2020-4-10 21:05:32 | 显示全部楼层
tomzbj 发表于 2020-4-10 16:22
zan
记得之前你是用了个sot23-6的山寨pic吧?
其实后面驱动用个HT7K1201之类的电机驱动IC,自带防直通,不 ...

恩这个HT7K1201手册写可以到200khz不错,很多类似L9110的都没写频率,实际能达到的非常有限不能干这个事。。

出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-10 21:17:51 来自手机 | 显示全部楼层
shhludb 发表于 2020-4-10 20:51
我用的是LV14的,变压器接上的话,空载电流大约14个mA,变压器接上后,后面有三端稳压,三端稳压不接的话就 ...

原来还有LV系列的门电路。输出能力比LVC弱,看起来和HC差不多。你是接2个NMOS推挽还是一个N一个P的形式?

出0入0汤圆

发表于 2020-4-10 21:29:48 | 显示全部楼层
hailing 发表于 2020-4-10 21:17
原来还有LV系列的门电路。输出能力比LVC弱,看起来和HC差不多。你是接2个NMOS推挽还是一个N一个P的形式? ...

2个Nmos推挽,前面方波我用14接成对称多谐振荡器

出0入0汤圆

发表于 2020-4-11 05:35:31 | 显示全部楼层
tomzbj 发表于 2020-4-10 16:22
zan
记得之前你是用了个sot23-6的山寨pic吧?
其实后面驱动用个HT7K1201之类的电机驱动IC,自带防直通,不 ...

这个不错,taobao搜了一下基本在1元内,用电容感觉不是佷可靠,

出0入0汤圆

发表于 2020-4-11 05:38:03 | 显示全部楼层
hailing 发表于 2020-4-10 17:51
上次有网友帖了TI的使用2片门电路芯片做的隔离电源方案,我几年前为了用门电路芯片做隔离电源和RC-DC电源 ...

刚刚上去买了个10元,可以打样设计个用HT7K1201的吗

出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-11 08:18:46 来自手机 | 显示全部楼层
cnxh 发表于 2020-4-11 05:38
刚刚上去买了个10元,可以打样设计个用HT7K1201的吗

谢谢支持。看了下HT7K1201的真值表,你可以用IN1接高电平,IN2接PWM信号,然后OUT1代替板子上的N+PMOS输出接变压器就可以了。

出0入0汤圆

发表于 2020-4-11 16:45:53 | 显示全部楼层
假如不考虑效率,只想最简单,
用这个电路能否

TDA2003内部两个输入端已经做好偏置,反相输入和输出之间已经有一只18K电阻,因此加上2个元件,做成这个振荡电路
如图,我的元件值是随手拿的,没频率计,不清楚频率,应该至少KHz以上。

22V时带的是19欧负载,测试了10秒左右,没加散热器,芯片有点热,但还正常工作,如果加大一点散热,完全可以长久工作,
我测试了在7.5~22V供电都正常,但电压升到24V以上时,芯片内部过压保护了,但将电压降下来,又正常工作。
22V下时,负载上的幅度大概接近20V。出来的占空比是50左右,占空比好像和RC没什么关系,

后来又改了一下,用一个32768晶体接同相和输出端之间,反相输入端通过一个电容直接接地,也能输出方波。

出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-11 20:42:30 | 显示全部楼层
locky_z 发表于 2020-4-11 16:45
假如不考虑效率,只想最简单,
用这个电路能否

1:要看输出最大频率是多少?
这个是音频功放,最大频率可能受到限制,最好最大频率在20K人耳能听到的频率以上,频率低了要求变压器的初级电感量必须大些。我测试过的变压器都有一个最低频率的范围,小于等于这个范围内,变压器静态电流很大,大量的电流用于变压器发热,发热由导致变压器电感量下降,静态电流继续变大,必须远离最低频率点,频率要高。
变压器的初级电感量要大
2:看你需要输出多大的功率,1W的话不用考虑效率。10W已经要考虑效率问题了。发热会带来运放的热保护和输出压降变大的问题

出0入0汤圆

发表于 2020-4-11 23:27:32 | 显示全部楼层
本帖最后由 cnxh 于 2020-4-11 23:41 编辑
hailing 发表于 2020-4-11 08:18
谢谢支持。看了下HT7K1201的真值表,你可以用IN1接高电平,IN2接PWM信号,然后OUT1代替板子上的N+PMOS输 ...


好的,谢谢,有心了 ,那我是不是就只用一个有源晶振出来,然后接到HT7K1201的in2,然后接到N+PMOS,再使用你的隔离变压器这样就行了,

出0入362汤圆

发表于 2020-4-11 23:33:08 | 显示全部楼层
hailing 发表于 2020-4-10 17:51
上次有网友帖了TI的使用2片门电路芯片做的隔离电源方案,我几年前为了用门电路芯片做隔离电源和RC-DC电源 ...

有个FM116,和HT7K1201的管脚完全兼容,但是性能差不少。
估计类似的电机驱动IC还有很多。

出0入362汤圆

发表于 2020-4-11 23:34:10 | 显示全部楼层
hailing 发表于 2020-4-11 08:18
谢谢支持。看了下HT7K1201的真值表,你可以用IN1接高电平,IN2接PWM信号,然后OUT1代替板子上的N+PMOS输 ...

这是把全桥当单端用了吧,不值得啊

出0入362汤圆

发表于 2020-4-11 23:36:09 | 显示全部楼层
hailing 发表于 2020-4-11 08:18
谢谢支持。看了下HT7K1201的真值表,你可以用IN1接高电平,IN2接PWM信号,然后OUT1代替板子上的N+PMOS输 ...

这是把全桥当单端用了吧,不值得啊

出0入0汤圆

发表于 2020-4-11 23:51:37 | 显示全部楼层
本帖最后由 cnxh 于 2020-4-11 23:55 编辑
tomzbj 发表于 2020-4-11 23:36
这是把全桥当单端用了吧,不值得啊


有源晶振输出连接int2再连接个三极管反个相控制in1,然后HT7K1201出来out1和out2,直接正反相控制驱动那个变压器可以吗,这样别的阻容器件都没有了,成本不敏感,只想简单可靠

出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-12 10:54:13 | 显示全部楼层
cnxh 发表于 2020-4-11 23:27
好的,谢谢,有心了 ,那我是不是就只用一个有源晶振出来,然后接到HT7K1201的in2,然后接到N+PMOS,再使用你的 ...

1:这个是HT7K1201的真值表
按照你的设计接法大概是这样:

1》三极管基极需要串电阻,上拉也需要串电阻。
2》变压器合适的驱动频率在100K到500K范围内。低了静态电流增加,高了开关的损耗电流也会增加。有源晶振要么是32.768KHz的,要么上MHz的,几百KHz的并不常用。并且HT7K1201的开关频率手册上是200K.实际200K时芯片发不发热还待测试。所以只能使用100KHz到200KHZ的有源晶振。这个有源晶振不好找。
要是把有源晶振分频,那么电路就复杂了。
3》上面的全桥驱动就是4MOS驱动方式,使用我板子上的FFTG0616输出电压有12V左右。2倍于2MOS的驱动方式的输出电压。我的“口袋实验”上位机中提供了计算工具。在我的“飞飞电源核心设计介绍.pdf”文件中也写明了计算公式
口袋实验上位机截图(口袋实验上位机不连开发板也可以使用上面的计算工具等)

VF电压可以按照:肖特基压降+和驱动芯片MOS管的压降,根据输出电流估算。

2:我上面提到的替换电路图是这样的

这个电路是根据芯片真值表设计的,实际好不好用必须要测试过。

3:要想简单用我的驱动芯片或你自己的单片机的2个带死区PWM控制信号控制就可以了(有客户就是用自己单片机的PWM控制的)

我上图可以调整1脚TON和6脚CLK来调节自己需要大电流输出(5V,400mA还是低静态电流2.6mA)
详细可以看我的系列帖子或淘宝上FFMS-ADJ1芯片的详细介绍。
以上上位机,设计资料也可以在我的百度网盘上下载:https://pan.baidu.com/s/1v06v1tIScTztJH40D5H-QA 提取码:5bdw

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出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-12 10:56:04 | 显示全部楼层
tomzbj 发表于 2020-4-11 23:36
这是把全桥当单端用了吧,不值得啊

当全桥用输出电压有12V多,需要重新改变压器了。

出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-12 11:02:43 | 显示全部楼层
tomzbj 发表于 2020-4-11 23:33
有个FM116,和HT7K1201的管脚完全兼容,但是性能差不少。
估计类似的电机驱动IC还有很多。 ...

这些电机驱动芯片对上百KHz的开关性能未知,大概率发热严重。我上面测试的MX113L在100KHz驱动的时候发热严重自己就烧了。
毕竟这种简单的马达驱动应用不会上这么高的PWM信号。我测试过的2种驱动芯片都有发热严重的问题,而且是严重到可以把自己烧了的程度。
单片机直接驱动Ciss小于500pF的NMOS+PMOS的方案反而简单可靠,效率高,MOS不发热。

出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-12 11:12:27 | 显示全部楼层
另外我还测试过UCC27517DBVR驱动,上面写着4A的峰值驱动能力,想想12V供电使用这个来代替2MOS驱动应该很香吧。结果测试后端一带轻负载就烧驱动UCC27517DBVR。原因是这个驱动峰值的能力是用来驱动大节电容MOS的,让上升和下降沿很陡峭,后面基本不需要输出能力了。其连续带载能力还不如3904+3906这样的小电流开关三极管好用。
在5V到30V输入电压时,还不如我FF-BASIC-DEMO开发板上的NMOS直接IO驱动,PMOS使用三极管做图腾柱驱动好用(这个最高1MHz还是可以带载开关)






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出5入10汤圆

发表于 2020-4-12 11:17:28 | 显示全部楼层
不错,支持楼主

出100入2764汤圆

发表于 2020-4-12 11:43:26 | 显示全部楼层
反激uc3844,半桥TL494,全桥KA3525,一大把成熟电源芯片,楼主搞了玩玩还行,做产品不行

出0入0汤圆

发表于 2020-4-12 12:54:48 | 显示全部楼层
WUWEWU 发表于 2020-4-12 11:43
反激uc3844,半桥TL494,全桥KA3525,一大把成熟电源芯片,楼主搞了玩玩还行,做产品不行 ...

他就是搞开发板,绐学习的多吧。

出0入50汤圆

发表于 2020-4-12 15:01:13 | 显示全部楼层
灰常佩服楼主的钻研精神,看你在这一个领域精耕细耘很久了,虽然现在还没有发财,相信你后面一定有成功的那天

出1990入83汤圆

发表于 2020-4-12 17:20:13 | 显示全部楼层
WUWEWU 发表于 2020-4-12 11:43
反激uc3844,半桥TL494,全桥KA3525,一大把成熟电源芯片,楼主搞了玩玩还行,做产品不行 ...

连楼主做的是啥你都没看清楚,光知道喷

出1990入83汤圆

发表于 2020-4-12 17:43:24 | 显示全部楼层
给你提示一下:看到通用的IC就要能想到电压,74HC系列除了74HC4066类似的模拟开关之外,其它的逻辑门基本上VDD上限6V,而电源专用的PWM IC的VREF输出基本上都是5V,由内部线性降压得到,又由于是双极型电路,线性降压电路的压差至少2个PN结,为了避免工作异常,IC都有欠压锁死功能,一般是7-9V甚至更高,电压低了不干活。

出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-6-6 21:38:56 | 显示全部楼层
本帖最后由 hailing 于 2020-6-7 07:38 编辑

今天买的HT7K1201到了,搭电路测试了下。1》这个芯片驱动变压器做隔离电源最高可以到400KHz,再高效率和波形就不好了。远大于芯片手册的200KHz的最大PWM频率,厂家在这方面看来比较保守。最大开关频率这点比我之前测试过的几个电机驱动芯片要优秀,那些在100KHz以上自身的开关损耗巨大。
2》5V输入条件下测试最大输入电流0.9A,刚好在手册的过流阈值的最小值0.9A上。长期输入0.9A运行过温保护了,建议在0.8A以内跑比较安全。
3》做变压器开关驱动使用时IN1和IN2需要输入电平相反的波形,因此使用FF-BASIC-DEMO的1N,2N输出驱动,死区为125ns。不加死区直接2个反向的信号没测试。
4》建议开关频率可以使用200K,效率较高,空载电流也小,并且适合大部分变压器应用(因为有些变压器100K时静态电流高些)
5》这个芯片使用时要多测试上电时序和信号输入以及带负载的之间的关系。注意!!!!!!这个很重要。很有可能这个芯片上来就保护无法有效输出功率。
测试过程中发现当电子负载开0.1A横流档,芯片的5V供电重新上电或输入信号重新断开接入,芯片开始对外输出后很容易因为电子负载的0.1A横流误启动过流保护,这个时候输入电流10mA。
因此,当实际使用时后端电容大或负载有横流特性时,就必须多测试各种情况:多上下电,直接插拔电源和输出等,加大电解电容容量等。这点不如直接使用MOS管可靠:不管电子负载是否设开了0.1A或更大的横流模式或接了大电容,都可以带载启动。












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出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-6-6 21:41:59 | 显示全部楼层
本帖最后由 hailing 于 2020-6-6 22:40 编辑
tomzbj 发表于 2020-4-11 23:33
有个FM116,和HT7K1201的管脚完全兼容,但是性能差不少。
估计类似的电机驱动IC还有很多。 ...


HT7K1201测试了下,后面测试了下芯片直接带载启动,因为过流保护或输出短路保护了。因此我原来从推荐使用做变压器驱动改为需要根据自己的实际使用情况多加测试,防止掉坑里。

出130入30汤圆

发表于 2020-6-6 22:04:58 来自手机 | 显示全部楼层
不愧三个加,文章有深度。

出1990入83汤圆

发表于 2020-6-7 09:41:24 | 显示全部楼层
hailing 发表于 2020-6-6 21:38
今天买的HT7K1201到了,搭电路测试了下。1》这个芯片驱动变压器做隔离电源最高可以到400KHz,再高效率和波 ...

能带恒流源负载启动,其本上就适应绝大多数应用了,试着加个软启动

出70入145汤圆

 楼主| 发表于 2020-6-8 13:51:23 | 显示全部楼层
PowerAnts 发表于 2020-6-7 09:41
能带恒流源负载启动,其本上就适应绝大多数应用了,试着加个软启动

测试HT7K1201是因为SOT23-6封装里面集成了MOS和死区控制以及短路保护等功能,体积小。本身这个芯片是为驱动感性负载设计的。用来驱动隔离电源时,我认为我上图的方式变压器就只是耦合能量用的,后端负载更多的因为加的电容的原因偏向于容性负载。这个时候原来HT7K1201的保护可能就会出问题。需要多加测试。
对于HT7K1201来说,我能想到的软启动方法有1》上电时先用低占空比的信号驱动然后慢慢恢复到正常信号。2》输出加MOS和RC延时导通。以上都要测试过,带来额外的软件或硬件开销,这样使用这个芯片还不如使用分立的MOS来的简单。
这次测试HT7K1201对我的启发是:对于其他用途的芯片来做隔离电源驱动要多做测试,可能芯片芯片的一些保护功能反而会出问题。
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