这个可控硅控制电路为什么有问题？

cheng-8yang · 发表于 2021-2-4 16:34:01

本帖最后由 cheng-8yang 于 2021-2-4 16:35 编辑

大家好，第二个电路可控硅容易炸管，然后我们老大要我改成第一个电路，我问为什么要这样改？他说他也说不清楚，大概和触发象限有关，反正就是要这么改，有没有朋友知道什么原因？

lsfsxfljj · 发表于 2021-2-4 16:38:52

双向可控硅触发有4象限，相关知识补充一下即可，其实也就是不可靠，看什么负载

kv2004 · 发表于 2021-2-5 02:46:23

1 第二图的三极管如果换成PNP,再让NPN拉一下更好,这个共射级电路充其量只能驱动到VDD,达不到VCC.
2 第二图有工作在第四象限的时候,尽量避免第四象限来驱动双向可控硅
所以工作在2/3象限的图1,较好,而且,三极管驱动能力也更强些.

wy2000 · 发表于 2021-2-5 08:35:03

设计这种电路的模拟电路就没学好，把可控硅在当做MOS管或者三极管在用吧。如果只是需要通断电路继电器更好！

PUPO · 发表于 2021-2-5 09:01:20

第二个是MOS管驱动电路呀...

cheng-8yang · 发表于 2021-2-5 10:26:45

kv2004 发表于 2021-2-5 02:46
1 第二图的三极管如果换成PNP,再让NPN拉一下更好,这个共射级电路充其量只能驱动到VDD,达不到VCC.
2 第二图 ...

多谢回答得这么详细，懂一些了。再请教一下，为什么第二图得共射级电路只能驱动到VDD？

kv2004 · 发表于 2021-2-5 10:34:17

cheng-8yang 发表于 2021-2-5 10:26
多谢回答得这么详细，懂一些了。再请教一下，为什么第二图得共射级电路只能驱动到VDD？ ...

三极管基极前面的图，你没有给全，所以默认想象是由VDD供电的某个电路驱动的，基极-发射级电压决定了能不能产生Ib电流，所以它不会大于VCC，（对图上这种VCC大于VDD的标法，不习惯），实际上是VDD-0.7，也就是4.3V。

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