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电机驱动器 的 编码器 SPI 线 的 屏蔽层 如何接地?

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出615入1076汤圆

发表于 2021-6-2 16:27:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题,电机驱动芯片是 DRV8323RS,按照官方参考电路,分开 数字地 和 功率地,单点接地。

驱动板连接比较短的线到外部编码器小板,通讯为普通 SPI,地是数字地

现在纠结的是,想为 编码器 SPI 通讯线 加一个屏蔽编织网,单端接驱动板,请问编织网接地是接数字地好,还是接功率地好?

因为电机对功率地的干扰比较大,如果屏蔽接功率地,貌似反而会引入干扰

但是屏蔽层最佳实践是接外壳和大地,然而外壳和大地正是功率地

如果屏蔽层接数字地,又担心通过天线效应,把电机干扰引入数字地

请问正确做法是什么呢?

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出615入1076汤圆

 楼主| 发表于 2021-6-2 16:42:02 | 显示全部楼层
本帖最后由 dukelec 于 2021-6-2 16:44 编辑

顺便想问一下,很多 FOC 驱动芯片(譬如 DRV8323RS),都有 3 路电流采样电路,而电机第 3 路可以通过另 2 路计算出来,为何还要保留 3 路采样电路呢?

我看有人问,有人的回答是:如果有一路没检测电阻,电流会不平衡。
https://e2e.ti.com/support/motor ... -sense-amp-floating

如他所言的话,想平衡,第 3 路也可以只加一个检测电阻,而不去采集这个电阻的数据啊。

出1310入193汤圆

发表于 2021-6-2 16:55:28 | 显示全部楼层
SPI 和MCU之间最好的隔离处理  信号和电源都隔离
编码器 SPI 通讯线 加一个屏蔽编织网,这个屏蔽编织网很关键  的信得过滴
单端接驱动板,请问编织网接地是接数字地好.电流小  波动不大.

出330入1862汤圆

发表于 2021-6-2 17:01:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 cne53102 于 2021-6-2 17:25 编辑

应该是PE大地吧

编辑:楼主的外壳和大地怎么会是功率地呢?

出615入1076汤圆

 楼主| 发表于 2021-7-26 23:28:54 | 显示全部楼层
本帖最后由 dukelec 于 2021-7-27 02:57 编辑

自己找到答案了,3 路電流檢測是有必要的,在滿載的時候,有一路 pwm 低端導通時間很短,導致檢測電流的時間也很短,在這很短的時間電流值抖動比較大,沒法穩定採樣。

用 3 路的話,可以始終選擇低端導通時間比較長的 2 路進行採樣。





還有一個要接的理由是,mos 驅動芯片中的保護電路需要檢測採樣電阻的電壓,不接的話保護就沒那麼全面了。


關於屏蔽,pcb 大電流和小電流的區域是分開的,通過單點接地的,屏蔽層也接到這個單點接地的位置,就完美了。

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出100入312汤圆

发表于 2021-7-27 04:56:31 来自手机 | 显示全部楼层
专业,学习

出140入158汤圆

发表于 2021-7-27 21:14:47 | 显示全部楼层
dukelec 发表于 2021-7-26 23:28
自己找到答案了,3 路電流檢測是有必要的,在滿載的時候,有一路 pwm 低端導通時間很短,導致檢測電流的時 ...

限制一下SVPWM的最小脉宽即可,当然,会损失一点调制比。

出140入158汤圆

发表于 2021-7-27 21:20:13 | 显示全部楼层
当然是接数字地,不必“担心通过天线效应,把电机干扰引入数字地”,因为您MCU地电平本来就是数字地,而且您要保证的,就是编码器信号和MCU数字地等电位。 效果最好的方法是,您屏蔽线的屏蔽层两端分别接MCU的地和编码器的地。MCU地通过RC和电机外壳连接。

出140入158汤圆

发表于 2021-7-27 21:22:46 | 显示全部楼层
顺路说说,DRV8323、8353的电流放大器的增益带宽积貌似比8301要高不少,缺点是驱动MOSFET电流比8301低一些,对应结果就是MOSFET发热大一点。

出215入169汤圆

发表于 2021-7-28 11:56:48 | 显示全部楼层
功率地数字地单点相接。屏蔽线接机壳,机壳通过并联的rc单点接地。rc取值可以是100k并104。c导通高频噪声,r泄放c的电压。
如果还担心出问题,可把编码器信号转为差分。
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