现场的MOS管大面积烧毁，求大神分析原因。

songxunwen · 发表于 2021-6-6 20:29:05

有个项目用NMOS管控制开关电磁阀，不是频繁动作，只做开关用。安装到现场后在工作过程中大概有五分之一的MOS管烧毁，MOS管烧出一个黑洞或者直接冒烟烧焦，电磁阀和MOS管之间连接线大概有8米左右，电磁阀功率也不大，是24V 6.5W的。感觉能加保护的地方都加了，也加了续流二极管，为什么会导致MOS管烧掉，百思不得其解。求大神分析下原因。电路图和手册截图如下：
电路图：

MOS管手册截图：

电磁阀：

MOS烧毁照片：

microEC · 发表于 2021-6-6 20:35:12

我去，这样的电路也会烧。难道是假货

guowei681 · 发表于 2021-6-6 20:40:04

继电器近端并个二极管

songxunwen · 发表于 2021-6-6 20:41:24

microEC 发表于 2021-6-6 20:35
我去，这样的电路也会烧。难道是假货

嘉立创买的，应该不是假货，江苏长电的也算品牌货吧，看参数挺好的，耐压高，电流也能满足需求，真的奇怪。

songxunwen · 发表于 2021-6-6 20:45:18

guowei681 发表于 2021-6-6 20:40
继电器近端并个二极管

是在电磁阀上反向并联续流二极管吗，我在控制器里也加了续流二极管本来以为效果是一样的。

chunjiu · 发表于 2021-6-6 20:45:31

本帖最后由 chunjiu 于 2021-6-6 20:46 编辑

MOSFET 栅极应多加一级施密特驱动，否则光耦有漏电的话你的管子就成了电热丝。

foxpro2005 · 发表于 2021-6-6 20:47:56

MOS的驱动R15，R16有些偏大，建议取1~4.7K差不多了
另外，是不是所有坏的都这一路？如果是，实际外围的情况也要检查一下

songxunwen · 发表于 2021-6-6 20:52:09

foxpro2005 发表于 2021-6-6 20:47
MOS的驱动R15，R16有些偏大，建议取1~4.7K差不多了
另外，是不是所有坏的都这一路？如果是，实际外围的情 ...

不是，现场装了很多控制器，每个控制器现场环境也不太一样，都有坏的，不一定是哪一路。

monkeynav · 发表于 2021-6-6 20:56:37

测一下开通和关断的波形。
我感觉得加大R15和R16，减缓开通和关断速率。
管子除了超压、过流会烧，dV/dt和dI/dt超过限制也会炸掉

fclose · 发表于 2021-6-6 20:57:52

R16 改成47K试试

hanbing4147 · 发表于 2021-6-6 20:59:32

建议看光耦的导通时间看看。

foxpro2005 · 发表于 2021-6-6 21:01:25

chunjiu 发表于 2021-6-6 20:45
MOSFET 栅极应多加一级施密特驱动，否则光耦有漏电的话你的管子就成了电热丝。 ...

这里10几伏的驱动电压，加施密特也不太合适吧，并且还把电路搞复杂，如果排除MOS本身品质问题，以光耦漏电这个说法，那还不如将MOS改用达林顿管呢

chunjiu · 发表于 2021-6-6 21:07:46

本帖最后由 chunjiu 于 2021-6-6 21:09 编辑

foxpro2005 发表于 2021-6-6 21:01
这里10几伏的驱动电压，加施密特也不太合适吧，并且还把电路搞复杂，如果排除MOS本身品质问题，以光耦漏 ...

包括老鸟，很多人都把 MOSFET 当成普通三极管来用，殊不知它有许多的条件限制。

在我的设计中，MOSFET 总是最后一个选项，没办法了才会用它，就是为了避免诸多的麻烦。

施密特驱动并非要5V 的 IC，一个达林顿就行了。

foxpro2005 · 发表于 2021-6-6 21:11:01

chunjiu 发表于 2021-6-6 21:07
包括老鸟，很多人都把 MOSFET 当成普通三极管来用，殊不知它有许多的条件限制。

在我的设计中，MOSFET ...

你是直接开关 ON/OFF控制，不是使用的PWM吧？
或者把先PTC换成6.8R电阻试试看

kv2004 · 发表于 2021-6-6 21:15:55

monkeynav 发表于 2021-6-6 20:56
测一下开通和关断的波形。
我感觉得加大R15和R16，减缓开通和关断速率。
管子除了超压、过流会烧，dV/dt和d ...

相反，我觉得要减少电阻，也许单单减少电阻也不行了，甚至要添加强力推挽电路。
现在这个电路，在开通时，密勒平台的原理导致开通拖泥带水。关闭时，自身电容导致关的慢。能量消耗在Mos上。

chunjiu · 发表于 2021-6-6 21:18:29

foxpro2005 发表于 2021-6-6 21:11
你是直接开关 ON/OFF控制，不是使用的PWM吧？
或者把先PTC换成6.8R电阻试试看
...

PWM 我都做成晶体管的推挽驱动，除非功耗和速度上有特殊要求。否则要为 MOSFET 设置一堆使用条件，太麻烦了。晶体管推动的 PWM 也可以达到几兆，除了功耗大点，没其他毛病，绝大多数场景都适用了。

kv2004 · 发表于 2021-6-6 21:21:07

本帖最后由 kv2004 于 2021-6-6 21:38 编辑

另外楼主考虑一下用那种自带驱动的,比如BSP75N，注意输入逻辑电压是5V，封装一样，脚位不一样。

foxpro2005 · 发表于 2021-6-6 21:23:52

chunjiu 发表于 2021-6-6 21:18
PWM 我都做成晶体管的推挽驱动，除非功耗和速度上有特殊要求。否则要为 MOSFET 设置一堆使用条件，太麻烦 ...

PWM频率低（一般比例阀的200~400Hz）的问题不大（不过LZ的驱动电路上参数有些问题），频率高的我也是使用三极管搭的推挽驱动

jxnclff · 发表于 2021-6-6 21:29:34

栅极电压不够高。最后一图管子烧的情况来看，是功耗过大

songxunwen · 发表于 2021-6-6 21:42:55

foxpro2005 发表于 2021-6-6 21:23
PWM频率低（一般比例阀的200~400Hz）的问题不大（不过LZ的驱动电路上参数有些问题），频率高的我也是使 ...

感谢，我的电路不是PWM驱动的，就是单纯的开关，每天大概开关一两百次，一次几分钟。PTC不敢换电阻，怕压降过大驱动不了电磁阀，现场安装的时候就因为线路长压降大，电磁阀端22V左右的时候就不能正常动作了，最后换的粗线。分压电阻太大倒是有可能，可能导致关断和打开的时候有些许延迟，等改小试试。

songxunwen · 发表于 2021-6-6 21:48:07

jxnclff 发表于 2021-6-6 21:29
栅极电压不够高。最后一图管子烧的情况来看，是功耗过大

这个管子手册写的4V以上基本就完全导通了，我这里分压大概有10多V，栅极电压应该够了吧。可能栅极电阻大导致导通和关断速度慢，在栅极电压上升沿和下降沿的时候内阻增大导致能量泄放不掉。

dog · 发表于 2021-6-6 21:52:07

应该是击穿损坏
那个钳位到24V算不算【电磁阀】的正端？
其实我觉得反而应该用二极管把它隔离，高电压放到电源上，会影响电源。
电磁阀【负端】到【正端】用二极管钳位，同时并联多个【小ESR的电容】吸收自感产生的电压。
一定要在最近【电磁阀】屁股的地方。
还有上面说的VGS，一般的没有24V。

zqf441775525 · 发表于 2021-6-6 22:07:30

感觉R15有点大，充电速度太慢，导致MOS管长时间处于半导通状态。R15可改成2K试试（改成1K貌似功率不够）。

elec2000 · 发表于 2021-6-6 22:13:22

R15 大了，取2K试试

songxunwen · 发表于 2021-6-6 22:13:54

dog 发表于 2021-6-6 21:52
应该是击穿损坏
那个钳位到24V算不算【电磁阀】的正端？
其实我觉得反而应该用二极管把它隔离，高电压放到 ...

电磁阀正端接的电源24V，MOS控制负端的通断。D19负极接24V，正极接MOS的漏极是为了在控制器这边给电磁阀续流用的，因为相当于二极管反向并联在了电磁阀正负极上，但这个续流二极管距离电磁阀线路比较长，是不是效果受到了影响。可能如你所说真的要在电磁阀上近端直接安装二极管和电容。

linyibinleo · 发表于 2021-6-6 22:14:26

看着应用应该是MOS管驱动能力弱了，处于半导通状态烧坏的。

yangzunzhe · 发表于 2021-6-6 22:15:06

换一种加强型的MOS管子，烧毁的概率会低点，这种通过延长线去控制是MOS管方案不可靠的

modbus · 发表于 2021-6-6 22:45:23

是不是产生了米勒震荡。这种功率用同样封装的三极管也可以，可能还更皮实一些

alexcnsz · 发表于 2021-6-6 22:46:47

R15阻值太大，光耦次级信号拖尾，会导致MOS管不能完全饱和导通。

xunke · 发表于 2021-6-6 22:47:41

我的看法是：
1、减小R15，
2、Q1的D极串入一个小功率电阻

dog · 发表于 2021-6-6 23:01:46

songxunwen 发表于 2021-6-6 22:13
电磁阀正端接的电源24V，MOS控制负端的通断。D19负极接24V，正极接MOS的漏极是为了在控制器这边给电磁阀 ...

是的，一般人我不告诉他。
在屁股上面消除高频电磁干扰。
到了板上，就无力回天。

zqbing · 发表于 2021-6-6 23:02:56

很有可能就是R15电阻太大了，楼主测量一下MOS管在开关时刻的峰值功率，应该就可以看出来；

qwe2231695 · 发表于 2021-6-6 23:52:27

10k 分压再去驱动 mos管？后面是低电阻的线圈会瞬间超功率，boom。

jianfengxixi · 发表于 2021-6-7 04:28:25

板子上D级直连线圈，保护来不及的，需要串小电阻，或者直接在继电器那头加续流二极管和电阻。

fengyunyu · 发表于 2021-6-7 07:53:23

找原厂沟通下

takashiki · 发表于 2021-6-7 07:54:07

我能弱弱的问一下，你这个光耦在这里干嘛用的？干脆去掉好了，估计这个问题都不见了。
无论在原理图上还是实物图上，地都是连在一起的，还是一大片铺铜。

zqf441775525 · 发表于 2021-6-7 08:23:21

takashiki 发表于 2021-6-7 07:54
我能弱弱的问一下，你这个光耦在这里干嘛用的？干脆去掉好了，估计这个问题都不见了。
无论在原理图上还是 ...

光耦是保护io口的

lb0857 · 发表于 2021-6-7 08:30:19

线圈驱动的时候续流二极管少不了驱动mos管的时候细节方面考虑远比三极管要多得多

pt2go · 发表于 2021-6-7 08:38:41

Q1驱动问题

Stm32Motor · 发表于 2021-6-7 08:55:46

我觉得还是栅极驱动问题,两个电阻同时减少看看

goodjob2 · 发表于 2021-6-7 09:00:09

R15和R16太大了，充放电都慢。最好用MOS驱动IC来驱动MOS管，一劳永逸。不是高手的话自己搭驱动电路再怎么改也总是各种问题很难稳定（血的教训）。

polarbear · 发表于 2021-6-7 09:00:10

楼主拿个示波器去测试下波形，这样才好分析；

电路看不出啥问题，该加的都加了

qinxg · 发表于 2021-6-7 09:09:54

除了R15偏大, 看不出啥毛病. 找10块板, 复原客户现场, 编个测试代码, 10秒开关一次, 测试几天几夜再看看

sdsdc · 发表于 2021-6-7 09:12:32

在减小R15的同时，降低驱动电压。MOS管驱动电压在20V以内

EMC菜鸟 · 发表于 2021-6-7 09:27:34

我也感觉是 R15 和 R16 这个网络不太合理，，，

tomzbj · 发表于 2021-6-7 09:37:41

我感觉就是R15太大了, 导通太慢. 推mos还是尽可能用推挽驱动吧, 要么就换成达林顿得了.

keshipt · 发表于 2021-6-7 11:00:29

个人建议：
1.由于导线较长会产生压降，建议量一下电磁铁两端的电压，看看是否大于21.6V（电压过低的话电流会剧增）
2.串个电流表测一下负载工作时的额定电流及峰值电流
3.D19续流二极管有条件的话放在电磁铁旁边
4.R15建议减小

如果电压和电流都达标那就有可能是器件问题了

hd12 · 发表于 2021-6-7 11:06:15

1. 续流二极管应该就近放在MOSFET 的drain一端，这样才能保护MOSFET，并且最好选择肖特基二极管或快恢复二极管，原因上图
2. MOSFET按你的型号在X创里搜，估计是CJT04N15，total gate charge 19nC, 驱动电阻10K//10K，按阻抗5K来计算，
粗略估算充到到开启电压4V时间19nC/（（12V-4V）/5K ），大约12mS，这段时间为开关损耗，能量为（24V*（6.5W/24V）/2）*12ms，
大约77.76mJ，MOSFET的如果提供有UIS这项参数，里面的的mJ单位的，就是每周期每次能承受的最大能量耗散，不要超过这个参数，并留一些余量，
或者有safe operation area，看里面的安全范围，不同电压电流，允许的时间，你有没有超过，如果超过非常大几率烧掉。
SOT223的封装应该承受不了这么大的开关损耗，

你目前的电阻驱动，导通慢，关闭更慢（损耗更大），你得加一级驱动来控制MOSFET

chunjiu · 发表于 2021-6-7 11:10:35

简单多扯一句：

对 MOS 管性能不熟悉的兄弟还是换成普通的达林顿就行了。

若真想用好 MOSFET 还需要多多的修炼。

zwhzwh_11 · 发表于 2021-6-7 12:01:52

这电路图我咋看不明白了。mos管接通时电流如何驱动的电磁阀？

cc1987 · 发表于 2021-6-7 12:03:23

R15过大~

modbus · 发表于 2021-6-7 12:03:39

chunjiu 发表于 2021-6-7 11:10
简单多扯一句：

对 MOS 管性能不熟悉的兄弟还是换成普通的达林顿就行了。

他这个电流才0.3A，普通的SOT223封装三极管就足够了，CE饱和导通电压0.2伏以下。小电流驱动还是优选三极管

microEC · 发表于 2021-6-7 12:20:43

tomzbj 发表于 2021-6-7 09:37
我感觉就是R15太大了, 导通太慢. 推mos还是尽可能用推挽驱动吧, 要么就换成达林顿得了. ...

成品PLC都是类似电路，标称0.5A输出

chunjiu · 发表于 2021-6-7 12:50:26

本帖最后由 chunjiu 于 2021-6-7 13:18 编辑

modbus 发表于 2021-6-7 12:03
他这个电流才0.3A，普通的SOT223封装三极管就足够了，CE饱和导通电压0.2伏以下。小电流驱动还是优选三极 ...

因算外围参数比较麻烦，用达林顿就省事儿了，万一使用条件有变，电路也大概率不用跟着变。

PS:

他的使用条件没细看，因我自己的习惯就是先把啥可能性都包括进去，等使用环境稳定了再降本。

这是和客户斗智斗勇无数年得来的经验，他们天天改方案是很正常的事情。

sanwa · 发表于 2021-6-7 13:39:47

自恢复保险丝居然没有动作，是不是参数有点大了

Aper-2020 · 发表于 2021-6-7 14:22:13

songxunwen 发表于 2021-6-6 20:41
嘉立创买的，应该不是假货，江苏长电的也算品牌货吧，看参数挺好的，耐压高，电流也能满足需求，真的奇怪 ...

线那么长，建议测一下是不是有偶发的振荡

saomao · 发表于 2021-6-7 14:47:00

zwhzwh_11 发表于 2021-6-7 12:01
这电路图我咋看不明白了。mos管接通时电流如何驱动的电磁阀？

同没看懂

saomao · 发表于 2021-6-7 14:59:14

本帖最后由 saomao 于 2021-6-7 16:55 编辑

yuyu87 · 发表于 2021-6-7 15:10:41

我也觉得是R15,R16电阻太大，MOS处在放大区

PICTURE · 发表于 2021-6-7 15:17:56

线长引入了较高的电压击穿了？

Romate · 发表于 2021-6-7 15:23:36

悄咪咪的告诉你在负载两端并联一个474/100v的cbb电容，你会发现问题解决了，不要问我为什么知道，因为他妈老子干踩过这个坑，加了二极管什么的一点作用没有的，并上cbb啥问题没有了

takashiki · 发表于 2021-6-7 15:25:05

yuyu87 发表于 2021-6-7 15:10
我也觉得是R15,R16电阻太大，MOS处在放大区

来来来，学院派来抬杠了。MOS有4个区域：夹断区、可变电阻区、恒流区、击穿区。可以和三极管的区域类比，可变电阻区就相当于三极管的放大区。但是MOS管也有放大区，标准叫法是恒流区，对应三极管的饱和区。虽然我知道你要表达的其实是可变电阻区，但是模拟电路的基本概念特么的命名时就不能统一点么。

gyzzg2030 · 发表于 2021-6-7 15:39:26

本帖最后由 gyzzg2030 于 2021-6-7 15:40 编辑

楼主的R15是太大了，你这个只是简单的开关动作也不频繁，最大1K差不多了，也不能太小，不然，功耗受不了，MOS烧毁的主要原因应该还是尖峰吸收没做好，靠近MOS的地方要有吸收，电磁阀那边也要加吸收

lnso · 发表于 2021-6-7 16:39:01

不用那么麻烦的驱动电路，用专用的驱动芯片，轻松搞定电磁阀

huike · 发表于 2021-6-7 16:45:06

大概率是关断时振荡烧的。
关断时的反峰冲击，导致电源有干扰，导致了MOS管该关不关
是的，仅靠10K的电阻让MOS主动关断，是很傻的！这个10K电阻只是用于断电时MOS有一个电阻，不会让电荷累积而导通，而你连带电工作时的关断都靠这个，，，
很简单，关断加一个下拉三极管，如果还会烧，你来找我！

tang_qianfeng · 发表于 2021-6-7 16:48:51

huike 发表于 2021-6-7 16:45
大概率是关断时振荡烧的。
关断时的反峰冲击，导致电源有干扰，导致了MOS管该关不关
是的，仅靠10K的电阻让 ...

找你请吃饭吗？哈哈

gwj221 · 发表于 2021-6-7 16:49:07

换三极管，

aidsheng · 发表于 2021-6-7 16:52:31

楼主的问题解决了没有,解决了和大伙说一下,要不大伙老惦记,我也经常用MOS控制电磁阀,目前没发现什么问题,但是不敢保以后不会发生问题,多学习学习.

lnso · 发表于 2021-6-7 17:02:16

http://www.semi-mixic.com/index.php?s=/Home/Product/index.html 楼主，去这个链接选型，你那电路就是蛋疼！！

qinxg · 发表于 2021-6-7 17:19:58

PTC为啥没有动作? 强行短路MOS管, 让PTC强行测试一把. 实在不行就如楼上的, 选择一个驱动芯片, 这种芯片带过流, 过热, 短路, 继流, 怎么折腾都难以损坏.

diego2003 · 发表于 2021-6-7 17:33:29

驱动电磁阀，继电器都得小心，SOT223这种驱动6.5W 应该计算热阻。

cbailjc · 发表于 2021-6-7 17:53:58

去掉光耦，二极管靠近继电器放置，问题就解决了，保护IO，就在IO那里串电阻。

marker · 发表于 2021-6-7 17:58:22

foxpro2005 发表于 2021-6-6 21:01
这里10几伏的驱动电压，加施密特也不太合适吧，并且还把电路搞复杂，如果排除MOS本身品质问题，以光耦漏 ...

赞成。防止MOS管进入放大工作区，如果放大工作区管子的热量是惊人的大。

EMC菜鸟 · 发表于 2021-6-8 10:58:55

如果楼主不是有很硬的背景，这个项目得亏到太平洋去了，，，

angler12 · 发表于 2021-6-9 15:36:12

1. 核查一下MOS的驱动电路
2. 加续流电路干掉磁阀上的线圈关断时的反向感应电动势

BOBOD3610 · 发表于 2021-6-10 01:41:55

R15阻值太大

kitten · 发表于 2021-6-10 09:24:55

65楼说的靠谱，MOS最好用推挽的方式驱动。你这个光耦意义不大，要保护的话，可以串电阻。

Divingbear · 发表于 2021-6-10 09:43:59

现在分析分析都是靠老中医悬丝诊脉吗？
连用示波器测个波形都没有了吗？
另外问题有没有进展啥的都没个反馈？
有人能说明白烧芯片的root cause是什么吗？
有没有抓一下Vgs在关断时候的波形呢？

chunjiu · 发表于 2021-6-10 10:16:30

Divingbear 发表于 2021-6-10 09:43
现在分析分析都是靠老中医悬丝诊脉吗？
连用示波器测个波形都没有了吗？
另外问题有没有进展啥的都没个反馈 ...

这还要分析吗？老鸟都知道那儿就不该用 MOS

1、光耦关断时有个很长的斜坡，MOS 会进入放大区，变成电阻丝（电热丝）

2、我们的主控板悬空拿着靠近大功率逆变器，上面的 LED 会闪烁，所以光耦能保证可靠的开关吗？

3、那么长的连接线，MOS 上的栅极就无法保证干净的 0 电平，会引进各种莫名的感应电动势

4、线圈开关时激荡的电动势和 Layout、接线方式都有关联，接错位必然导致 MOS 被击穿

5、地线对外连接会有传导干扰的冲击，MOS 很难扛得住

...

EMC菜鸟 · 发表于 2021-6-10 10:26:45

Divingbear 发表于 2021-6-10 09:43
现在分析分析都是靠老中医悬丝诊脉吗？
连用示波器测个波形都没有了吗？
另外问题有没有进展啥的都没个反馈 ...

出了这种级别的问题，楼主搞不好已经跑路了（主动或被动），，，

EMC菜鸟 · 发表于 2021-6-10 10:32:12

chunjiu 发表于 2021-6-10 10:16
这还要分析吗？老鸟都知道那儿就不该用 MOS

1、光耦关断时有个很长的斜坡，MOS 会进入放大区， ...

你这就属于误导了，PLC多的是MOS输出的型号、而且都是光隔驱动的、别人怎么都用得好好的？不能因为这个电路的不合理就一口否定MOS吧

chunjiu · 发表于 2021-6-10 10:44:06

EMC菜鸟发表于 2021-6-10 10:32
你这就属于误导了，PLC多的是MOS输出的型号、而且都是光隔驱动的、别人怎么都用得好好的？不能因为这个电 ...

谢谢兄弟的提醒，Sorry，兄弟们。

用好 MOS 需要许多年的经验和功力，我这里没说清楚，

因在很前面的跟贴说过了，就忘了再重复一下那些内容。

songxunwen · 发表于 2021-6-10 14:31:43

Divingbear 发表于 2021-6-10 09:43
现在分析分析都是靠老中医悬丝诊脉吗？
连用示波器测个波形都没有了吗？
另外问题有没有进展啥的都没个反馈 ...

我这几天没在公司，但公司技术人员也一直在测试，5秒开5秒关，甚至0.5s开关，一直循环都测试了好几天了，没有一个坏的，甚至mos几乎不热。线长也是模拟现场的长度。波形也抓过，电磁阀开关时漏极瞬时电压到25.4V左右，续流二极管应该起作用了。输出短路也测试过，自恢复保险起作用，不会烧mos。还是没搞懂什么原因。因为大部分坛友分析是栅极电阻太大，如果是这个原因导致烧毁，测试过程中mos应该发热才对。

chunjiu · 发表于 2021-6-10 15:12:06

songxunwen 发表于 2021-6-10 14:31
我这几天没在公司，但公司技术人员也一直在测试，5秒开5秒关，甚至0.5s开关，一直循环都测试了好几天了， ...

实验室和使用现场完全不是一种情况：战士的训练场和真实的战场能是同一回事吗？

lnso · 发表于 2021-6-10 19:12:28

songxunwen 发表于 2021-6-10 14:31
我这几天没在公司，但公司技术人员也一直在测试，5秒开5秒关，甚至0.5s开关，一直循环都测试了好几天了， ...

bug条件没有触发到，测到明年都测不出来

jumpjet · 发表于 2021-6-10 21:54:09

会不会程序有问题，某些情况下输出变成方波，频率高了烧管?

fengyunyu · 发表于 2021-6-11 02:50:51

songxunwen 发表于 2021-6-10 14:31
我这几天没在公司，但公司技术人员也一直在测试，5秒开5秒关，甚至0.5s开关，一直循环都测试了好几天了， ...

lz是老板？

bjrobot · 发表于 2021-6-11 08:10:30

io配置为输入看看，有没有程序异常导致输出口变为输入，io仅仅靠内部上拉驱动光耦，导致光耦工作在放大区

Divingbear · 发表于 2021-6-11 10:19:45

再抓抓Vgs看看吧，想烧MOS真的不容易，如果Vgs稳定，也不是临近上限，那说明设计没问题。
再去现场看看能不能看看现场环境会不会有高压串进来了，找到证据后，再考虑怎么增加防护吧

另外我有个问题啊，你说你用了一个光耦做隔离，但是你隔离前端和后端的地平面是共地的啊，另外看你的电源命名，也不像是做了隔离处理的感觉。
如果你电源和地都共用的，你的光耦在隔离什么？

hd12 · 发表于 2021-6-11 21:52:58

赞同89楼，抓GS, DS波形
特别是把线模拟成现场那样，是不是有穿越什么铁或钢的部件，导致线上的电感量增加了很多，

yuguoliang · 发表于 2021-6-11 22:30:18

二种可能，线有哪里可能造成短路，检查一下那些插头等，是否有可能存在间隔过近，偶然性的搭线短路。
检查光隔关断的时候是否完全关断，MOS关断的时候存在微导通。

t3486784401 · 发表于 2021-6-12 00:17:32

给 LZ 讲个鬼故事吧，8米长的并线，寄生电容有 nF 级别。

每次开启时，MOS 的强驱动能力都要带着 24V 的电压在一个极低 ESR 的 nF 电容上打一下。
看大家讨论这么火热，最开始也就没来争论，但既然一周了还无解，故说出猜测。

a. 测量一下 PCB 到电磁阀的电缆寄生电容，大致确定量级；
b. 拿若干个 CBB 并联达到上述容量（尽可能降低ESR），然后并在板子一侧，再接上电磁阀打吧。

zwhzwh_11 · 发表于 2021-6-12 08:03:33

yuguoliang 发表于 2021-6-11 22:30
二种可能，线有哪里可能造成短路，检查一下那些插头等，是否有可能存在间隔过近，偶然性的搭线短路。
检查 ...

之前也遇到铜丝翘起来短路到一起的现象

kydl2345 · 发表于 2021-6-12 09:18:45

频繁动作mos驱动还是用推挽结构比较好还有续流二极管可以串个适当电压的TVS吸收能量放置mos过压击穿

52HLX · 发表于 2021-6-12 14:20:30

lnso 发表于 2021-6-7 16:39
不用那么麻烦的驱动电路，用专用的驱动芯片，轻松搞定电磁阀

有专用的芯片推荐不？

爱家的鹰 · 发表于 2021-6-13 00:28:39

t3486784401 发表于 2021-6-12 00:17
给 LZ 讲个鬼故事吧，8米长的并线，寄生电容有 nF 级别。

每次开启时，MOS 的强驱动能力都要带着 24V 的电 ...

个人感觉这个测试可以坐下。之前用电子负载做继电器测试，没有考虑电子负载的容性负载，就出现了奇怪的大电流现象。如果后级有交到的容性负载的可能，确实要测试一下。

myxiaonia · 发表于 2021-6-13 01:12:46

你的mcu驱动端是用的什么mcu，io口什么配置

yu2008 · 发表于 2021-6-13 21:09:13

GS上并联小电容，改善di/dt，看看有没有用。

john78 · 发表于 2021-6-14 07:18:02

同88楼，特别是多路同时输出

无眼顽石 · 发表于 2021-6-14 09:50:26

用阻容串联替代D19。可能解决炸残裂的问题。
烧糊应该查过流或长时间没有完全导通。还有自激。

现场的MOS管大面积烧毁，求大神分析原因。

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