24C02保存数据，每5分钟写1 次，有没有办法均衡方法。

lfgc · 发表于 2021-9-12 10:38:09

目标使用5 年，害怕经常在同一地址写，有没有简单的均衡，在多个地址写。

szxszx · 发表于 2021-9-12 10:55:45

比如，地址0x00用来记录正确数据的地址，假设0x00地址记录的是0x01，那么每次写数据都写在0x01地址，写完后读出来验证一下是否正确，如果不正确，说明0x01地址已经写坏，就把数据写在0x02地址，同时0x00地址改为0x02，下次就对0x02地址进行读写操作，直至该地址写坏，再换下一个地址

rz007 · 发表于 2021-9-12 11:03:57

为何5分钟写？设计一个电路，在检测到断电时写入也可以的。提高到30分钟一次？

zaldy30 · 发表于 2021-9-12 11:07:39

换FM24铁电存储器，以楼主的写入要求，可以用几十年。

dreampet · 发表于 2021-9-12 11:11:50

简单粗暴型：分散写入，比如要存储累计运行时间，可分成16个存储单元，轮流写入，取值的时候，把16个单元的值累加即可，相当于把每个单元的写入间隔延长到（5*16）分钟

复杂可靠型：采用日志式存储，循环使用整个EEPROM的所有空间，比如目前我们产品使用的是SPI Flash，扇区大小是4KB，则将每8个扇区划分为一个32KB簇，共分配8个簇256KB空间用于存储历史数据， 8个簇里面又划分了5个活动簇和3个备份簇，即实际可用的存储空间是160KB，支持坏扇区、坏簇标记，理论上支持以亿次为单位的循环擦写。

wy2000 · 发表于 2021-9-12 11:27:09

我也觉的用铁电的更靠谱。

wye11083 · 发表于 2021-9-12 11:58:49

szxszx 发表于 2021-9-12 10:55
比如，地址0x00用来记录正确数据的地址，假设0x00地址记录的是0x01，那么每次写数据都写在0x01地址，写完后 ...

你想多了。flash器件主要风险在掉电存储。上电时你当成ram都行，这也是ssd评测动不动就是几千上万次pe的原因。但是几百次pe的ssd掉电高温（40度）存放几个星期可能就变砖了。有数据表明，上电时温度稍高（50度左右）对flash更好，断电时温度越低越好。

1a2b3c · 发表于 2021-9-12 11:59:07

对其，扣这种技巧上的，还不如直接源头解决。万一扣的有bug，岂不是完蛋了，源头上解决可以本质保证，虽然可能稍微多花点钱

laujc · 发表于 2021-9-12 12:01:39

最简单的方法，将EEPROM分成10个地址，第一次写入第1个地址，第二次写入第2个。。。。第十一次写入第1个地址。写入后擦除旧数据。

lgg88 · 发表于 2021-9-12 13:13:26

要么增加掉电检测，要么地址循环写入就可以。

cddyy · 发表于 2021-9-12 13:19:46

AT24C02的标称擦写次数是1000K，按照每隔5分钟写一次计算，5年总共525.6K，差不多50%的使用量，应该没问题。

whatcanitbe · 发表于 2021-9-12 15:30:25

lgg88 发表于 2021-9-12 13:13
要么增加掉电检测，要么地址循环写入就可以。

我也是这么想的

lb0857 · 发表于 2021-9-12 15:32:26

cddyy 发表于 2021-9-12 13:19
AT24C02的标称擦写次数是1000K，按照每隔5分钟写一次计算，5年总共525.6K，差不多50%的使用量，应该没问题 ...

普通AT24C02 实际产品中不到一年就有故障出现

xuekcd · 发表于 2021-9-12 15:48:06

很久以前，论坛有人做过实验，反复写写很久，最终得到五千万次的结果??

czzhouyun · 发表于 2021-9-12 16:06:09

24随便写，别担心寿命，数据丢失不是因为寿命，而是写的过程被打断了，所以多处备份是需要的，还要能修补错误数据

2nd · 发表于 2021-9-12 16:17:36

5分钟不太频繁，一般Flash我们才会特意考虑写平衡。以下供你参考：
我这有1分钟存1次的数据，数据本身寿命没问题，分配了多块区域轮流写，但索引如果次次写EEPROM，100万次估计2年就会写完。
我们是把次次更新的部分分配到Vbat供电的RAM区（Vbat域不掉电），再配合掉电更新EEPROM内的备份，可以保证可靠性。

cddyy · 发表于 2021-9-12 16:32:47

lb0857 发表于 2021-9-12 15:32
普通AT24C02 实际产品中不到一年就有故障出现

这个时候还是要买大厂的产品，至少标称参数是靠谱的。

chinaboy25 · 发表于 2021-9-12 16:52:45

本帖最后由 chinaboy25 于 2021-9-12 16:55 编辑

以前我做过，所以数据打包成一个结构，再把结构定义一个数组，尽量用满空间，结构里面有一个计数，每存一次计数加1，每次读计数值最大的结构就好了；把所有数据读出来，还是可以看历史数据；

xyz543 · 发表于 2021-9-12 18:57:25

改用 24F02 即可当 SRAM 使，估计不存在寿命问题，但指得是原厂的 24F02，非杂牌滴！

ahong2hao · 发表于 2021-9-12 21:10:01

本帖最后由 ahong2hao 于 2021-9-12 21:11 编辑

一般存储的数据量是固定的，可以顺着写，反着读。
比如划出4096字节的固定大空间，初始化全是0XFF，每次写128字节，那就有32个小块，写的时候按0-127,128-255这样写。
读的时候，如果读回来的128字节全是0XFF，就是可写的小块，这个小块的前一个块，就是上次存的数据。
等到4096全写满了，就找不到128字节全是0XFF的了，就全部清空成0XFF，又从0开始循环
不知这样描述能否看懂。这样就相当于把寿命增加了32倍

dzymushi · 发表于 2021-9-13 09:01:23

看看BL24C02，标300万次

Trylin · 发表于 2021-9-13 09:03:24

用铁电，速度又快，省心

ljx289 · 发表于 2021-9-13 09:31:38

chinaboy25 发表于 2021-9-12 16:52
以前我做过，所以数据打包成一个结构，再把结构定义一个数组，尽量用满空间，结构里面有一个计数，每存一次 ...

对！我也是按照这个，做个数据结构，我顺便把校验也写进去，读出来后CRC16校验一下。

lfgc · 发表于 2021-9-13 21:48:48

Trylin 发表于 2021-9-13 09:03
用铁电，速度又快，省心

有没有公司推荐？假铁电怎么区分？

lfgc · 发表于 2021-9-13 21:50:30

lgg88 发表于 2021-9-12 13:13
要么增加掉电检测，要么地址循环写入就可以。

掉电检测没有做过，有方案没有？

lgg88 · 发表于 2021-9-13 23:20:45

你可以将电源端接一个7044，当电源低于4.4V的时候输出一个信号，后面就进入EEPROM写程序。或者电源端用电阻分压接入一个比较器

Trylin · 发表于 2021-9-14 12:14:09

lfgc 发表于 2021-9-13 21:48
有没有公司推荐？假铁电怎么区分？

之前用过富士通的某一个型号，还可以。

iamseer · 发表于 2021-9-14 14:45:08

本帖最后由 iamseer 于 2021-9-14 14:50 编辑

可以参考 AVR101 High Endurance EEPROM Storage。
空间利用率不是最高，但算法简单还有例程。

另外Microchip家还有一种Serial EERAM。直接当RAM用，掉电自动保存数据。只有掉电的时候才真正从RAM往EEPROM里存数据。我个人没用过不过LZ可以看看。

krguang · 发表于 2021-9-14 15:24:09

ahong2hao 发表于 2021-9-12 21:10
一般存储的数据量是固定的，可以顺着写，反着读。
比如划出4096字节的固定大空间，初始化全是0XFF，每次写1 ...

谢谢老哥,学到了

SCREA · 发表于 2021-10-15 11:38:40

本帖最后由 SCREA 于 2021-10-15 11:40 编辑

lfgc 发表于 2021-9-13 21:50
掉电检测没有做过，有方案没有？

Spiffs是一个用于嵌入式目标上的SPI NOR flash设备的文件系统。

Spiffs有以下几个特点:

1、小(嵌入式)目标，没有堆的少量RAM

2、只有大范围的数据(块)才能被删除

3、擦除将把所有块中的位重置为1

4、写操作把1变成0

5、0只能被擦除成1

6、磨损均衡

苹果520 · 发表于 2021-10-16 13:52:05

lfgc 发表于 2021-9-13 21:50
掉电检测没有做过，有方案没有？

掉点保存的方案很多的。可以试试

24C02保存数据，每5分钟写1 次，有没有办法均衡方法。

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