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对eeprom的某一页的几个地址进行频繁写入操作,会不会影响这个页的其它地址的寿命。

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出0入8汤圆

发表于 2021-10-30 08:25:17 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题。是否存在这页其它地址也跟着刷新,导致寿命也跟着降低

出130入129汤圆

发表于 2021-10-30 08:36:19 | 显示全部楼层
担心其它地址,就不担心自身地址?

出0入8汤圆

 楼主| 发表于 2021-10-30 09:47:22 | 显示全部楼层
68336016 发表于 2021-10-30 08:36
担心其它地址,就不担心自身地址?

自身地址已经被搞费了,当页其它地址如果不受影响可以接着用,自身地址换一个就行了

出10入113汤圆

发表于 2021-10-30 10:18:09 | 显示全部楼层
如果是整页擦除机制,肯定有影响的。

出0入8汤圆

 楼主| 发表于 2021-10-30 10:28:55 | 显示全部楼层
饭桶 发表于 2021-10-30 10:18
如果是整页擦除机制,肯定有影响的。

是不是有些型号的就是这种机制,有些不是的?

出15入178汤圆

发表于 2021-10-30 13:29:12 | 显示全部楼层
有的型号的是这样分等级的,尾缀会不同。我现在用的带ECC,4Bytes/Group,寿命是按Group算的。

出0入8汤圆

 楼主| 发表于 2021-10-30 16:26:53 来自手机 | 显示全部楼层
2nd 发表于 2021-10-30 13:29
有的型号的是这样分等级的,尾缀会不同。我现在用的带ECC,4Bytes/Group,寿命是按Group算的。 ...

我用的是25LC1024,256 字节一页。手册里有提到页的某个地址被写入,页其它地址的耐久性会降低。看到这里有点疑惑,特此发帖求证。

出15入178汤圆

发表于 2021-10-30 17:11:14 | 显示全部楼层
以Microchip的25LC1024为例,手册里写的:

When doing a write of less than 256 bytes the data in the rest of the page is refreshed along with the data bytes being written.
This will force the entire page to endure a write cycle, for this reason endurance is specified per page

出0入8汤圆

 楼主| 发表于 2021-10-30 17:43:19 来自手机 | 显示全部楼层
2nd 发表于 2021-10-30 17:11
以Microchip的25LC1024为例,手册里写的:

是的,当我看到这一段时,有点凉凉的感觉。之前人设计的程序,在一个页里分了好多断,分别读写。有的频率较高,有的低。估计这一页的全部参数都费掉了。

出300入477汤圆

发表于 2021-10-30 17:55:04 来自手机 | 显示全部楼层
擦写控制电路还是要占不少资源的,所以通常的设计不会给每个字节配一个,而是每个page才有一个。你一次不论写多少,底层都按整个page写。

出10入120汤圆

发表于 2021-10-30 18:57:04 来自手机 | 显示全部楼层
eeprom和flash还是需要分开的,两种器件完全不同,一般来说擦出仅是针对flash。

出300入477汤圆

发表于 2021-10-30 19:45:56 来自手机 | 显示全部楼层
makesoft 发表于 2021-10-30 18:57
eeprom和flash还是需要分开的,两种器件完全不同,一般来说擦出仅是针对flash。 ...

e2prom不用先擦再写,可以直接写。但是内部的擦和写仍然不是以字节为单位的,而是以page为单位。
你写一个字节,它内部实际动作是读岀整个page,合并入你想写的那个字节,然后整个page写入

出10入120汤圆

发表于 2021-10-30 20:33:56 来自手机 | 显示全部楼层
redroof 发表于 2021-10-30 19:45
e2prom不用先擦再写,可以直接写。但是内部的擦和写仍然不是以字节为单位的,而是以page为单位。
你写一 ...

谢谢,以前还真没关心过eeprom这个写逻辑,学习了。

出0入12汤圆

发表于 2021-10-30 21:33:37 | 显示全部楼层
redroof 发表于 2021-10-30 19:45
e2prom不用先擦再写,可以直接写。但是内部的擦和写仍然不是以字节为单位的,而是以page为单位。
你写一 ...

真正的eeprom不是以位为单位的吗?除非是flash冒充的eeprom才整块地擦.

出0入21汤圆

发表于 2021-10-30 22:20:46 | 显示全部楼层
频繁擦写,应该停电瞬间保存数据才好吧

出300入477汤圆

发表于 2021-10-30 22:50:40 | 显示全部楼层
kv2004 发表于 2021-10-30 21:33
真正的eeprom不是以位为单位的吗?除非是flash冒充的eeprom才整块地擦.

你随便看个24Cxx系列EEPROM的手册就知道了啊。你不需要提前擦,可以直接写入,因为它的擦块和写块是一样大的,就是他的page大小,并且它也不允许部分写入,所以可以让你看不到擦的过程。
本质上内部在你修改的时候替你读回了旧的然后自动擦了重写。某些厂家手册明确这么说了,也有没明确说的你可以用写一字节跟写整个page的时间来对比,就知道了。

出0入34汤圆

发表于 2021-10-31 00:38:15 | 显示全部楼层
怎不换铁电 FRAM  会较无此困扰?

出105入79汤圆

发表于 2021-10-31 00:48:38 | 显示全部楼层
铁电 FRAM 终极办法

出0入12汤圆

发表于 2021-10-31 10:27:25 | 显示全部楼层
redroof 发表于 2021-10-30 22:50
你随便看个24Cxx系列EEPROM的手册就知道了啊。你不需要提前擦,可以直接写入,因为它的擦块和写块是一样 ...

真是这样的,
给频繁改动的独立的字或者字节甚至位,单独一个page.就不会影响到周围数据了吧。

出300入477汤圆

发表于 2021-10-31 10:42:30 来自手机 | 显示全部楼层
kv2004 发表于 2021-10-31 10:27
真是这样的,
给频繁改动的独立的字或者字节甚至位,单独一个page.就不会影响到周围数据了吧。 ...

是的。
每个是page完全独立的,单独计算寿命,写坏一个不影响别的。

出0入0汤圆

发表于 2021-11-1 11:02:03 | 显示全部楼层
我用25LC512,也需要频繁写入,我就是将所有数据块按页对齐写入(剩余的地址空出)

出0入0汤圆

发表于 2021-11-1 11:03:06 | 显示全部楼层
redroof 发表于 2021-10-31 10:42
是的。
每个是page完全独立的,单独计算寿命,写坏一个不影响别的。

学习了!

出0入0汤圆

发表于 2021-11-1 15:40:31 | 显示全部楼层
频繁擦写 用铁电FRAM就行了

出0入30汤圆

发表于 2023-12-29 13:31:28 | 显示全部楼层
xyz543 发表于 2021-10-31 00:38
怎不换铁电 FRAM  会较无此困扰?
(引用自17楼)

这位台湾朋友 , 好久没发言了 ,

出0入0汤圆

发表于 2023-12-29 23:18:58 来自手机 | 显示全部楼层
解决了我一直以来的困惑,好帖子
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