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大家好, 最近搞了一块板子, stm32H757 + IS42S16320F,
layout的时候, 比较粗糙,
没有做等长也没有做阻抗, 也没有放匹配电阻,
直接用6mil的线mcu->sdram, 最长2700mil, 最短650mil.
旁边有一片MP9943的DCDC的电感
运行测试时候, 使用了如下代码:
__IO uint16_t* p = 0xC0000000U;
*p = 0;
*(p+10) = 11;
*(p+20) = 22;
*(p+30) = 33;
*(p+40) = 44;
*(p+50) = 55;
HAL_Delay(2);
uint16_t r0 = *p;
uint16_t r1 = *(p+10);
uint16_t r2 = *(p+20);
uint16_t r3 = *(p+30);
uint16_t r4 = *(p+40);
uint16_t r5 = *(p+50);
在没有 HAL_Delay的情况下 r0 到 r5 的值都是55,
在加1ms delay的情况下 r0到r5 会从55开始 不规则递增到 1150
在加2ms delay的情况下 r0到r5 会从115开始 不规则递增到655xx
如果delay超过2ms 读取基本上都是65535
测试过程中 参数对照ds, 以及适当扩大测试过,
频率降低到10Mhz(同时降低了refresh rate)也测试过,
表现状况类似, 写入立刻读取, 只能读取最后写入的值, 有延迟就会读取二进制全1的值
抓取SDCLK
同时看地址和数据线 应该在合适的范围内(时钟在数据中段上升)
对应的配置代码 在ST的747disco开发板上 测试没问题(有做相应配置调整)
想请大家帮忙指点下:
1. 这种情况大概会是哪里的问题, 等长? 干扰? 供电(用的10mil线)? 时序?
2. SDRAM对等长和阻抗要求应该如何定量分析? 有不少地方说 100M就由他去好了, 也有说组内100 或者其他的要求.
3. 或者还有其他需要考虑的因素? 干扰? 远离电感?
非常感谢! |
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