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回复: 7

吐槽:CH32F103xx的FLASH标准编程模式好慢啊!

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出590入992汤圆

发表于 2022-9-9 17:45:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题。
准备做IAP升级的,测试了下标准编程模式(和STM32F1全兼容的),太慢了。慢了好多倍!
有没有遇到同样情况的?

出100入312汤圆

发表于 2022-9-9 18:35:24 | 显示全部楼层
可能和芯片架构有关。可以试试gd32e103

出130入129汤圆

发表于 2022-9-9 19:03:38 | 显示全部楼层
慢很多很多,正常的,手册上有时间说明的

出0入89汤圆

发表于 2022-9-10 00:22:02 | 显示全部楼层
是这样的。厂家也说了。flash算法不同。有提高的方法,就是改写法,不要以字节为单位,以32位批量多个一起写入就能提高,但依然慢很多。如果在运行时写还会有明显的停顿现象。这片子就这德行,他们不打算改。问过了。

出15入178汤圆

发表于 2022-9-10 09:21:17 | 显示全部楼层
看文档,按规格书的性能,烧录速度基本和ST持平。
但想着不改代码的话,那就会慢几十倍

出100入312汤圆

发表于 2022-9-10 09:41:56 来自手机 | 显示全部楼层
2nd 发表于 2022-9-10 09:21
看文档,按规格书的性能,烧录速度基本和ST持平。
但想着不改代码的话,那就会慢几十倍 ...

(引用自5楼)

怎么改算法?按规格书擦出时间是ST的2倍

出590入992汤圆

 楼主| 发表于 2022-9-10 19:58:31 | 显示全部楼层
akey3000 发表于 2022-9-10 09:41
怎么改算法?按规格书擦出时间是ST的2倍
(引用自6楼)

手册上说明:有快速编程方法,速度和ST差不多了,但是还是能感觉到慢一点。有点小麻烦。

出100入312汤圆

发表于 2022-9-10 20:48:04 | 显示全部楼层
SUPER_CRJ 发表于 2022-9-10 19:58
手册上说明:有快速编程方法,速度和ST差不多了,但是还是能感觉到慢一点。有点小麻烦。 ...
(引用自7楼)

FLASH快速写入:对于快速写入方式,一次性写一行,一行是32个双字,一定要注意是32个双字,不能是64个字。
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