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回复: 14

帮忙推荐或选型一个高压PMOS驱动电路!

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出235入235汤圆

发表于 2023-1-27 22:04:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
100汤圆
用途:
STM32单片机PWM输出信号控制PMOS开关输出150V~180V的直流电。负载电流5A。
PMOS输出接电感负载。因为需要多通道共地,所以需要使用PMOS。

之前没有做过类似的MOS驱动,所以请教有经验的,或者有应用过的朋友帮忙看看,对应有经验来说,应该蛮简单。手画一个都行!


PS:这是论坛里面找的,但我感觉如果是电压升高,有些取值不一定对。所以帮忙看看。PMOS选了一个IRF9640

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出0入4汤圆

发表于 2023-1-27 23:22:20 | 显示全部楼层
3904改成13001,集电极的4.7K电阻改大一些,试试看100K,不然功率太大,三极管基极的1K电阻也改成100K就行,其他应该没啥了

出145入215汤圆

发表于 2023-1-27 23:45:21 来自手机 | 显示全部楼层
4.7k改为16.9k 2w电阻,三极管改为13001

出235入235汤圆

 楼主| 发表于 2023-1-27 23:47:06 | 显示全部楼层
dz20062008 发表于 2023-1-27 23:45
4.7k改为16.9k 2w电阻,三极管改为13001
(引用自3楼)

上面的10V稳压管和10K电阻需要修改吗?

出235入235汤圆

 楼主| 发表于 2023-1-27 23:48:27 | 显示全部楼层

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出330入1862汤圆

发表于 2023-1-28 00:00:47 | 显示全部楼层
如果只是这个电路基础上修正参数,那只能控制开关吧,PWM的话频率会很惨吧

出10入12汤圆

发表于 2023-1-28 02:39:20 | 显示全部楼层
这些参数,自己根据手册和欧姆定律算算就好啦
NPN三极管耐压不够,会炸
NPN三极管基极电阻取值临界,大批量可能会有不良
4.7k电阻可能会炸

出100入113汤圆

发表于 2023-1-28 08:41:00 来自手机 | 显示全部楼层
感应负载,又是PWM,你就要自己算算了。单纯开关注意加续流二极管,以及内阻尽量小的PMOS即可,内阻要根据管子的温升和最大节温算。PWM要考虑的因素就复杂一些了,频率多高?用PWM调速?感性到底是多大的电感?

出235入235汤圆

 楼主| 发表于 2023-1-28 09:10:38 | 显示全部楼层
有没有成品的驱动IC用于PMOS呢?感觉PMOS比NMOS除了内阻大,还有不好驱动的问题。PWM载波5K应该就够了!

出0入0汤圆

发表于 2023-1-28 10:37:15 | 显示全部楼层
Vgs限10V不对吧,手上前面10V只是给你举例,看下表的Vgs max

出0入4汤圆

发表于 2023-1-28 10:42:05 | 显示全部楼层
dog 发表于 2023-1-28 10:37
Vgs限10V不对吧,手上前面10V只是给你举例,看下表的Vgs max
(引用自10楼)

Vgs最大20V,一般都是限10V或者12V。

出0入0汤圆

发表于 2023-1-28 10:46:41 | 显示全部楼层
这种情况换成我,会想方设法用NMOS,要么找桥驱搭自举,要么解决地的问题然后换成低端驱动
这么高的电压自己搭驱动还是PWM控制又是感性负载,够喝一壶的

出235入235汤圆

 楼主| 发表于 2023-1-28 11:16:12 | 显示全部楼层
辣条 发表于 2023-1-28 10:46
这种情况换成我,会想方设法用NMOS,要么找桥驱搭自举,要么解决地的问题然后换成低端驱动
这么高的电压自 ...
(引用自12楼)

可以利用IR2104+NMOS实现高端输出吗?只用上驱部分!

出330入1862汤圆

发表于 2023-1-28 13:01:47 | 显示全部楼层
lyping1987 发表于 2023-1-28 11:16
可以利用IR2104+NMOS实现高端输出吗?只用上驱部分!
(引用自13楼)


这种需要限制占空比最高95%左右,而且只有上臂的话,自举电容可能不能正常充电。
也可以用隔离电源提供电源,但是这样多路代价太大,占空间。
PMOS应该可以的,我昨晚想了想,只是开关速度目前还有点不理想,先不发出来
PMOS的话驱动电源容易解决,多路可以复用一部分

出0入0汤圆

发表于 2023-1-28 14:10:28 | 显示全部楼层
如果要求速度,还是用推免方式驱动MOS管,
但如果仅仅是类似当一个电源开关那样,负载还并有滤波电容等,也就是开关速度不高,LZ的电路没啥问题
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