400V直流电压快速关断理论上能实现吗

大鹏展翅 · 发表于 2023-3-27 20:52:22

现在需求是400V直流电压，负载电流80ma，做周期通电，50ms给400V，3ms低电平，低电平不用到0V 斜率下来也可以，最后要低到200V以下，这个电路从理论和实际上是可以实现的吗，本人电路小白，大家说可以我就再研究研究，不可以我就不浪费时间了

WUWEWU · 发表于 2023-3-27 22:02:41

耐压大于400V的开关三极管 MOS管大把，楼主别说不会吧

zxq6 · 发表于 2023-3-27 22:03:59

这个要求不算太难

armos · 发表于 2023-3-27 22:26:54

没问题，我们现在用MOS管，可以做到3000V以上

t3486784401 · 发表于 2023-3-28 00:30:10

理论上没有难点，实际需要考虑输出线缆：

a. 输出线缆有寄生电容，因而需要限定开关管的最大电流，避免容性负载把开关管干坏；
b. 输出线缆有寄生电感，可能会影响电流上升/下降速率。

按照实际线缆大致测下寄生参数，剩下的设计就比较直观了

cne53102 · 发表于 2023-3-28 00:39:59

可以使用2个MOS，1个用于控制电源开关，1个用于短路负载放电（可串电阻）提供一个快速的下降沿和坚实的0V（因为负载可能带有电容或结构有寄生电容）

由于电源也不是持续开启的，可以使用IR2104一类的栅极驱动，2个MOS做成半桥，PWM按所需的高低电平给上，应该就可以了。

50ms Hi, 3ms Lo，这个占空比虽然比较高，但是对于IR2104这种栅极驱动来说可以保证上管正常驱动，是可以实现的。80mA电流不大，小MOS也很好驱动。

大鹏展翅 · 发表于 2023-3-28 06:16:57

感谢大家，这块我确实是个小白

大鹏展翅 · 发表于 2023-3-28 06:35:53

cne53102 发表于 2023-3-28 00:39
可以使用2个MOS，1个用于控制电源开关，1个用于短路负载放电（可串电阻）提供一个快速的下降沿和坚实的0V（ ...
(引用自6楼)

我想再问一下还是占空比改成高3ms低3ms，实际上问题也不大吧

Rabbitoose · 发表于 2023-3-28 07:38:02

t3486784401 发表于 2023-3-28 00:30
理论上没有难点，实际需要考虑输出线缆：

a. 输出线缆有寄生电容，因而需要限定开关管的最大电流，避免容 ...
(引用自5楼)

请问针对寄生电容限流的方法是怎样的呢？

对于寄生电感，是不是可以也可以加一个flyback二极管作为断电时的泻放通道？

cne53102 · 发表于 2023-3-28 12:39:09

大鹏展翅发表于 2023-3-28 06:35
我想再问一下还是占空比改成高3ms低3ms，实际上问题也不大吧
(引用自8楼)

没问题，IR2104这类半桥驱动的主要问题是上管不能持续开启（因为电容存的电会挺不住），所以不能持续输出高电平，但保持在95%占空比以内是不会有问题的。

skype · 发表于 2023-3-28 12:45:27

直接用IGBT做就可以。

PowerAnts · 发表于 2023-4-3 18:36:23

3uS都是小意思，3mS你担心啥？

locky_z · 发表于 2023-4-14 11:36:57

3mS算很慢了。
如果是共地的，就要high-side开关，
因为要持续50ms，那么这个high-side驱动估计要独立电源，IR系列驱动芯片的自举可能没法做到50mS的持续。

400V直流电压快速关断理论上能实现吗

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